英特尔公司专利技术

英特尔公司共有18505项专利

  • 一般来说,在一个方面,本公开描述包括接收多个入局因特网协议分组的方法,多个入局因特网协议分组中的每个具有因特网协议首标以及具有传输控制协议首标和传输控制协议净荷的传输控制协议段,在其中,多个分组属于相同的传输控制协议/因特网协议流。该方...
  • 包含至少一个摄像机的手持装置能执行多种功能。在一些实施例中,通过具有不同固定焦距的两个或者更多摄像机透镜所获取的数字化图像可被组合以模仿高分辨率光学变焦,并且还可允许装置执行3D应用。在其它实施例中,包含摄像机的装置可作为条形码读取器来...
  • 本发明名称是“用于无线网络中的有效率的确认的技术”。本发明的一个实施例提供一种支持用于无线网络中的上行链路(UL)多用户多输入多输出(MU?MIMO)的确认传输的方法,包括:通过定义用于多个无线台(STA)的新的批确认(BA)类型,使无...
  • 通过状态认知,手持通信设备可确定用户的位置、活动、和/或身体或情绪状态。该信息进而可用于各种目的,诸如:1)确定如何提示用户有传入通信;2)确定使用哪种格式来与用户通信;以及3)确定如何将用户的状态呈现给另一用户的通信设备。
  • 本发明的各实施例可以用来验证通过生物测定技术被授权使用设备的人是真实人而不是意图欺骗系统的某种形式的记录。一些实施例可以设法引起所测量的生物测定特征的改变,并且将在改变之前和之后获取的图像进行比较,以验证发生了改变。在一些实施例中,可以...
  • 公开一种用于在无线通信系统中HARQ反馈信道编索引的增强型半显式解决方案。该HARQ反馈信道编索引方法可适用于在下行链路中传送的HARQ反馈信道以及在上行链路中传送的HARQ反馈信道。
  • 本发明公开了用于管芯上电压缩放的分布式功率传送方案。本文公开了适于使功率门单元基于处理器的负载产生可变电压信号的高速低压差(HS-LDO)电压调节电路。在各实施例中,选择逻辑可动态地启用或禁用HS-LDO电路以使得功率门电路能够在全通或...
  • 本发明“改善存储装置的可靠性、可用性及可维修性”。在一些实施例中,存储装置包含具有存储数据位的第一部分和存储对应于数据位的纠错码(ECC)位的第二部分的存储核心。存储装置还可在与存储核心在同一芯片上包含纠错逻辑部件。在一些实施例中,纠错...
  • 执行存储器引用过滤的装置、系统和方法
    本发明提供执行存储器引用过滤的装置、系统和方法,其中执行存储器引用过滤的装置,包括第一硬件逻辑以及标志存储区,其中第一硬件逻辑被配置为:响应于在执行软件程序期间检测到预定指令而监控在程序命令中预定指令之后的指令;确定对应于在预定指令之后...
  • 本发明涉及使用通信信道信噪比估计的数据传输速率控制。提供了一种方法,包括监控可变速率数据通信信道来确定其信噪比,并且基于其信噪比调节该可变速率数据通信信道的数据传输速率。
  • 一种同轴网络通信节点从同轴网络中的一个或多个其它节点接收多媒体内容。该节点基于从传送节点接收到检测帧而确定同轴信道的延迟扩展,并将信道缩短时域均衡器(TEQ)滤波器配置成基于延迟扩展有效缩短信道。该节点命令传送节点缩短循环前缀的长度以用...
  • 本发明涉及具有有限反馈的MIMO系统中的闭环传输波束成形方法和系统。本发明记载了通过从波束成形矩阵因式分解出不重要的信息(特别是相位信息)来减小闭环MIMO系统中的反馈带宽的方法。
  • 一种MIMO波束形成方法包括在基站接收有关理想波束形成矩阵与平均波束形成方向之间差异的信息,使用该信息在基站构建波束形成矩阵,以及使用重新构建的波束形成矩阵来执行波束形成操作。备选的是,方法包括在订户站计算平均波束形成方向,在订户站计算...
  • 本申请涉及平台能量收集。本文提供的是使用主板和/或已经在平台中的其它质量的方式。
  • 本发明名称为“用符号加载降低严重干扰的影响的OFDM传送器和方法”。本文公开通过符号加载来降低OFDM系统中副载波上干扰的影响的OFDM传送器和方法的实施例。在映射到不同的信号维的两个或更多输入数据符号的组上执行线性变换以生成对应的两个...
  • 利用多流能力来预测和流送内容的方法和系统
    本发明的名称是“利用多流能力来预测和流送内容的方法和系统”。该方法包括:接收改变到不同信道的选择;将与该不同信道相关的数据从信源流送到目的地处的缓冲器;基于该不同信道预测下一个信道选择;以及将与所预测的下一个信道选择相关的数据从信源流送...
  • 处理系统在从休眠模式转变成活动模式时将第一阶段恢复内容和第二阶段恢复内容加载到该处理系统的易失性存储中。第一阶段恢复内容可包括在处理系统转变成休眠模式前使用中的第一程序的上下文数据。第二阶段恢复内容可包括在处理系统转变成休眠模式前使用中...
  • 描述的实施例包括具有金属源极/漏极的应变晶体管量子阱(QW)沟道区以及共形再生长源极/漏极,以在MOS沟道区中赋予单轴应变。可以利用晶格间距与沟道材料的晶格间距不同的结材料填充沟道层的被去除部分,以除了双轴应变之外,在沟道中导致单轴应变...
  • 一种在工件(1260)上形成图案(700)的方法包括在工件上放置图案掩模(1210),在图案掩模上放置孔(100,500,600,1220),并且将所述工件放置在电磁辐射的束(1240)中。该孔包括三个相邻的部分。第一部分(310)具有...
  • 在一些实施例中,叠置封装组件可以包括界定了内腔的第一插座、耦合至第一插座的第一半导体器件、位于第一插座的内腔内的第二插座和以可拆卸的方式耦合至所述第一插座的腔内的第二插座的第二半导体器件。第二插座可以位于第一半导体器件和第二半导体器件之...