籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，该籽晶清洗用置放结构包括框架本体和多个限位凹槽，框架本体包括至少三个侧板，所述至少三个侧板均竖直设置，并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成；所述多个限位凹槽均设置在所述侧板的顶部，用于盛放籽晶。该籽晶清洗用置放结构通过在侧板的顶部侧面上设置限位凹槽，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，清洗较为彻底；同时还起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全。安全。安全。

【技术实现步骤摘要】
籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置


[0001]本技术涉及锗单晶生长
，具体涉及一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置。

技术介绍

[0002]在锗单晶生长过程中，通常采用高纯区熔锗锭作为原料。锗作为一种稀缺资源，在地球上的含量极其稀少，因此，锗单晶生长的原料成本极其高昂，为了提高锗原料的利用率和节约锗料成本，通常将锗单晶在拉制或者截断、切片、加工等过程中产生的埚底料、头尾料和碎锗等进行重复利用。然而，这些循环使用的锗料在加工、运输及储存的过程中，极易受到污染。污染源主要有氧化层、带锯和金刚线上带来的金属离子、有机物等。这些污染源极易导致单晶出现晶变、电阻率异常等情况，造成重大损失。因此，这些循环锗料必须经过严格的清洗流程才能投入使用。
[0003]锗单晶通常采用直拉法生长，在直拉单晶中，需要一定晶向的晶种作为直拉单晶引晶，这种晶种即为籽晶。锗单晶的籽晶通常是由品质较好的锗单晶棒加工而成，籽晶的品质决定了最终生长的单晶的品质，价格昂贵且易碎。因此，籽晶的清洗需要更加严格，在清洗的时候既不能互相磕碰，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种籽晶清洗用置放结构，其特征在于，包括：框架本体(1)，包括至少三个侧板(3)，所述至少三个侧板(3)均竖直设置，并且所述框架本体(1)为采用所述至少三个侧板(3)合围形成；多个限位凹槽(2)，所述多个限位凹槽(2)均设置在所述侧板(3)的顶部，用于盛放籽晶。2.根据权利要求1所述的籽晶清洗用置放结构，其特征在于，所述框架本体(1)包括四个侧板(3)，并且所述框架本体(1)采用所述四个侧板(3)合围形成的方形框架。3.根据权利要求2所述的籽晶清洗用置放结构，其特征在于，所述四个侧板(3)中相对的两个侧板(3)的高度相同。4.根据权利要求2或3所述的籽晶清洗用置放结构，其特征在于，所述四个侧板(3)中相邻的两个侧板(3)的高度不同。5.根据权利要求1所述的籽晶清洗用置放结构，其特征在于，所述限位凹槽(2)呈半圆形结构，所述限位凹槽(2)开口朝向设置。6.根据权利要求1或5所述的籽晶清洗用...

【专利技术属性】
技术研发人员：王博，李燕，柴晨，雷同光，王宇，冯德伸，于洪国，林泉，
申请(专利权)人：有研新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：