太阳能电池制造技术

本发明专利技术实施例提供一种太阳能电池，包括：基底；在基底上表面依次层叠的发射极、第一钝化膜、减反膜以及第一电极；在基底下表面依次层叠的隧穿层、阻滞层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，阻滞层用于阻滞场钝化层中的掺杂离子向基底迁移，阻滞层包括与第二电极投影重合的第一阻滞层和投影错位的第二阻滞层，至少第二阻滞层为本征半导体；在垂直于基底表面的方向上，第一阻滞层的厚度小于第二阻滞层的厚度，第一阻滞层远离基底的表面平齐于第二阻滞层远离基底的表面，与第二电极投影重合的隧穿层的厚度大于与第二电极投影错位的隧穿层的厚度。本发明专利技术实施例有利于降低太阳能电池的复合损失以及提高太阳能电池的转换效率。合损失以及提高太阳能电池的转换效率。合损失以及提高太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是申请日为2020年10月30日，申请号为202011192543.X，专利技术名称为“太阳能电池”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0003]本专利技术实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池。

技术介绍

[0004]随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。常用的钝化接触电池有异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin
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layer，HIT)电池和隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)电池。
[0005]然而，现有的钝化接触电池存在着一定的复合损失隐患。

技术实现思路

[0006]本专利技术实施例提供一种太阳能电池，有利于降低太阳能电池的复合损失以及提高太阳能电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底；在所述基底上表面依次层叠的发射极、第一钝化膜、减反膜以及第一电极；在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、阻滞层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述阻滞层用于阻滞所述场钝化层中的掺杂离子向所述基底迁移，所述阻滞层包括与所述第二电极投影重合的第一阻滞层和投影错位的第二阻滞层，至少所述第二阻滞层为本征半导体；在垂直于所述基底表面的方向上，所述第一阻滞层的厚度小于所述第二阻滞层的厚度，所述第一阻滞层远离所述基底的表面平齐于所述第二阻滞层远离所述基底的表面，与所述第二电极投影重合的所述隧穿层的厚度大于与所述第二电极投影错位的所述隧穿层的厚度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，与所述第二电极投影重合的所述隧穿层具有靠近所述基底的第一表面，与所述第二电极投影错位的所述隧穿层具有靠近所述基底的第二表面，所述第一表面与所述第二表面平齐。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：结合材料，位于所述隧穿层和所述阻滞层之间。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一阻滞层的材料类型与所述场钝化层的材料类型不同。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻滞层的材料类型包括金属氧化物、硅化物、盐类、有机物或金属中的至少一种。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二阻滞层的材料与所述场钝化层的材料为同一材料类型中的不同材料，或者，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张昕宇，杨楠楠，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：