一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构，包括基板和上板，所述基板包括至少两个GaN基开关，各GaN基开关处于同一高度平面；GaN基开关设有基底，基底上外延生长有GaN层，GaN层上方设有AlGaN层，GaN层与AlGaN层之间形成二维电子气；AlGaN层分别设有欧姆接触的源极和漏极，AlGaN层上表面设有凹槽，凹槽内淀积有栅极；每个漏极在一侧电连接一个金属电极；源极，漏极，栅极和金属电极设有隔绝保护的绝缘层；绝缘层外表面分别设有通达源极，漏极和栅极的引电通道；绝缘层上方设有疏水层；通过将GaN基开关与金属电极集成化处理，节省了外接电路以及开关的占用空间，缩小了整个EWOD系统的体积和重量，扩大了EWOD芯片的适用范围。扩大了EWOD芯片的适用范围。扩大了EWOD芯片的适用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构


[0001]本专利技术属于微电子
，尤其涉及一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构。

技术介绍

[0002]数字微流控是一种在芯片上操控微小液滴的技术，EWOD是其中的一种，其通过在电极上施加电压来改变液滴的接触角从而驱动液滴。具体来说，当在一侧电极上施加电压时，根据李普曼－杨氏方程，液滴的接触角会发生改变，而另一侧由于无电压，液滴接触角无变化。如图1所示，由于液滴两侧的接触角不同从而在其内部产生压力差从而驱动液滴运动。当在一系列电极上按照一定时序施加电压，能够使得液滴按照一定路径运动。在实际操作中，EWOD芯片单独做数个电极，然后为每个电极在EWOD芯片之外单独配设有开关，在单独配置的开关和电极之间配设有外接电路，通过开关来控制每个电极上的电压，实现改变滴液的接触角从而驱动滴液，实现EWOD芯片的功能，但是，专利技术人认为，单独设置的开关无疑需要配有额外的安置空间，增加了EWOD芯片结构的尺寸以及重量。为此，需要设计出一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构。
[0003]需要说明的是，在上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构，包括基板(1)和上板(2)，其特征在于，所述基板(1)包括至少两个GaN基开关(11)，各GaN基开关(11)处于同一高度平面；GaN基开关(11)设有基底(111)，基底(111)上外延生长有GaN层(112)，GaN层(112)上方设有AlGaN层(113)，GaN层(112)与AlGaN层(113)之间形成二维电子气(114)；AlGaN层(113)分别设有欧姆接触的源极(12)和漏极(13)，AlGaN层(113)上表面设有凹槽，凹槽内淀积有栅极(14)；每个漏极(13)在一侧电连接一个金属电极(3)；源极(12)，漏极(13)，栅极(14)和金属电极(3)设有隔绝保护的绝缘层(4)；绝缘层(4)外表面分别设有通达源极(12)，漏极(13)和栅极(14)的引电通道；绝缘层(4)上方设有疏水层(5)。2.根据权利要求1所述的基于GaN基开关的EWOD芯片结构，其特征在于，所述源极(12)，漏极(13)和栅极(14)分别在其相对的引电通道内电连接有引电装置。3.根据权利要求2所述的基于GaN基开关的EWO...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兆龙，
申请(专利权)人：徐州金沙江半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：