本发明公开一种银氧化物/Ag复合电接触材料，属于银基电工技术领域。本发明通过熔炼、快速凝固、热挤压、轧制、拉拔、热处理、内氧化和银管包套处理得到银氧化物/Ag复合电接触材料，复合电接触材料包括如下重量百分含量的成分：银氧化物和0.5％‑...

本发明公开了一种铱配合物、制备方法及深红光磷光电致发光器件，该铱配合物是以1‑苯基异喹啉为环金属配体、以2‑甲基‑3‑羟基‑4‑吡喃酮为辅助配体的配合物，其中的吡喃酮与金属铱中心形成五元环结构，构筑了单核环金属铱配合物电致发光材料。利用...

本发明涉及镀膜沉积源前驱体技术领域，提供了一种1,5‑环辛二烯(乙酰丙酮)铱(I)的制备方法。本发明使用三氯化铱、乙酰丙酮和碳酸氢钠混合进行第一配位反应，得到中间体Na[Ir(acac)<subgt;2</subgt;Cl&...

本发明公开一种钛基电极及其制备方法，属于电极材料技术领域。所述钛基电极制备方法包括：采用电弧熔炼方法得到钛钽铱铂合金；将钛钽铱铂合金通过塑性加工为丝材或片材，进行真空热处理和表面处理，然后重复浸渍或涂刷混合溶液、烘干、煅烧的步骤5‑10...

本发明提供了一种低氧含量氮化硅粉末及其铝热还原方法和应用，属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的低氧含量氮化硅粉末的铝热还原方法，包括以下步骤：将氮化硅粉末和铝粉进行球磨混合，得到混合粉末；将混合粉末进行铝热还原，然后和酸性溶液混合，得到...

本发明涉及微波介质材料技术领域，提供了一种五氧化二铌掺杂锌硼硅系微晶玻璃及其制备方法。本发明通过设计低硼的锌硼硅微晶玻璃配方，减少氧化硼熔融挥发和硼酸锌的形成；通过引入五氧化二铌，利用Nb<supgt;5+</supgt;的...

本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的...

本发明公开了一种碗形靶材的机加工辅助工装及加工方法，该工装包括碗形弹性组件、内撑件及紧固螺栓；碗形弹性组件外侧面呈一定锥度，其大直径端中心区域下凹，内侧壁与外侧锥度相同，沿着其外边缘均分有数条沟槽；内撑件呈锥台状；紧固螺栓穿过碗形弹性组...

本发明公开了一种PEM电解水Ir/MnO<subgt;2</subgt;负载型催化剂及其制备方法，属于PEM电解水制氢催化剂领域，该催化剂为Ir纳米颗粒通过阳离子交换法均匀负载于高价态Nb<supgt;+5</s...

本发明公开了一种带背板的平面溅射靶材使用寿命的预估方法，主要针对整体原始厚度较薄、分离解绑后容易产生翘曲、靶材边缘不溅射或几乎不溅射的带背板的平面溅射靶材。具体方法是通过升温的方式分离溅射靶材与背板，通过模具硅胶确定溅射靶材最深溅射轨道...

本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底...

本发明公开了一种磁控溅射用镍靶材的制备方法，该方法采用真空感应熔炼法制备高纯镍锭，随后在合适工艺条件下进行热变形加工和冷变形加工处理，再对镍靶材坯料进行真空退火处理，最后进行机械加工，得到微观结构及磁学性能均符合要求的高性能镍靶材。采用...

本发明提供了一种复合碳载体PtCoRu催化剂及其制备方法和应用，同时解决了现有催化剂工作电位活性和耐久性不佳及高电位催化剂碳载体耐腐蚀性差的问题。制备方法包括：(1)将碳载体加入去离子水与醇混合液中搅拌成碳浆，向碳浆中加入铈、钨前驱体溶...

本发明涉及一种钛基多金属氧化物涂层电极的制备方法，属于钛电极制造技术领域，本发明包括以下步骤：(1)将钛基丝材在真空中进行退火处理，之后将钛基丝材冷却并去除其表面的二氧化钛层，然后对钛基丝材进行清洗并放入无水乙醇中备用；(2)配制含有T...

本发明公开了一种制备Fac‑Ir(C^N)<subgt;3</subgt;型光氧化还原催化剂的方法，涉及均相催化剂、光化学反应用光氧化还原催化剂领域，该方法以三核氧桥醋酸铱配合物和环金属配体(C^N)为原料，以三乙二醇为溶剂...

本发明提供了一种二氯双(4‑甲基异丙基苯基)钌(II)的制备方法，属于铂族金属均相催化剂制备技术领域。本发明使用醛代替传统的醇类溶剂，一方面，能够降低α‑水芹烯的用量，从而降低成本；另一方面，醛类物质能够缩短反应时间，提高产品的产率和纯...

本发明公开一种离子型铱(III)配合物光氧化还原催化剂的制备方法，涉及均相催化剂、光化学反应用光氧化还原催化剂领域，具体是在惰性气体保护下，以铱(III)氯桥二聚体、N^N有机配体和六氟磷酸钾为原料，以乙二醇和水为混合溶剂，在2atm下...

本发明涉及一种铂钯精矿与含贵金属渣协同造锍熔炼富集贵金属的方法，属于贵金属资源回收技术领域。本发明基于三元相图CaO‑Al2O3‑SiO2设置熔炼渣相中CaO、SiO2和Al2O3的配比，根据铂钯精矿和含贵金属渣的组分，计算出含钙熔剂和...

本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种Ta、Al共掺杂SrTiO<subgt;3</subgt;基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明利用Ta、Al对SrTiO<subgt;3</subgt;进行共掺杂，所得T...

本发明公开一种Ag基电接触材料及其制备方法，属于金属基接触材料技术领域。本发明所述Ag基电接触材料包括如下重量百分含量的元素：Sc：1％～4.0％、La：0.01％～1.0％、Y：0.01％～1.0％，余量为Ag，依次通过配料、真空电弧...