一种高温高压气体容器的轴的动态密封装置，包括密封体、容器、轴，在密封体内径开一桶状槽，在轴和容器壁之间的桶状槽内放置Ｏ形圈和垫片。本实用新型装置应用于ＬＥＣ单晶炉籽晶杆、坩埚杆的转动和升降密封，避免高温、高压气体泄漏，利于晶体生长，保护...

本发明涉及新材料技术领域，特别是利用闭管式化学气相传输法生长氧化锌（ＺｎＯ）体单晶的过程中，生长出可控掺杂的氧化锌体单晶的方法。闭管化学气相传输法生长ＺｎＯ单晶方法是在封闭的石英管内，一端放置高纯ＺｎＯ粉作为源及少量的高纯碳作为传输剂，...

本发明涉及新材料技术领域，特别是一种在高温升华法生长ＡｌＮ体单晶的过程中，精确动态地控制高温炉内压力的方法。本方法的具体步骤为：在升温过程中，使压力电子控制器和微压压力变送器处于关闭状态，打开质量流量计并设定一定的流量。通过调整出气端的...

一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中包括：一进气蓬头，该进气蓬头为桶形，该进气蓬头内分成多个区，每一个区都是原料气的进气喷口；一基座，该基座为柱状体，该基座的上面制作有多个圆形凹槽，该圆形凹槽用以放置衬底，该基...

本实用新型属于以强氧化剂和强还原剂为源生成氧化膜的外延设备。反应罩的上部有两个进气口，两个进气口分别连通气体源气路和液体源气路，在位于石英反应罩内的转台与两个进气口之间设有一块防止从气体源成液体源主路中进入的两路源气在反应室空间相遇的隔...

本实用新型是一种竖直式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室竖直设置，两端由水冷法兰盘封闭；法兰盘上端有退火室的进样门，进样门中心有一个小孔，是退火时保护气体的入口，进样门与法兰盘之间用密封圈密封连接；法兰盘下端中心设有一竖直...

本发明一种水平式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室水平设置，两端由水冷法兰盘封闭；水冷法兰盘一端上设有退火室的进样门，进样门中心有一个小孔，是退火时保护气体的入口，进样门与法兰盘之间用型密封圈密封连接；水冷法兰盘另一端中心...

一种下开平动式直拉单晶炉，包括一炉桶、一炉底，其特征在于，一炉体支架，在该炉体支架的上面固接有一炉桶，一炉底用法兰盘与炉桶的下部连接，一液压系统与炉底连接，该液压系统通过一滚轮坐于炉体支架下面的平动滑道上；本实用新型与现有技术相比可减少...

一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；...

本实用新型一种单晶炉的多管式结构，包括：一炉子内壁，为圆筒状，上下两端为贯通；一反应杯托架，为圆柱形，该反应杯托架的纵向开有多个概呈梯形的圆孔，该梯形的圆孔的底端为封闭状；一反应杯，为薄的透明体，其形状与反应杯托架上的梯形的圆孔相同并容...

本发明公开了一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，它在生长晶体的一般坩埚上设置一个底部有孔口的上坩埚，并有一个托盘连接直柄穿过孔口提托上坩埚，先使固体物料在上坩埚中熔融，再让熔体从孔口漏入下坩埚，然后提托上坩埚去除浮渣。这种方...

一种高温碳化硅半导体材料制造装置，包括前级进样室、样品传递装置、样品生长装置、插板阀和抽气设备；其中样品传递装置、前级进样室、插板阀和样品生长装置通过标准ＣＦ或标准ＶＣＲ依序连接密封在一直线上；前级进样室和样品生长装置的下方连接有一抽气...

本发明一种化学原料新型配送系统，包括，原料瓶、压强控制器、流量控制器，其中：该原料瓶的入口通过管道与压强控制器的一端连结，且该管道伸入到原料瓶的底部；该压强控制器的另一端通过管道与载气加入端相连接；该原料瓶的出口通过管道与多个流量控制器...

一种磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法，包括如下步骤：步骤１：以锑化镓单晶片为衬底；步骤２：用石墨或石英制成生长容器；步骤３：将纯镓、纯锰按比例放在石英容器中，在真空高温环境中合成镓锰合金；步骤４：将纯镓、镓锰合金和锑化镓晶体按比例放入...

一种制备稀磁半导体Ｇａ↓［１－ｘ］Ｍｎ↓［ｘ］Ｓｂ单晶的方法，其特征在于，步骤如下：以半导体材料ＧａＳｂ为衬底；以高能Ｍｎ离子注入到该衬底上形成磁性半导体Ｇａ↓［１－ｘ］Ｍｎ↓［ｘ］Ｓｂ单晶。本发明的优点是外延层化学稳定性高，设备简单，...

本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固（ＶＧＦ）法或垂直布里奇曼（ＶＢ）法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼（ＰＢＮ）坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套ＰＢＮ坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：...

一种ＩｎＰ单晶锭退火处理方法，包括如下步骤：步骤１：将生长出的ＩｎＰ单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤２：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤３：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，烘干待用；步骤４...

本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤１：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤２：裂解区降温并将红磷区升温；步骤３：关闭裂解阀阀门进行转...

本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ＺｎＯ单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ＺｎＯ粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ＺｎＯ体单晶，在生长过...

本发明公开了一种在砷化镓（ＧａＡｓ）衬底上外延生长锑化镓（ＧａＳｂ）的方法，该方法采用双缓冲层生长工艺，具体包括：Ａ．在５８０℃条件下在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＡｓ缓冲层；Ｂ．在５５０℃条件下在生长的ＧａＡｓ缓冲层上生长锑化铝（ＡｌＳｂ）...