本发明公开一种用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该多沟渠终端结构包含一多沟渠结构，该些沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表...

本发明公开一种具快速反应速度的金属氧化半导体P-N接面二极管及其制作方法。该二极管包含有半导体基板、掩模层、环形边缘层、栅极氧化层、多晶硅结构、中心导接层、氮化硅层、金属扩散层、通道区域以及金属溅镀层。而该方法包含下列步骤：在半导体基板...

本发明公开一种直立式金属氧化物半导体整流二极管及制作方法。此方法包括下列步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一侧形成第一多沟槽结构和第一掩模层；于半导体基板的第二侧形成第二多沟槽结构；以及于第二多沟槽结构上形成栅极氧化层、多晶硅结构和...

一种用于半导体元件的宽沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该主动结构区具有多个窄沟渠结构，该宽沟渠终端结构包含：一宽沟渠结构，界定于一半导体基板上且其宽度大于主动结构区的窄沟渠结构宽度；一氧化层，位于该宽沟渠结构的...

一种金属氧化物半导体P-N结二极管结构，至少包含：一基板；一沟渠结构，形成于该基板上方；一栅极结构，形成于该沟渠结构内并突出于该沟渠结构的表面；一侧壁结构，突出于该沟渠结构的表面并位于该栅极结构之侧；一金属层，形成于该沟渠结构的表面、该...

本发明公开一种沟槽隔绝式金属氧化物半导体P-N结面二极管结构及其制作方法，其在元件的结构设计上，为金属氧化物半导体N型沟道结构与侧边P-N结面二极管共构的架构，并在P型结构中埋入填满多晶硅的沟槽氧化层结构，以取代大部分的P型结构区域。该...

本发明公开一种沟道式金属氧化物半导体Ｐ－Ｎ结肖特基二极管结构及其制作方法，该结构主要包含有一基板、一沟道结构、一多晶硅层、一氧化物层、一金属层以及一离子注入区域，其制作方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一掩模层；进行一第一...

一种沟槽式肖特基二极管及其制作方法。该方法包含下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上形成一第一掩模层；于该半导体基板中形成一多沟槽结构；于该多沟槽结构的表面上形成一栅极氧化层；于该栅极氧化层上与该第一掩模层上形成一多晶硅结构；对该...

一种金属氧化物半导体Ｐ－Ｎ结萧基二极管结构及其制作方法，该方法包含步骤：提供一基板；于基板上形成一第一掩模层；进行一第一光刻蚀刻工艺，形成一沟渠结构；于第一沟渠结构内进行第一离子注入工艺；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构；于该沟渠...