本发明提供一种导电性高分子组合物，其能够适用于过滤性及在电子束抗蚀剂上的平坦膜的成膜性良好，基于低表面电阻率(Ω/□)的性质而在电子束描绘工序中也表现出优良的抗静电能力，描绘后的使用H2O或碱性显影液的剥离性也优异的电子束抗蚀剂描绘用抗...

本发明提供一种能够导出聚酰亚胺的四羧酸二酐、使用该四羧酸二酐而得到的聚酰亚胺树脂及其制造方法，所述聚酰亚胺可在不损害机械强度、密着性等优异的特征的情况下形成微细的图案并得到高分辨率，且可用作光敏树脂组合物的基础树脂。所述四羧酸二酐的特征...

本发明提供一种不需要阴离子系或阳离子系的表面活性剂、水溶性醇等的透明的双连续型微乳状液组合物及使用感优异的化妆品，该组合物由(A)下述通式(1)所示的含聚甘油基的有机(聚)硅氧烷、(B)油剂及(C)水组成。

本发明提供能够抑制软颗粒的产生、适用于过滤性良好的组合物中的二羟基萘缩合物及其制备方法。所述二羟基萘缩合物的制备方法中，使用成分元素中的硫元素的含量以质量比计为100ppm以下的二羟基萘，在酸或碱的存在下使该二羟基萘与缩合剂缩合而制备所...

R‑Fe‑B系烧结磁铁，是具有包含R2(Fe，(Co))14B金属间化合物的主相和晶界相的R‑Fe‑B系烧结磁铁，其特征在于，在晶界相的二粒子间晶界具有被二粒子间宽度为10nm以下的窄幅部包围的、与窄幅部的晶界宽度相比在二粒子间宽度方向...

本发明提供一种含有环氧基的有机聚硅氧烷，其特征在于，其由下述平均结构式(1)表示，且环氧当量为500g/mol以上。由此，提供一种即使在环氧基的含量小的情况下(即使在环氧当量大的情况下)紫外线固化性也优异的含有环氧基的有机聚硅氧烷、使用...

本发明涉及光敏树脂组合物、图案形成方法和光电半导体器件的制造，其提供了一种光敏树脂组合物，其包含具有式(A1)的双端脂环式环氧基改性的有机硅树脂和光致产酸剂。在式(A1)中，R

本发明提供一种热固性氟聚醚型粘接剂组合物以及使用所述热固性氟聚醚型粘接剂组合物的电气部件/电子部件。所述热固性氟聚醚型粘接剂组合物能够在短时间内进行固化、且形成对金属、陶瓷以及塑料等的各种基材进行粘接的固化物。所述热固性氟聚醚型粘接剂组...

本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍...

本发明提供一种二羟基萘的提纯方法，该方法能够抑制软颗粒的产生，得到作为过滤性良好的树脂、组合物的原料的二羟基萘。所述二羟基萘的提纯方法具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。

提供用于选择性地且高效地生产3,7‑二甲基‑7‑辛烯醇及其羧酸酯的方法。更具体地提供一种用于生产3,7‑二甲基‑7‑辛烯醇的方法，包括以下步骤：使3‑甲基‑3‑丁烯基亲核试剂(2)和1,3‑二卤代‑2‑甲基丙烷化合物(3)进行偶联反应，...

在发现了对梨圆蚧(SJS)具有性信息素活性的物质后，提供了包含该物质的组合物。更具体地，提供了一种对SJS具有性信息素活性的组合物，所述组合物包含3,7‑二甲基‑7‑辛烯基丙酸酯作为对SJS具有性信息素活性的物质；一种针对SJS的引诱剂...

本发明涉及紫外线固化型树脂组合物、粘接剂和固化物，所述紫外线固化型树脂组合物即使包含具有紫外线吸收性的有机骨架的聚合物，也不易阻碍铂催化剂的光活化，可在使用了紫外线的温和的条件下固化，给予显示优异的硬度和与基材的粘接性的固化物。紫外线固...

本发明提供给予满足硬度和韧性这两者并且可碱显影的固化膜的有机聚硅氧烷以及含有该有机聚硅氧烷、能够用作负型抗蚀剂材料的活性能量线固化性组合物。有机聚硅氧烷化合物，其具有由下述式(I)和(II)表示的结构单元。

本发明提供有机聚硅氧烷化合物和包含其的活性能量线固化性组合物。是给予耐开裂性优异、硬度的历时变化小、可碱显影的固化膜的有机聚硅氧烷和含有该聚硅氧烷、可用作负型抗蚀剂材料的活性能量线固化性组合物。有机聚硅氧烷化合物，其具有由式(I)～(I...

本发明涉及一种可烧结石榴石结构复合氧化物粉末的制备和透明陶瓷的制造。通过将含有(a)Tb离子的水溶液、含有(b)Al离子的水溶液和含有(c)Sc离子的水溶液加入共沉淀水溶液中以诱发组分(a)、(b)和(c)的共沉淀，过滤，加热干燥并烧成...

本发明为一种负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，其特征在于：所述负极活性物质颗粒含有SiOx所表示的硅化合物，其中，0.5≤x≤1.6，在由所述负极活性物质颗粒的XANES测定得到的XANES波谱中，在539～541eV的范围内具有峰...

本发明是太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成射极层的步骤，在射极层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去扩散屏蔽的部位，形成基底层的步骤，除...

本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少...

本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复...