【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，且具体涉及一种沟槽电容器及其形成方法。
技术介绍
1、终端产品朝向高效能、低成本、低功耗、小面积的方向发展，单系统中电容元件的用量不断增加，反向推动电容器朝小型化、超薄化、大容量等方向发展，同时应用端对电容器的稳定性、高频率性等提出了更高要求。相比多层陶瓷电容mlcc存在高频性能损耗、恶劣工况可靠性差等问题。硅基电容器具有更高稳定性，更高可靠性，更高的自谐振频率，更低的esr和esl，更低的插损和更灵活的封装方式等特点，是未来高端电容器件的首选。为了减小电容器的尺寸，可以通过增加电容器的电容密度的方法实现，所述电容密度是指电容器在单位投影面积上的电容。
2、硅基电容通常采用深沟槽（deep trench）结构、或者采用高k介电材料、或者采用更薄的介电层来实现高的电容密度。然而，材料k值的持续提升受物理极限约束，介电层的厚度则需要在电容密度和耐压之间权衡。因此，在缩小芯片面积，降低芯片厚度的背景下，进一步提升电容器有效面积是未来电容器发展的方向。
3、在深沟槽电容结构中，沟槽侧壁可用来...
【技术保护点】
1.一种沟槽电容器，所述沟槽电容器为双沟槽电容器，其具有半导体衬底、形成在半导体衬底表面的第一沟槽、形成在半导体衬底表面的第二沟槽、交替堆叠在第一沟槽内的导电层和介电层、交替堆叠在第二沟槽内的介电层和导电层；其特征在于，所述第一沟槽与第二沟槽交错，所述第二沟槽以相邻第一沟槽内的第一层结构为侧壁，所述第一沟槽内导电层和介电层与第二沟槽内的导电层和介电层交替连续。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽电容器，其特征在于，所述第一沟槽与第二沟槽深度相同。
3.一种沟槽电容器的形成方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的一种沟槽电容器的形成...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽电容器，所述沟槽电容器为双沟槽电容器，其具有半导体衬底、形成在半导体衬底表面的第一沟槽、形成在半导体衬底表面的第二沟槽、交替堆叠在第一沟槽内的导电层和介电层、交替堆叠在第二沟槽内的介电层和导电层；其特征在于，所述第一沟槽与第二沟槽交错，所述第二沟槽以相邻第一沟槽内的第一层结构为侧壁，所述第一沟槽内导电层和介电层与...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂祥龙，
申请(专利权)人：芯铭半导体杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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