浙江康鹏半导体有限公司专利技术

浙江康鹏半导体有限公司共有25项专利

  • 本技术提供一种磷化铟晶体合成的异形石英管,包括密封连接的第一石英管和第二石英管,其中第一石英管包括由第一隔热部区分的晶体部和红磷部,石英舟置于晶体部内且石英帽密封晶体部远离第一隔热部的开口位置;第二石英管包括由第二隔热部区分的连接部和膜...
  • 本技术提供一种利于磷化铟单晶结晶潜热释放的炉芯组,包括炉膛管;支撑管,支撑管置于炉膛管内且同炉膛管之间填充氧化铝粉;石英管,石英管置于支撑管内且同支撑管之间填充保温棉,石英管的外周侧装设有测温组件;石英棒,石英棒装设在石英管内且石英棒的...
  • 本发明公开一种磷化铟半导体材料的合成工艺,属于半导体材料制备技术领域,将高纯铟与高纯磷分别置于封闭的石英管内的两端,升温使磷蒸汽与铟金属熔体反应生成磷化铟,盛铟石英舟表面形成有磷化‑氧化的铟复合薄膜,在石英管内的铟金属区和红磷区间设置石...
  • 本申请公开了一种砷化镓多晶合成装置及方法,其通过在控制计算机中引入智能化算法和计算机视觉技术,通过对采集到的石英焊线图像进行局部区域的焊线形态特征的提取和捕捉,并将各个局部区域的焊线形态特征进行全局一致性表达来综合表征石英管的开口密封状...
  • 本发明提供一种砷化镓生长装置,包括炉体、设于炉体底部的加热区、盖设于炉体开口处的盖体,所述炉体边侧布设有回流腔,回流腔连通至热能储存区,且回流腔与炉体内部通过若干气孔连通,以使炉体内部的热气可依次沿气孔、回流腔流入至热能储存区中进行存储...
  • 本申请提出了一种砷化镓单晶生长状态检测方法及装置,包括以下步骤:设置第一数量的光纤探头布设在反应坩埚内,使用光纤探头来获取拉曼光谱图像,使用优化算法对光纤探头的布设位置进行优化;将所述拉曼光谱图像输入到训练好的判断‑分析模型中,所述判断...
  • 本发明公开了一种砷化镓单晶生长装置及制备方法,包括炉体和用于容纳原料的原料容纳装置,炉体设置在升降驱动装置上,炉体内设有加热腔,加热腔的下端敞口,炉体的内壁上设有加热部件,加热腔中设有若干个沿竖直方向排列的冷却介质环,冷却介质环内设有冷...
  • 本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法,包括:获取温度信号曲线及生长速率的拟合曲线;获得温度信号中噪声强度的基本估测值;获得生长末期阶段温度信号中每条分量信号的温度变化周期性;得到每条分量信号中...
  • 本发明涉及图像处理技术领域,具体涉及一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法,该方法包括:采集砷化镓衬底晶片图像和外延层图像;根据砷化镓衬底晶片图像获得边缘线、非直线边缘线和邻域非直线边缘密度;根据邻域非直线边缘密度获得缺陷区域;根据外延层图...
  • 本技术公开了一种用于砷化镓晶片的无蜡垫裁剪装置,包括裁剪机机身,所述裁剪机机身的下端外表面固定连接有支撑柱,所述裁剪机机身的一侧外表面固定连接有移动电机,在使用本装置时,可以通过设置的夹紧组件,避免了砷化镓晶片在裁剪机机身上由于台面不平...
  • 本方案提供了一种基于双层坩埚的磷化铟单晶的生长方法,包括步骤:1)将单晶生长物料装入双层坩埚内后放入石英管内,密封石英管;2)将装有物料的石英管装入单晶炉以设定程序进行升温直到磷化铟多晶料全部熔化得到熔体,融化的氧化硼流入内坩埚的底部以...
  • 本发明提供一种磷化铟晶体的生长工艺,包括以下步骤:利用异形石英管合成磷化铟晶体,在单晶炉内预装生长原材料,对单晶炉排气处理,升华红磷,磷化铟晶体融化,晶体生长以及晶体冷却的过程,通过异形石英管完成磷化铟多晶的合成,再配合温度压力的控制实...
  • 本技术公开了一种砷化镓晶体生长用的加热机构,具体晶体生长加热领域,包括主炉体,主炉体的外壁固定安装有固定轴,固定轴的外壁嵌套安装有转动杆,转动杆的底部嵌入安装有底磁块,转动杆的顶部嵌入安装有顶磁块,转动杆的内壁贴合安装有联结板,联结板的...
  • 本发明公开了一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺,包括以下步骤:第一步,制备高纯度砷化镓多晶;第二步,半绝缘砷化镓单晶的生长:将第一步制备的高纯砷化镓多晶,按照一定的配料工艺装入热解氮化硼坩埚中,再采用垂直梯度凝固法,由计算机精确...
  • 本发明公开了砷化镓加长晶体生长热场及工艺技术,包括石墨支座,所述石墨支座的内部炉腔设有多个依次竖直拼接的独立分段炉膛,所述石墨支座上放置有呈圆柱型设置的热解氮化硼坩埚,所述解氮化硼坩埚的顶端设有封堵塞,所述热解氮化硼坩埚内设有多个入料槽...
  • 本发明公开了一种砷化镓衬底的表面处理方法,包括以下步骤:第一步,采用磨边装置将砷化镓衬底的边缘进行边缘倒边:首先将砷化镓衬底吸附在第三真空吸盘中,然后启动第三电机,第三电机通过连接杆和第三真空吸盘带动砷化镓衬底转动,最后将砷化镓衬底的边...
  • 本发明涉及砷化镓晶体超细金刚石线切割工艺,包括如下:准备;绕线;加张力;将晶棒上锯;输入加工数据;走线;复查;开机;下机,所述准备的过程中需要按照晶棒的加工要求更换合适型号的ROLLER滚筒、V轮、切割线等耗材,所述加张力是对金刚线母线...
  • 本实用新型涉及砷化镓晶体加工技术领域,且公开了一种夹持效果好的砷化镓晶体切割用定位装置,包括安装箱,所述安装箱的顶部设置有安装架组件。该夹持效果好的砷化镓晶体切割用定位装置,通过设置驱动机构,启动伺服电机带动第一螺纹杆转动,皮带轮与传动...
  • 本实用新型涉及砷化镓加工技术领域,且公开了一种用于砷化镓抛光片的取放工装,包括数量为两个的连接臂,上下两个所述连接臂通过连接轴活动连接,所述连接臂的右侧固定安装有把手,所述连接臂的左侧套接有固定框。该用于砷化镓抛光片的取放工装,通过设置...
  • 本实用新型涉及砷化镓晶片加工技术领域,且公开了一种砷化镓晶体生长用石英坩埚,包括底座,所述底座内壁底部固定安装有数量为两个且呈左右对称分布的电动滑轨,两个所述电动滑轨顶部均活动连接有半圆板。该砷化镓晶体生长用石英坩埚,通过开启电动滑轨带...