【技术实现步骤摘要】
[]本专利技术涉及半导体纳米粒子复合体。
技术介绍
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技术介绍
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1、表现量子限制效果的程度的微小半导体纳米粒子(量子点，qd)，具有取决于粒径的带隙。通过光激发、电荷注入等手段形成在半导体纳米粒子内的激子，通过再结合而放出与带隙对应的能量的光子，因此，通过适当选择半导体纳米粒子的组成及其粒径，能够得到期望的波长处的发光。
2、半导体纳米粒子，在研究初期以包含cd、pb的元素为中心进行了探讨，但是，cd、pb为特定有害物质使用限制等的管制对象物质，因此近年开始了非cd类、非pb类的半导体纳米粒子的研究。
3、半导体纳米粒子，尝试了显示器用途、生体标识用途、太阳电池用途等各种用途中的应用。作为显示器用途，期待着在qd膜、qd图案、自发光型设备(qled)等中的应用。
4、[现有技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]美国专利申请公开第2008/0308130号说明书
7、[专利文献2]日本特开2002-121549号公报
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【技术保护点】
1.一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
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【技术特征摘要】
1.一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，
11.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：城户信人，森山乔史，佐佐木洋和，
申请(专利权)人：昭荣化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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