二羟基萘的提纯方法技术

本发明专利技术提供一种二羟基萘的提纯方法，该方法能够抑制软颗粒的产生，得到作为过滤性良好的树脂、组合物的原料的二羟基萘。所述二羟基萘的提纯方法具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。

Purification of Dihydroxynaphthalene

【技术实现步骤摘要】
二羟基萘的提纯方法
本专利技术涉及一种二羟基萘的提纯方法。
技术介绍
二羟基萘树脂由于耐热性、耐湿性优异，因此在半导体领域中被广泛地用作下层膜材料或光致抗蚀剂材料等(专利文献1)。通常的二羟基萘(1)在工业上通常利用下述的方法制备。即，在将起始物质的萘(1-1)磺化、并制成磺酸化合物(1-2)后，通过碱熔转换成羟基，从而得到二羟基萘(1)。[化学式1]式中，n及m为满足0≤m≤2、0≤n≤2、m+n＝2的整数。该制备工序中，磺酸化合物(1-2)不会通过碱熔而被完全消耗，元素成分中的硫元素的含量以质量比计为数100ppm至数1000ppm左右的磺酸化合物(1-2)残留于一般工业级的二羟基萘化合物(1)中(以下，也将该磺酸化合物称为“硫成分”)。由于含有这样的杂质的工业级的二羟基萘化合物以往主要用于染料的用途，因此这样的杂质不会成为问题。通常，在半导体装置的制造工序中使用半导体装置制造用有机膜形成用组合物时，为了消除涂布膜中的缺陷或干法蚀刻后的缺陷，必须通过适用了具有微细筛孔的过滤器(filter)的精密过滤进行提纯。若该提纯操作不充分，则由于涂布膜中的缺陷或干法蚀刻后的缺陷，造成在半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二羟基萘的提纯方法，其特征在于，具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。

【技术特征摘要】
2017.12.26 JP 2017-2489361.一种二羟基萘的提纯方法，其特征在于，具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。2.根据权利要求1所述的二羟基萘的提纯方法，其特征在于，将所述二羟基萘溶解于有机溶剂，向该溶液中加入所述中性氧化铝并进行搅拌，过滤所述中性氧化铝。3.根据权利要求2所述的二羟基萘的提纯方法，其特征在于，相对于100质量份的所述二羟基萘，将加入的所述中性氧化铝的量设定为5质量份以上，温度设定为0～150℃，搅拌0.1小时以上。4.根据权利要求1所述的二羟基萘的提纯方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：橘诚一郎，郡大佑，荻原勤，北野智，阿部幸雄，畠山史裕，小林大树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，群荣化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP