本发明涉及一种三维硅基电容结构及其形成方法，所述硅基电容结构为双面电容，具有半导体衬底、形成在半导体衬底正面的正面沟槽、形成在半导体衬底背面的背面沟槽；所述正面沟槽与背面沟槽交错；所述硅基电容结构还具有交替堆叠在正面沟槽内和半导体衬底正...

本发明公开一种沟槽电容器及其形成方法，所述沟槽电容器为双沟槽电容器，其具有半导体衬底、形成在半导体衬底表面的第一沟槽、形成在半导体衬底表面的第二沟槽、交替堆叠在第一沟槽内的导电层和介电层、交替堆叠在第二沟槽内的导电层和介电层；所述第一沟...

本发明涉及一种高密度硅基电容器及其形成方法，所述硅基电容器，其沟槽网络的图形：具有一矩形框，所述沟槽网络位于矩形框内，所述矩形框的内部包含沟槽网络以及被沟槽网络包围的圆形和“类十字”形和/或“类十字”形的二分之一图形和/或“类十字”形的...

本发明涉及一种深沟槽底部多晶硅电阻率的测试结构及其测试方法，所述测试结构为沟槽电阻器；所述测试结构的沟槽具有一个横向主支以及若干纵向上分支、若干纵向下分支，各纵向上分支、各纵向下分支均匀分布在横向主支纵向两侧、等长、等数量、关于横向主支...