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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
电池用电极的制造方法技术
本发明的课题在于提供一种能够赋予放电特性优异的电池的、电阻小的电池用电极的制造方法。其解决方法是通过以下方法来得到电池用电极,所述方法包括:对活性物质(A)、纤维直径50nm以上且300nm以下的碳纤维(B)、纤维直径5nm以上且40n...
发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种保护膜及在其上方形成的电极膜以均匀膜厚形成、并且光取出效率高的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管,在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部,倾斜侧面采用湿式蚀刻形成,保护膜具有配置在俯视为周缘区域的内侧且...
锂二次电池用负极活性物质及其制造方法技术
本发明提供一种能够实现锂二次电池的循环寿命的长寿命化的锂二次电池用负极活性物质。锂二次电池用负极活性物质由通过将厚度0.15mm以下的铝箔切断而形成的颗粒的集合体即粉末形成。各颗粒为能够通过筛孔尺寸0.1mm的筛网(基于JIS Z880...
发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜及电极膜的发光二极管。这种发光二极管具备平坦部和台面型结构部,倾斜侧面采用湿式蚀刻形成,并且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成,保护膜覆盖平坦部、台面型结构部的倾斜侧面、和台面型结构部的顶面的周...
不饱和聚酯树脂组合物及密封电机制造技术
本发明涉及一种不饱和聚酯树脂组合物,其中含有(a)不饱和聚酯、(b)具有一个聚合性碳-碳双键的单体、(c)具有二个以上(甲基)丙烯酸酯基的单体、(d)高热导率填料、(e)玻璃纤维、(f)低收缩剂、(g)固化剂及(h)阻聚剂,其特征在于,...
透明双面粘合片的制造方法、透明双面粘合片技术
本发明提供由于温度变化所导致的贮存弹性模量的变化小、进而残留单体少的透明双面粘合片的制造方法。该透明双面粘合片的制造方法为将光固化性树脂组合物固化而得到的透明双面粘合片的制造方法,其包括下述工序:(1)在透光性薄膜(Y)上涂布光固化性树...
有机发光元件的制造方法技术
本发明的目的是提供能够从阴极高效地向有机化合物层进行电子注入,制造有机发光元件时的对有机化合物层的损害被降低了的发光效率优异的有机发光元件的制造方法。本发明的有机发光元件的制造方法,所述有机发光元件是第1基板、阳极、包含发光层的有机化合...
电容元件制造用夹具和电容元件的制造方法技术
提供一种电容元件制造用夹具,其能够高精度地对处理液中的阳极体的浸渍位置进行控制,在电容元件的制造过程中需要热处理的情况下能够无障碍地进行热处理。具备第1基板11和沿着第1基板的下表面的平面部呈平行状配置的第2基板12以及安装于第2基板的...
钨电容器的阳极及其制造方法技术
本发明的特征是由平均细孔直径为0.3μm以下的钨烧结体构成的电容器的阳极,和使钨粉成形为密度(Dg)8g/cm3以上的成形体,并将上述成形体烧结成上述密度(Dg)的1.15倍以上的密度(Ds),从而得到平均细孔直径为0.3μm以下的钨烧...
复合电极材料制造技术
本发明的课题在于提供一种具有高能量密度、且能够兼顾高初始容量和高容量维持率的复合电极材料。其解决方法是:对包含能够吸储、释放锂离子的元素的颗粒(A)、能够吸储、释放锂离子的碳颗粒(B)、多层碳纳米管(C)、碳纳米纤维(D)以及根据需要的...
钨细粉的制造方法技术
本发明提供一种钨粉的细粉化方法,通过在含有氧化剂的水溶液中分散钨粉来使钨粉的粒子表面形成氧化膜,并将所述氧化膜利用碱水溶液除去;提供一种钨细粉的制造方法,通过包括所述细粉化方法的工序得到平均粒径为0.05~0.5μm的钨粉;以及提供一种...
钨细粉的制造方法技术
本发明涉及一种钨粉的细粉化方法,对钨粉在无机酸水溶液中一边搅拌一边电解氧化,并将在钨粉的表面生成的氧化膜利用碱水溶液除去;一种通过包括所述细粉化方法的工序得到钨细粉的钨粉的制造方法;以及一种钨粉,其平均粒径为0.04~0.4μm,并且平...
有机发光元件和有机发光元件的制造方法技术
有机发光元件(10),其特征在于,包含:基板(110);多个第1导电层(120),其在基板(110)上隔开间隙而形成,相互电隔离;第2导电层(130),其形成在第1导电层(120)上和基板(110)的设置了间隙的部分上,由相互隔离的多个...
导电图案形成方法以及通过光照射或微波加热来形成导电图案的导电图案形成用组合物技术
本发明提供能够提高导电图案的导电率的导电图案形成方法、和能够通过光照射或微波加热形成导电图案的导电图案形成用组合物。调制含有在表面的全部或局部上形成了氧化铜的薄膜的铜粒子和氧化铜粒子和多元醇、和羧酸或聚烷撑二醇的还原剂、和粘合剂树脂的导...
磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再现装置制造方法及图纸
本发明提供磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及磁记录再现装置,该制造方法至少具备如下工序:形成取向控制层(3)的工序,在非磁性基板(1)上形成控制正上方的层的取向性的取向控制层(3);和形成垂直磁性层(4)的工序,形成易磁化轴相对于非磁...
导电图案形成方法技术
本发明提供了能够改进导电图案的导电性的导电图案形成方法。通过在基底10的表面上印刷含有金属氧化物粒子和还原剂和/或金属粒子的组合物(印糊),形成印糊层12,通过光照射或微波辐射而加热印糊层12,以在被加热的部分上表现出导电性并将印糊层1...
磁记录介质的制造方法及装置制造方法及图纸
一种磁记录介质的制造方法,在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层,其特征在于:将由成膜装置形成了保护层后的被积层体不与大气接触地封入移送容器单元内;将移送容器单元搬送至汽相润滑成膜装置;及将被封入了移送容器单元内的被积层体不与大...
发光装置和发光装置的制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种发光装置(10),具备基板(11);形成在基板(11)上的第1电极层(阳极层)(12);在第1电极层(12)上直接或隔着其他层形成的电介质层(13);在电介质层(13)上直接或隔着其他层形成的第2电极层(阴极层)(14);...
R-T-B 系稀土族烧结磁铁、R-T-B 系稀土族烧结磁铁用合金及其制造方法技术
本发明的R-T-B族稀土族烧结磁铁,包含稀土族元素R、以Fe为必需的过渡金属T、作为Al和/或Ga的金属元素M、B、以及Cu和不可避免的杂质,含有13.4~17原子%的R,含有4.5~5.5原子%的B,含有0.1~2.0原子%的M,其余...
高纯度氨及其制造方法以及高纯度氨制造装置制造方法及图纸
本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外,提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化...
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