本发明公开了一种用于电源的GaN基PFC软件控制方法，包括下列控制步骤：（1）针对正向电流尖峰时，控制Q4使其占空比从0逐步增加至系统计算的占空比，此时Q2、Q3暂时封闭输出脉冲，通过Q2的Coss_s2上的电压可以通过交流电源Uac、...

本发明公开了一种采用PD协议的锂电池组平衡充电系统，包括MCU模块，所述MCU模块上连接有用于控制PD充电头输出所需电压的PD协议控制模块，所述PD协议控制模块上连接有用于作为直流输入端并与PD充电头相连的USBC输入口；内部无需DC/...

本发明公开了一种增强型GaNHEMT器件制备方法，GaNHEMT器件制造技术领域，通过光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ长度和厚度的控制，实现曲面场板长度和曲面场板与下层材料之间倾斜夹角的调整。还公开了一种增强型GaNHEMT器件结构，通过在p

本实用新型公开了一种交流稳压源消除过压的控制电路，包括四个三极管Q1、Q2、Q3和Q4，所述三极管Q1和三极管Q2以及三极管Q3和三极管Q4的发射极相连，所述三极管Q2和三极管Q3的集电极相连并连接有电感L1的一端，所述电感L1的另一端...

本发明公开了一种用于提高图腾柱PFC效率的优化控制方法，包括二极管Q1、二极管Q2、二极管Q3及二极管Q4，其控制方法包括如下步骤：当二极管Q4打开时，此时二极管Q4V

本发明公开了一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法，包括衬底层，衬底层上依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铝镓氮势垒层，帽层，通过清洗，光刻和刻蚀工艺，在帽层开窗口至铝镓氮势垒层，用电子束蒸发台或离子溅射机沉积源漏金属，漏源金...

本发明公开了一种用于提高击穿电压的氮化镓器件，属于半导体技术领域，包括在AlGaN势垒层上表面的源极和漏极之间的局部设有P

本发明公开了一种三电平电压恢复器带不平衡负载的控制系统，包括旁路单元、功率变换单元和储能单元；所述功率变换单元由DC/AC变换器以及DC/DC变换器组成，其中，所述DC/AC变换器由三组RC滤波器、三组滤波电感和三相三电平半桥组成；所述...

本发明公开了一种GaN HEMT BCB介质双层栅制作方法，属于半导体技术领域，包括如下步骤：在晶圆表面采用金属剥离工艺制作源漏欧姆接触电极，在晶圆表面旋涂BCB介质；经光刻后显影、高温固化形成BCB介质层，完成栅根制作；晶圆经过灰化、...

本发明公开了一种氮化镓器件的干法刻蚀隔离方法，包括下列步骤：氮化镓器件外延层结构分别为衬底层、缓冲层、氮化镓沟道材料层、氮化铝隔离层、铝镓氮势垒层及帽层，在帽层涂上光刻胶，且光刻胶厚度为2

本实用新型公开了一种涂胶显影机卡盘工作台专用的密封垫及卡盘工作台，属于半导体处理设备的配件技术领域，包括环形的垫本体，所述垫本体的外缘向上外扩延伸有闭环的围挡，围挡的断面为圆弧面，围挡各处高度一致，围挡厚度不大于垫本体的厚度。本涂胶显影...

本发明公开了一种基于GaN HEMT传感器的数字微流控生物检测装置，包括GaN HEMT传感器，GaN HEMT传感器下部设有试剂液滴检测区域，当携带抗原的液滴放入装置后，通过在电极上施加电压来改变液滴的接触角从而驱动液滴。当携带待测抗...

本发明公开了一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括硅衬底，硅衬底表面上依次外延生长有缓冲层、AlGaN应力控制层和N型半导体层，其中，缓冲层为CdS缓冲层，N型半导体层包括外延生长在AlGaN应力控制层上表面...

本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法，包括衬底基板，所述衬底基板上表面外延生长缓冲层；所述缓冲层上表面外延生长沟道层，所述沟道层上表面外延生长势垒层；所述势垒层上表面外延生长故意掺杂p型氮化镓层，所述故意掺杂p型氮化镓层...

本发明公开了恒定功率、多插口、同负载功率均匀分配系统及方法，包括电源模块，所述电源模块上连接有电源输出电路模块，所述电源输出电路模块上连接有功率转换开关，所述功率转换开关上分别连接有负载模块，所述功率转换开关上连接有恒定功率多插孔同负载...

本实用新型公开了一种支持双口Typec快充的控制电路，包括单片机模块，单片机模块上分别两件有两个Buck充电模块，两个Buck充电模块上均连接有Typec接口模块，两个Typec接口模块均通过USB

本发明公开了一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构，包括基板和上板，所述基板包括至少两个GaN基开关，各GaN基开关处于同一高度平面；GaN基开关设有基底，基底上外延生长有GaN层，GaN层上方设有AlGaN层，GaN层与AlGaN层之...

本发明公开了一种氮化镓HEMT外延结构的生长方法，所述氮化镓HEMT外延结构包括衬底基板，衬底基板在MOCVD反应室内生长有外延层，外延层自下而上包括缓冲层，故意掺杂氮化镓层，非故意掺杂氮化镓层，势垒层，在所述外延层的每个结构层外延生长...

本发明公开了多插口充电器或适配器的输出系统及方法，包括充电器或适配器直流输出模块：所述充电器或适配器直流输出模块上连接有直流降压电路模块；所述直流降压电路模块上连接有功率转换开关模块；所述功率转换开关模块上分别连接有多个充电负载口模块；...

本实用新型公开一种用于电动汽车的氮化镓基电容钳位型三电平逆变器，涉及逆变器技术领域。本实用新型包括三相主回路，每相主回路包括4个氮化镓开关，第一氮化镓开关的漏极连接蓄电池组正极，第一氮化镓开关的源极连接第二氮化镓开关的漏极，第二氮化镓开...