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英特尔公司专利技术
英特尔公司共有18505项专利
具有群集ID和群集内ID的逻辑APIC ID的创建制造技术
在一些实施例中,设备包含逻辑中断标识号创建逻辑以接收物理处理器标识号,并通过使用物理处理器标识号创建逻辑处理器标识号。每一个逻辑处理器标识号对应于其中一个物理处理器标识号,并且逻辑处理器标识号各包含处理器群集标识号和群集内标识号。处理器...
协商通信速度的方法和设备技术
本发明公开为多个客户机通信媒体(例如总线)上的通信消息协商位速率的方法和设备。实施例可以包括用于媒体管理的主机和与通信媒体耦合的一个或多个客户机设备。主机和/或一个或多个客户机设备可以包括能够通过通信媒体始发通信的设备,也称为始发设备。...
用于OFDMA无线网络的CQI报告技术制造技术
本发明的各个实施例可使用比特图来传递用于正交频分多址(OFDMA)无线通信网络中的多个子信道的信道质量指数(CQI)信息。基站可使用比特图对用于每个子信道的CQI信息已过少报告还是过多报告进行报告。移动台可使用比特图将用于多个子信道的C...
用于重新映射图形数据的存储器地址的装置和方法制造方法及图纸
一种方法和装置用于创建访客物理地址(GPA)-主机物理地址(HPA)映像转换表、更新这些转换表和使用这些转换表来转换实现虚拟机监视器以支持虚拟机的计算环境的图形数据直接存储器访问(DMA)请求的GPA。可相对于虚拟机监视器透明地通过计算...
具有集成调制器阵列和混合键合的多波长激光器阵列的发射器-接收器制造技术
公开从单个半导体材料层提供多个调制光束的装置和方法。例如,装置包括设置在单个半导体材料层中的多个光波导。这些光波导中的每个光波导包括沿光波导界定的光腔。包括在这些光波导上邻接单个半导体材料层的单个增益介质材料条。沿这些光波导中的每个光波...
用于功率管理的缓冲技术制造技术
描述了用于功率管理的缓冲技术。方法可包括将通信子系统和计算子系统的功率状态从较高功率状态改变到较低功率状态,在通信空闲持续期将信息分组存储在通信子系统的缓冲器中,生成缓冲器的可变接收阈值,以及基于可变接收阈值从缓冲器传送存储的信息分组到...
智能聚合物复合材料对集成电路封装的应用制造技术
智能聚合物复合材料对于集成电路封装的应用。
用于分布式波束形成的校准系统和技术技术方案
说明了用于分布式波束形成的校准系统和技术的各种实施例。在一个实施例中,设备可包含第一发射器节点与第二发射器节点协作以共同与接收器节点通信。可为第一和第二发射器节点与接收器节点之间的信道获得有效信道知识。第一和第二发射器节点的传送和接收链...
低电感电容器、装配其的方法和包含其的系统技术方案
低电感电容器在使用期间在第一电容器分部中呈现第一特征电感以及在使用期间在第二电容器分部中呈现第二特征电感,并且第一和第二特征电感用于相互中和。形成低电感电容器的方法包括热固化。封装包括低电感电容器和安装衬底。
将两数相乘制造技术
本发明描述了将A和B这两个数相乘的技术。通常,通过对A和B的各段使用Karatsuba乘法并基于A和B的最高有效位的值调节该Karatsuba乘法来执行乘法。
用于经虚拟化平台保护性存储下载的媒体内容的方法和系统技术方案
用于经虚拟化平台保护性存储下载的媒体内容的方法和系统。方法包括下载内容到专用虚拟机,并随后在某个位置存储下载的内容,其中,该位置只可经专用虚拟机访问。存储的内容随后通过虚拟网络流传送到通用虚拟机,其中,专用虚拟机和通用虚拟机存在于相同的...
用于在总线上共享公共地址的装置的方法和配置制造方法及图纸
公开了用于在总线上共享公共地址的装置的方法和配置。实施例可以包括用于媒体管理的主机和一个或多个与通信媒体相耦合的客户端装置。所述主机和/或一个或多个所述客户端装置可以包括能够在通信媒体上发起通信的装置,也称为发起装置。此外,所述主机和/...
带有至存储器核的投机命令的存储设备制造技术
在某些实施例中,芯片包括存储器核、检错电路和控制单元。检错电路确定与由芯片接收的投机和非投机命令相关联的检错信号的有效性并提供指示所确定的有效性的有效性信号。控制单元将投机命令提供给存储器核以在控制单元接收相关联的有效性信号之前起作用,...
可配置多相耦合磁结构制造技术
在一些实施例中,可配置多相耦合磁结构可包括:限定了内部空间的四面壶形芯;布置在所述四面壶形芯内部空间内的一个或更多圆柱形芯,缠绕在所述一个或更多圆柱形芯周围的至少两个线圈,其中所述至少两个线圈以多相电能输送配置连接。所述线圈可以是多匝线...
包括高密度无凸点内建层和密度较低的内核或无内核基板的集成电路封装制造技术
在一些实施例中,提出了包括高密度无凸点内建层和密度较低的内核或无内核基板的集成电路封装。在这点上,介绍了一种设备,其具有第一元件以及耦合到所述第一元件的第二元件,所述第一元件包括:具有有源表面和至少一个侧面的微电子管芯;与所述至少一个微...
具有软磁性质的膜制造技术
能够作为膜或涂层涂覆在衬底上且能够为磁应用提供适当的磁和电性质的材料包括钴、硼、以及钨和磷二者中的至少一个。该材料的电阻率介于约20和1000μOhm-cm之间、饱和磁通密度介于约0.1和1.8特斯拉之间、矫顽力小于约5奥斯特、且相对磁...
形成用于改进微电子封装中的第一级互连和环氧树脂底部填料之间的粘结的纳米涂层的方法以及由此形成的结构技术
描述了形成微电子器件的方法和相关结构。这些方法可以包括利用功能化纳米粒层涂覆设置在管芯上的互连结构,其中所述功能化纳米粒散布在溶剂中,加热所述功能化纳米粒层以去除所述溶剂的一部分,并且在所述被涂覆的互连结构上施加底部填料。
确定消息余式制造技术
确定消息余式的技术包括访问消息和同时确定该消息的各个不同段关于多项式的模余数的集合。该技术还包括基于模余数的集合和在访问消息之前确定的常量的集合确定该消息关于多项式的模余数。该消息关于多项式的模余数存储在存储器中。
寻-扫探针(SSP)存储设备的位擦除体系结构制造技术
一种装置包括衬底、在衬底上形成的加热器、以及在加热器上形成的相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。一种方法包括:在衬底上形成加热器;以及在加热器上形成相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。
具有开关的相变存储器的节能置位写入制造技术
本文总地描述了用于具有开关的相变存储器的节能置位写入的装置和方法的实施例。可以描述和要求保护其他实施例。
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