电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池，所述背面结构包括依次设置在硅片背面的第一隧穿氧化层、第一n+多晶硅掺杂层、第二隧穿氧化层、第二n+多晶硅掺杂层、背面钝化减反膜及背面金属电极；所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度，所述第二n+多晶硅掺杂层的厚度大于所述第一n+多晶硅掺杂层的厚度；所述硅片为N型硅，所述电池为双面绒面结构。本实用新型专利技术的电池背面结构，通过在电池背面引入两层隧穿氧化层和两层n+多晶硅掺杂层，有效减少磷扩散过程中磷原子内扩散，改善背面的界面钝化效果；并提高多晶硅内部的磷浓度，增强场钝化效果，提高电池效率；双面绒面的电池结构，既可改善电池接触，还可提高电池双面率。可提高电池双面率。可提高电池双面率。

Battery back structure and double-sided TOPCON solar cells

【技术实现步骤摘要】
电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池


[0001]本技术属于光伏组件
，具体涉及一种电池背面结构及包括该背面结构的双面TOPCon太阳能电池。

技术介绍

[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivation Contact的缩写，隧穿氧化层钝化接触)电池作为一种新型的高效太阳能晶硅电池，具有极限效率高、与现有PERC(Passivated Emitter and Rear Cell的缩写，发射极和背面钝化电池)产线兼容度高、无光衰、温度系数低等优势，备受国内外研究所与生产企业的关注。常规的TOPCon电池无法兼容场钝化与界面钝化效果，背面较高的复合会制约电池效率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷和达到上述目的，本技术的目的是提供一种改进的双面TOPCon太阳能电池的背面结构，能够有效改善电池背面的界面钝化效果的同时，改善电池的场钝化，从而提高电池的效率。
[0004]为了达到上述目的，本技术采用以下的技术方案：
[0005]一方面，本技术提供了一种电池背面结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池背面结构，其特征在于，包括依次设置在硅片背面的第一隧穿氧化层、第一n+多晶硅掺杂层、第二隧穿氧化层、第二n+多晶硅掺杂层、背面钝化减反膜及背面金属电极；所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度，所述第二n+多晶硅掺杂层的厚度大于所述第一n+多晶硅掺杂层的厚度；所述硅片为N型硅，所述电池为双面绒面结构。2.根据权利要求1所述的背面结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为1
‑
2nm，所述第二隧穿氧化层的厚度为1
‑
4nm。3.根据权利要求1所述的背面结构，其特征在于，所述第一n+多晶硅掺杂层的厚度为20
‑
100nm，所述第二n+多晶硅掺杂层的厚度为50
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150nm。4.根据权利要求2所述的背面结构，其特征在于，所述第二隧穿氧化层的厚度为2
‑
3nm。5.根据权利要求3所述的背面结构，其特征在于，所述第一n+多晶硅掺杂层的厚度为40
‑
60nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晓佳，赵福祥，费存勇，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：新型
国别省市：