有研新材料股份有限公司专利技术

有研新材料股份有限公司共有28项专利

  • 本发明提供一种电磁屏蔽曲面光学窗口的制备方法、曲面光源及设备,其中,曲面光源包括透明窗口、至少一组蝇眼透镜、支撑架和LED灯珠;透明窗口,为具有一定弧度的凹面窗口,当采用该曲面光源制备曲面光学窗口内的金属网栅时,透明窗口与曲面光学窗口的...
  • 本发明公开了一种低成本镁铝尖晶石粉体改性处理方法。使用烧结助剂、分散剂和粘结剂,以高纯镁铝尖晶石粉体(纯度≥99.9%)为原料,工艺路线:(1)首先将称量好的烧结助剂和镁铝尖晶石粉体依次放入装有分散剂的有机容器中,球磨8
  • 本实用新型涉及高纯材料提纯装置技术领域,具体涉及一种高纯磷脱水脱氧装置,包括:盛料组件,用于盛放待处理的原料磷;加热组件,套装在盛料组件的外壁上;控制组件,包括温度指示控制器、热电偶以及调压器,其中,热电偶与温度指示控制器电连接,并设置...
  • 本实用新型提供了一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置,该籽晶清洗用置放结构包括框架本体和多个限位凹槽,框架本体包括至少三个侧板,所述至少三个侧板均竖直设置,并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成;所述多个限位凹...
  • 本实用新型涉及半导体器件加工制造领域,具体涉及一种监测热偶固定装置,包括:套管,具有用于容纳所述监测热偶的管腔,所述套管的外壁面上标有刻度;工装卡具,包括本体,所述本体具有套管孔以及安装孔,所述套管孔用于容纳所述套管;支撑杆,所述工装卡...
  • 本发明公开了一种低氧大尺寸锗砷硒碲合金靶材及其制备方法,所述合金包括以下各组分及其原子百分比:锗15~25%;砷20~40%;硒30~50%;碲3~10%,上述各原料混合后原子百分比之和为100%;所述制备方法包括将靶材原料蒸馏提纯后按...
  • 本发明公开了一种硫系多元合金靶材及其制造方法,所述靶材包括的化学元素及其质量分数为:锗10‑30%,砷20‑40%,硒30‑50%,硅0‑10%,碲0‑10%;所述靶材的相对密度≥99.5%,氧含量低于150ppm。所述制造方法首先在真...
  • 本发明公开了一种高纯硫系相变合金靶材的焊接方法,其包括以下步骤:1)提供高纯硫系相变合金靶材与背板;2)靶材和背板焊接面进行表面处理;3)在靶材和背板焊接面上放置适量有机焊接胶;4)将靶材焊接面与背板焊接面相接触,施加一定压力,进行焊接...
  • 本发明公开了属于磁控溅射靶材制备技术领域的一种铝氮钪合金靶材的制备方法和应用。该方法以AlN粉、Sc粉为原料,经混合、压力烧结成型、机加工得到铝氮钪合金靶材,所得铝氮钪合金靶材的相对密度大于97%,能够应用于溅射沉积氮化物膜,溅射镀膜过...
  • 本发明公开了属于铝钪合金技术领域的一种铝钪合金靶坯及其制备方法和应用。本发明通过冷坩埚悬浮熔炼结合变频电磁搅拌制备的铝钪合金靶坯氧含量<100ppm,铝、钪元素的质量百分数之和>99.95%,纯度高且氧含量低,利于后期高质量成膜;铝钪合...
  • 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种掺氮的铝钪合金靶材及其制造方法。铝氮钪合金靶材化学成分为(AlxSc(1‑x))(1‑y)(AlN)y,其中以AlN形式对铝钪合金进行掺氮,掺氮的铝钪合金靶材以AlSc合金粉、AlN粉为原料...
  • 本发明提供一种用于直拉单晶炉热场的组合加热器,该加热器为由两个螺旋管状的环形发热部件组合而成的双螺旋管状结构,所述两个环形发热部件分别连接相互独立的电源。本发明用于直拉单晶炉热场,组合加热器中每个螺旋管状结构的环形加热部件的电流大小和方...
  • 区熔单晶炉中夹持针的调整控制装置
    一种区熔单晶炉中夹持针的调整控制装置,包括夹持针托杆、夹持针支架和夹持针牵引钢丝,夹持针托杆的一端位于夹持针下方,另一端连接夹持针牵引钢丝,该夹持针支架上设有导轨,该导轨内设有可移动支撑块,该可移动支撑块的上端与夹持针托杆采用轴杆连接,...
  • 一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法
    本发明提供一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法,包括以下步骤:(1)清洗硅片,去除硅片表面的颗粒和金属,然后将硅片载入氧化炉炉腔;(2)在高温、氩气和氧气的混合气氛下,使硅片表面生长氧化层,生长温度为1000~1100℃,形成氧化层的...
  • 一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法
    本发明提供一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,该方法主要包括籽晶熔接、引晶、放肩、等径、收尾步骤,在放肩过程中,通过以下步骤确定并控制该过程中加热线圈的功率:(1)根据所要生产的硅单晶的直径将...
  • 一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法
    本发明提供一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法,在直拉法生长硅单晶的过程中,使浸入硅熔体的籽晶向上提起时在结晶前沿进行周期性振荡操作,所述振荡操作包括垂直向上提拉的过程和垂直向下跌落的过程;垂直向上提拉的速度Vp大于垂直向下跌落的速度...
  • 一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置及沉积方法。该气体传输装置包括主输气管、中心传导管和副输气管,其中,该主输气管为上部直径大下部直径小的异径管,其上端封闭,下端具有进气口;该副输气管由加固棒支撑,其上端封闭,下端通过中心传导管与主输...
  • 本发明提供一种载片圈,该载片圈上设有固定装载晶片的载片孔,该载片孔的内壁为凹形弧面。所述凹形弧面的圆心位于载片圈的1/2厚度处。本发明的载片圈上的载片孔具有与晶片边缘经过倒角后的光滑的凸形弧面相匹配的凹形弧面,晶片置于载片孔中,在加工过...
  • 本发明一种外延前抛光片清洗后的快速干燥方法,向硅片清洗机的干燥槽内加入超纯水,并向超纯水中加入少量氢氟酸,形成稀的氢氟酸溶液,将待干燥的硅片完全浸入在氢氟酸溶液中4~5min,使氢氟酸溶液从干燥槽底部缓慢泄下,使得硅片逐渐露出液面,同时...
  • 本发明提供一种籽晶夹头组件,包括软轴、联接杆和籽晶夹头,所述联接杆由上端联接杆、防脱块、及下端联接杆组成,该上端联接杆的顶端设有圆台,沿该上端联接杆的中心轴向其侧面开设有一槽部,该槽部与软轴下端的结构相匹配;该防脱块套设在该圆台上,其侧...