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昭荣化学工业株式会社专利技术
昭荣化学工业株式会社共有120项专利
基于纳米结构的显示器件制造技术
本发明公开了一种显示器件,其包括具有光源的背光单元和液晶显示(LCD)模块。光源配置为发射在第一波长区域中的初级光。LCD模块包括具有第一、第二和第三子像素的像素。第一子像素包括第一发射表面,其配置为发射在第二波长区域中的第一光。第二子...
具有发光纳米结构体的结构体制造技术
组合物包括:载体基质;分布在所述载体基质内的多个光致发光纳米结构体;受阻胺稳定剂;以及(i)烷基烷氧基硅烷和配位聚合物或者(ii)硅烷化的配位聚合物中的至少一种。
基于纳米结构的显示器件制造技术
本发明描述了显示器件的实施方案。显示器件包括具有光源的背光单元和液晶显示(LCD)模块。LCD模块包括磷光体膜和滤光片元件。磷光体膜配置为从光源接收具有第一峰值波长的初级光并转换一部分初级光以发射具有第二峰值波长的次级光。第二峰值波长不...
在基于纳米结构的显示器件中使用多个激发波长制造技术
本发明描述了显示器件的实施方案。所述显示器件包括具有第一量子点(QD)膜和第一滤光片元件的第一子像素。QD膜接收UV光和蓝光二者并转换一部分所接收的光以发射不同于UV和蓝光的次级光。滤光片元件设置在量子点膜上并允许次级光穿过滤光片元件,...
导电性糊剂和电子部件的制造方法技术
一种含有以铜为主成分的导电性粉末、玻璃粉、粘合剂树脂和有机溶剂的导电性糊剂,其中,所述以铜为主成分的导电性粉末在激光衍射式粒度分布测定中的体积基准的累积50%粒径D50C为0.3μm以上且4.5μm以下,并且平均长径X相对于平均短径Y之...
在高温下合成核壳纳米晶体的方法技术
本发明属于纳米结构合成领域。本发明涉及制备纳米结构,特别是III‑V族和II‑VI族半导体纳米结构,例如InP/ZnSe或In/ZnSe/ZnS核/壳纳米颗粒的方法。本发明还涉及合成纳米结构的高温方法,包括同时注入核和壳前体。
纳米粒子复合体制造技术
本发明的实施方式的纳米粒子复合体具备纳米粒子(11);配体(12),其与所述纳米粒子进行了结合和功能性粒子(13),其通过所述配体与纳米粒子结合,所述纳米粒子复合体具有由所述功能性粒子包围所述纳米粒子的周围而成的结构。本发明的另一种实施...
红外线吸收量子点和红外线吸收量子点的制造方法技术
本发明的实施方式的红外线吸收量子点为包含银(Ag)和碲(Te)的红外线吸收量子点,所述红外线吸收量子点包含1400nm~1800nm的范围的吸光度峰,所述吸光度峰的峰与谷之比(峰/谷)为1.0以上。
纳米粒子群、可印刷的组合物和纳米粒子的制造方法技术
本发明的实施方式的纳米粒子群的一个实例中,纳米粒子群的各纳米粒子包含:金属芯;和金属氧化物涂层,其包覆所述金属芯的表面的至少一部分,所述各纳米粒子的平均直径在2nm~200nm的范围内,所述金属氧化物涂层包含选自Ba、Ti、Zr、Hf、...
基于微LED的显示器件及其制造方法技术
描述了显示器件的实施方式。显示器件包括基板(204)和子像素(R1,R2),该子像素被配置为发射具有拥有第一峰值波长和第二峰值波长的发射光谱的显示光。子像素包括设置在基板上的微LED(218)和设置在微LED上的基于NS的CC层(220...
包含纳米结构体的二氧化硅复合微粒制造技术
本发明涉及纳米结构体的领域。本文中提供了包含纳米结构体和二氧化硅的微粒。本文中还提供了制备所述微粒的方法,包含所述微粒的膜,以及包含所述微粒的器件。本文中还提供了不包含阻隔层的显示器背光单元(BLU)。
聚合物型导电性糊剂、导电膜和固体电解电容器元件制造技术
本发明提供一种聚合物型导电性糊剂,其即使在高湿环境下也能够得到可靠性较高的导电体层。本发明的实施方式的聚合物型导电性糊剂包含导电性金属粉末、粘合剂树脂、有机溶剂和特定添加剂,所述粘合剂树脂为聚乙烯醇缩丁醛树脂,所述特定添加剂为选自硬脂酸...
包含量子点颜色转换材料的发光器件及其制造方法技术
一种形成发光器件的方法包括:提供含有包括第一通孔和第二通孔的基质材料的独立式支承件,在第一通孔中沉积包括悬浮在第一光固化性聚合物中的第一量子点的第一光固化性量子点墨,用来自LED阵列的第一LED的紫外辐射或蓝光照射第一光固化性量子点墨以...
半导体纳米粒子复合体、其分散液、其组合物、其固化膜和其纯化方法技术
本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体,其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体,其中,所述半导体纳米粒子包含In和P,所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯,所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下,通式(1):HS...
UV固化性量子点配制物制造技术
提供了包含纳米结构体和一种或多种经UV固化的单体的图案化的膜,其中所述纳米结构体膜包含约60重量%至约95重量%的纳米结构体。还提供了制备所述图案化的膜的方法,以及包含所述图案化的膜的电致发光装置。
发光二极管以及其通过从沟槽分隔的区域选择性地生长活性层来制造的方法技术
一种形成发光二极管的方法,包括在基底上形成第一导电类型化合物半导体层,蚀刻第一导电类型的化合物半导体层以形成第一柱状结构体和第二柱状结构体,而不暴露第一与第二柱状结构体之间的基底,在第一和第二柱状结构体上选择性地生长半导体活性层,以及在...
半导体纳米粒子复合体组合物、稀释组合物、固化膜、图案化膜、显示元件和分散液制造技术
本发明提供以高浓度分散有半导体纳米粒子复合体,并且具有较高的荧光量子效率的半导体纳米粒子复合体组合物。本发明的实施方式的半导体纳米粒子复合体组合物是将半导体纳米粒子复合体分散在分散介质中而得到的半导体纳米粒子复合体组合物,其中,所述半导...
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件制造技术
本发明涉及一种半导体纳米粒子,其是具有含有In及P的芯、和一层以上壳的芯/壳型半导体纳米粒子,上述半导体纳米粒子至少进一步含有Zn、Se及卤素,在上述半导体纳米粒子中,通过原子换算,P、Zn、Se及卤素相对于In的各摩尔比为P:0.20...
半导体纳米粒子复合体及其分散液、组合物和固化膜制造技术
本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体,其为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体,其中,所述配体是包含有机基团和配位性基团的有机配体,所述配体I是下述通式(1)表示的巯基羧酸,所述配体I在所...
包括量子点颜色转换材料的发光器件及其制备方法技术
发光器件包括由腔壁界定的第一光腔;第一发光二极管,所述第一发光二极管位于所述第一光腔中,并且被配置为发射蓝色或紫外线辐射第一入射光子;第一颜色转换材料,所述第一颜色转换材料位于所述第一发光二极管的上方,并且被配置为吸收由所述发光二极管发...
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