一种电介质增强的自驱动光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种适用于增强任何结型器件光电探测性能的自驱动光电探测器及其制备方法，自驱动光电探测器包括四层薄膜构成，自下而上依次为底电极层、电介质层、结型材料层和顶电极层；电介质层提供的静电场对各类结型器件的光生伏特效应进行增益，从而实现高性能的自驱动探测；底电极层、电介质层、结型材料层和顶电极层通过磁控溅射法、溶胶凝胶法、旋涂乳液法、蒸镀法等叠加制作。本发明专利技术提供了一种新型的自驱动光电探测器，利用电介质提供静电场对各类结型器件进行增益，从而实现高效的自驱动光电探测，具有可适用于任何结型器件，结构简单，易制作，环境友好，且能大幅提升传统探测器性能等特点。传统探测器性能等特点。传统探测器性能等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种电介质增强的自驱动光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于自驱动半导体光电探测器件
，尤其涉及一种电介质增强的自驱动光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器已经广泛应用于军事国防及民用生活领域，包括预警遥控、空间天文望远、通信、环境监测、化学/生物传感和光电子存储领域。传统的光电探测器基于光电效应原理，主要有紫外光电管，金属半导体肖特基结，PN结器件等。近年来，为了适应节能环保和复杂环境下运用趋势，发展自供电的光电探测器成为人们研究的主流方向。如今许多基于传统探测原理的自驱动光电探测器被提出，通过制作肖特基结、PN结、异质结等的结型器件，以及钙钛矿材料的自驱动光电探测器等。专利名称为一种自驱动光电探测器及其制备方法，授权公告号为CN 108767116 B的中国专利公开了利用了ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3形成的有机无机杂化异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层，实现了对光的探测，然而依然需要外接偏压来提升其性能，同时含铅类钙钛矿也有环境不友好，对人体有害等缺点。专利名称为二硒化钨和金属垂直型肖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质增强的自驱动光电探测器，其特征在于，所述的自驱动光电探测器包括四层薄膜构成，自下而上依次为底电极层、电介质层、结型材料层和顶电极层或自下而上依次为底电极层、结型材料层、电介质层和顶电极层；所述的电介质层提供的静电场对各类结型器件的光生伏特效应进行增益，从而实现高性能的自驱动探测。2.根据权利要求1所述的一种电介质增强的自驱动光电探测器，其特征在于，所述的底电极层和顶电极层为金属电极材料或透明电极材料。3.根据权利要求2所述的一种电介质增强的自驱动光电探测器，其特征在于，结型材料层与底电极层或顶电极层形成半导体结型层；所述的结型材料层为光敏半导体材料、二维金属材料或钙钛矿材料。4.根据权利要求3所述的一种电介质增强的自驱动光电探测器，其特征在于，所述的电介质层为极性高分子聚合物材料。5.一种用于制备上述电介质增强的自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用ITO玻璃作为衬底，采用磁控溅射的方式，以TiO2为靶材使用射频靶在ITO面上生长一层的TiO2；(2)将步骤(1)溅射得到的TiO2取出，在空气条件下放置于退火炉中退火，得到TiO2薄膜；(3)将步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：万玲玉，袁鼎承，林显琦，张海明，蒋将，李旺桃，丁家军，
申请(专利权)人：广西大学，
类型：发明
国别省市：