本发明涉及一种陶瓷磁光材料，其特征在于，其包含以下述式(1)所示的氧化物为主成分的氧化物陶瓷，且25℃下的所述氧化物陶瓷晶体的晶界的折射率与主相的折射率之差为0.004以下，(TbxRe1-x)2O3(1)(式中，Re表示选自钪、钇、镧...

本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法，该非水电解质二次电池用负极材料包含硅-碳复合材料，并且，该制造方法包含：准备硅纳米粒子的工序；制作包含前述硅纳米粒子与含碳材料的硅-碳复合材料的工序；及，将前述硅-碳复合材料加热压缩处...

本发明提供有机硅乳液组合物，其包含有机聚硅氧烷、有机氢聚硅氧烷、表面活性剂和水。将两种不同类型的有机聚硅氧烷混合，由此使固化有机硅涂层改善以对于塑料膜完全地粘合并且从压敏粘合剂轻易地剥离。通过限定有机氢聚硅氧烷的SiH含量，使组合物具有...

具有用特定的甲硅烷基保护的仲氨基的硅烷化合物，用作硅烷偶联剂、树脂添加剂、纺织品处理剂、表面处理剂、涂料添加剂和粘合剂。

本发明提供一种能够简易简便地测定多晶硅棒中所希望位置的代位碳杂质的大致浓度的方法。从多晶硅棒切出板状多晶硅，对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度。使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标...

通过将可固化有机硅凝胶组合物涂敷并固化到两个面板的每一个的除外周区域之外的一个表面上以形成固化有机硅凝胶涂层，在一个面板(1a)的外周区域上提供密封部件(3)，将太阳能电池部件(4)放置到一个面板上的固化有机硅凝胶涂层上，将另一面板(1...

本发明的课题在于提供一种光半导体密封用固化性组合物及光半导体装置，该组合物形成耐冲击性及粘着性优异的固化物，该装置是利用固化该光半导体密封用固化性组合物所获得的固化物来密封光半导体元件而成。该组合物含有：(A)直链状聚氟化合物；(B)环...

公开的硬质合金基底外刃切割轮包括硬质合金的环形薄圆片形式的基底，和基底外缘上的刃部。该刃部包含：预涂覆磁性材料的金刚石和/或cBN磨粒；通过电镀或无电镀敷形成的用于将磨粒粘结在一起并粘结在基底上的金属或合金结合材料；渗入磨粒之间和磨粒与...

本发明提供不受含氟有机硅烷化合物的批次影响、能够均匀地且范围广地在基材上成膜的含氟干式涂布剂的涂布方法。涂布方法，是含氟干式涂布剂的涂布方法，其特征在于，将含氟有机硅烷化合物100质量份用含氟干式涂布剂用稀释剂100-99,900质量份...

本发明提供可成为防水性、防油性、防污性、耐热性、耐候性及耐磨性以及它们的耐久性优异的表面处理剂的固化性组合物。所述固化性组合物以(A)下述通式(1)(Rf为含有氟聚醚结构的分子量100～40,000的一价或二价的基团。Q1为由具有(a+...

本发明涉及硅氧化物颗粒及制作方法、锂离子二次电池以及电化学电容器。该硅氧化物颗粒，每个包括具有10-1000ppm铁含量的内部部分和具有最高为30ppm铁含量的外部部分，适于作为非水电解质二次电池中的负电极活性材料。使用包含作为活性材料...

本发明的目的在于提供一种锂离子二次电池，所述锂离子二次电池的容量高，且充放电循环特性优异。为了解决此课题，本发明提供一种锂离子二次电池，其是具有负极与正极的锂离子二次电池，其中，前述负极是由首次充电容量为1800mAh/g以上且首次效率...

本发明提供一种光半导体装置用基板，其具有搭载光半导体元件且与该光半导体元件的第一电极电性连接的第一导线、及与前述光半导体元件的第二电极电性连接的第二导线，其特征在于，具有：树脂成型体，其是热固化性树脂组合物的成型体且成型于分别并列配置的...

本发明是一种光半导体装置用基板，其具有搭载光半导体元件且与该光半导体元件的第1电极电性连接的第1导线、及与前述光半导体元件的第2电极电性连接的第2导线，通过注射成型在分别并列配置多条的前述第1导线与前述第2导线之间贯穿的间隙中成型有热固...

本发明涉及模具制作用坯料及模具的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的硬掩模膜的硬掩模功能的同时通过提高该硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新技术。设置在衬底(1)上的硬掩模膜(2)由含有锡的铬系材料形成。对于构成硬掩模膜(...

本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时...

本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)...

本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮...

本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结...

本发明提供抗静电性硅橡胶组合物和抑制抗静电性硅橡胶固化物的黄变的方法，该抗静电性硅橡胶组合物成为即使暴露于高温也不黄变、能够维持优异的抗静电特性的硅橡胶（固化物）。抗静电性硅橡胶组合物，其特征在于，在热固化型硅橡胶组合物100质量份中含...