一种碳化硅光伏器件制造技术

一种碳化硅光伏器件，所述碳化硅光伏器件包括碳化硅基体和钝化层；所述碳化硅基体包括具有中间带的碳化硅光吸收材料；所述钝化层位于所述碳化硅基体的一侧表面，包括本征碳化硅。本发明专利技术提供的上述碳化硅光伏器件除电极与正面功能层外，采用全碳化硅材料，利用碳化硅材料的高导热系数，消除了背面钝化与背面热阻的矛盾，在获得较高器件效率的同时，可以获得较高的器件导热效率。较高的器件导热效率。较高的器件导热效率。

A silicon carbide photovoltaic device

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅光伏器件


[0001]本申请属于光伏
，涉及一种碳化硅光伏器件。

技术介绍

[0002]光伏技术作为最有潜力的可再生能源之一，得到越来越广泛的应用，持续提高光伏器件效率是降低光伏发电成本的重要手段之一。
[0003]目前市场上的光伏器件以晶体硅器件为主，受晶体硅材料自身特性的限制，晶体硅光伏器件的效率极限约为30％，且目前单晶硅太阳电池最高效率已经达到26.7％，剩余提升空间不大。
[0004]中间带光伏器件可以实现超越晶硅光伏器件的光电转换效率，中间带材料的理论效率极限超过60％，长远来看具备更大的发展和应用前景。
[0005]中间带材料通常是量子点、超晶格等点状或层状材料，但是此类材料存在内部缺陷密度大、制备困难等缺点，且材料复杂程度较高，体区复合高，光生电流输出困难。

技术实现思路

[0006]碳化硅中间带材料作为体相中间带材料，材料结构稳定，中间带结构稳定，体区缺陷密度低，有利于光生载流子的传输，可以获得较高的光电转换效率。
[0007]中间带光伏器件在聚光条件下工作有利于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅光伏器件，其特征在于，所述碳化硅光伏器件包括碳化硅基体和钝化层；所述碳化硅基体包括具有中间带的碳化硅光吸收材料；所述钝化层位于所述碳化硅基体的一侧表面，包括本征碳化硅。2.根据权利要求1所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述钝化层由本征晶体碳化硅构成。3.根据权利要求2所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述晶体碳化硅可以为多晶、微晶或单晶。4.根据权利要求2所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述钝化层的厚度大于或等于2nm。5.根据权利要求2
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4任一项所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述本征碳化硅具有晶体结构，所述晶体结构包括立方结构或六方结构。6.根据权利要求5所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述立方结构为立方3C，所述六方结构为六方6H或4H。7.根据权利要求1所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述碳化硅光伏器件还包括正面电极和背面电极；所述背面电极为全背金属电极。8.根据权利要求7所述的碳化硅光伏器件，其特征在于，所述全背金属电极朝向...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆，徐琛，李子峰，靳金玲，解俊杰，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：