一种用于功率电路的输入匹配网络。电源电路，包括RF晶体管和耦合到所述RF晶体管的输入以及耦合到所述电源电路的输入的输入匹配网络。所述输入匹配网络包括一同串联耦合在RF晶体管的输入和地之间的电阻器、电感器和电容器。所述电阻器和电感器的值被...

半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括具有多边形几何形状的主表面和在半导体衬底上的主区域内制造的主电路。主电路可操作用于执行电主要功能。主区域在半导体衬底的主表面上延伸，保留开放在半导体衬底...

本发明涉及复合晶片及其制造方法。一种复合晶片包括衬底和SiC基功能层。衬底包括多孔碳衬底芯和包装衬底芯的包装层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成...

本发明涉及双极半导体开关及其制造方法。提供了一种具有半导体主体的双极半导体开关。半导体主体包括第一p型半导体区、第二p型半导体区、以及第一n型半导体区，第一n型半导体区与第一p型半导体区形成第一pn结并且与第二p型半导体区形成第二pn结...

具有冷却材料的功率半导体设备。半导体设备包括布线结构，该布线结构从至少一侧邻接半导体体身并且具有至少一个导电连接。半导体设备此外在布线结构中具有冷却材料，该冷却材料的特征是在150℃至400℃之间的温度Tc时在吸收能量的情况下发生结构变化。

本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了具有刚性背板的MEMS器件和制作具有刚性背板的MEMS器件的方法。在一个实施例中，器件包括衬底和由衬底支撑的背板。背板包括细长的突起。

本发明涉及信号发生器、解码器、用于生成发射信号的方法以及用于确定速度数据的方法。信号发生器包括被配置成提供传感器信号的信号提供器和被配置成基于所述传感器信号生成发射信号的信号处理单元。发射信号包括表示事件的时间发生的事件信息以及表示附加...

根据实施例，一种接收器包括被配置成耦合到总线的第一状态机。该第一状态机被配置成：如果第一接收总线信号从第一总线状态转变到第二总线状态并且在第二总线状态中停留少于第一预定时间段，则确定第一输出信号为第一符号，并且如果第一接收总线信号从第一...

描述了一种通信网络，包括第一总线接口，第二总线接口，连接所述第一总线接口和所述第一总线接口的总线，连接到所述总线的一个或多个接收器，配置为检测由所述第一总线接口经由所述总线传送的第一消息是否已经到达所述一个或多个接收器的检测器；以及控制...

提供一种包括装置，尤其是检错逻辑的网络节点，如果检测到接收到根据第一协议或第一协议的第一版本的信号，则检错逻辑被去激活，并且如果检测到接收到根据第二、不同协议或第一协议的第二、不同版本的信号，则检错逻辑不被去激活。

实施例涉及可操作成经由至少具有第一和第二传输路径的通信链路来向接收机传输数字数据消息的控制器，该控制器包括用于第一传输路径的第一信号端子和用于第二传输路径的第二信号端子。该第一信号端子可操作成根据第一传输技术向接收机数字地传输第一消息，...

提出了一种用于存储装置的自适应比特率编程的系统和方法。本公开涉及一种电子存储系统，并且更具体地涉及一种用于存储装置的自适应比特率编程的系统，以及一种用于存储装置的自适应比特率编程的方法。根据一个实施例，提供了一个用于包括多个存储单元的存...

本发明涉及用于传感器器件和系统中的偏移降低的系统和方法。实施例涉及用于降低传感器器件和系统中的误差的系统和方法。在实施例中，所述传感器器件包括磁场传感器器件，诸如普通的或垂直的霍尔传感器器件，并且要降低的误差是残余偏移误差，不过在其他实...

一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集...

本发明涉及反向阻断半导体器件和制造反向阻断半导体器件的方法。一种反向阻断半导体器件包括第一导电类型的基极区域和第二、互补导电类型的本体区域，其中基极区域和本体区域形成pn结。在基极区域和集电极之间布置包括第二导电类型的发射极区和至少一个...

一种器件，包括：半导体芯片，半导体芯片包括第一主面和第二主面，第二主面为半导体芯片的背侧。第二主面包括第一区域和第二区域，第二区域为第二主面的外围区域。该器件进一步包括介电材料和导电材料，介电材料布置在第二区域之上，导电材料布置在第一区...

本发明涉及半导体模块装置和用于制造半导体模块装置的方法。公开了一种半导体模块装置，其具有第一子组件（4）、第二子组件（200）和第三子组件（7）。在此，第三子组件（7）具有大量固定地彼此连接的调节销（71，72）。此外，第一子组件（4）...

本发明涉及一种模块，该模块包括衬底和半导体芯片，该衬底包括第一铜表面。模块包括将半导体芯片直接键合至第一铜表面的第一烧结接合部。

一种电子开关，包括与负载串联连接的负载路径和用于接收驱动信号的驱动端子。电子开关可操作用于根据驱动信号在第一操作状态和第二操作状态之间进行切换。在第一切换循环中，将电子开关从第一状态切换至第二操作状态，并且在第一切换循环期间对跨负载的电...

本发明涉及用于减小非易失性存储器的尺寸的方法和系统。实施例涉及包括多个非易失性存储器元件的系统和方法，其中至少两个非易失性存储器元件的集合每个共享一个选择元件，所述选择元件用于选择非易失性存储器元件的集合中特定的一个的非易失性存储器元件...