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一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构制造技术
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下载一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构的技术资料
文档序号:36180524
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本发明公开了一种基于GaN基开关的EWOD芯片结构,包括基板和上板,所述基板包括至少两个GaN基开关,各GaN基开关处于同一高度平面;GaN基开关设有基底,基底上外延生长有GaN层,GaN层上方设有AlGaN层,GaN层与AlGaN层之间形...
该专利属于徐州金沙江半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过徐州金沙江半导体有限公司授权不得商用。
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