本发明涉及一种双频径向连续波太赫兹斜注管，包括轴对称金属顶板、轴对称金属底板、两个扇形电子束、两个扇形金属平板慢波结构、同轴输出波导外筒、同轴输出波导内筒、轴对称收集极和外部磁场产生装置；外部磁场产生装置在高频互作用区产生沿着径向以及轴...

本发明公开了一种应用于高压绝缘领域的高梯度表面微带绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术制备工艺复杂、绝缘子可靠性差、耐表面击穿电压较低，难以满足高压装置对真空绝缘要求等问题。所述绝缘子本体表面雕刻有周期性微槽阵列，微槽中有原位生长的金属...

本发明涉及核技术应用领域中铀靶的制备方法，特别涉及一种在薄铍片上电沉积制备的铀靶及其制备方法。本发明提供的在薄铍片上电沉积制备铀靶的方法，是在厚度30～100μm的铍片上制备1～10mg的铀靶。本发明操作简便、条件易于控制，且反应过程中...

为了使CMOS图像传感器能够实现超高时间分辨连续成像，本发明提供了一种CMOS图像传感器的像元结构，每个像元包括一具有N个输出端口的光电二极管、N个存储装置、N个栅阀门和N个像元读出电路；所述N个存储装置的输入端通过N个栅阀门分别与所述...

本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。该方法从中子辐照后双极型晶体管位移损伤缺陷的实测数据出发，建立位移损伤缺陷模型，完成中子位移效应的数值模拟。本发明突破了现有少数载流子寿命法不能完全反映中子位...

本发明涉及一种大动态范围示波器输入信道有源保护电路。输入阻抗匹配模块或输入阻抗匹配及功率衰减模块的输入端接输入信号，多个运算放大模块的输入端分别与输入阻抗匹配模块或输入阻抗匹配及功率衰减模块的输出端连接，多个运算放大模块的输出端分别与负...

本发明提供一种高压气体开关电极，包括基体及位于基体表面的涂层，所述涂层为钨多晶涂层。本发明高压气体开关电极在纯铜电极基体表面制备高纯钨多晶涂层，位于电极表面的高纯钨多晶涂层可提高电极击穿部位的耐烧蚀性，该电极已经在高功率微波源的高压气体...

本发明属于辐射探测领域，涉及一种基于激光二极管的中子注量在线测试系统及方法。该系统包括激光二极管、电流源、光功率计和计算机；激光二极管的输入端通过电流传输线与电流源相连，激光二极管的输出端通过光纤与光功率计相连；电流源和光功率计均与计算...

本发明提供一种集成微波测量装置，包括示波器、视屏电缆、屏蔽筒、依次位于屏蔽筒内的波同转换、同轴衰减器、检波器、转接头；上述波同转换的接口端与屏蔽筒的一端固连，上述波同转换的输出端与同轴衰减器的输入端直接连接，上述同轴衰减器的输出端与检波...

本发明提出了一种针对飞行时间质谱的宽能量聚焦反射器设计方法。针对具有较宽能量分布的离子，采用数值计算方法设计了由多级电场组成的反射器的各级电场尺寸与各极板需要加载的电压，实现离子的飞行时间聚焦，从而提高飞行时间质谱的分辨率。该反射器对机...

本发明涉及一种适用于辐射效应研究中长距离对半导体器件伏安特性曲线进行测量的测量系统，具体涉及一种基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统。该测量系统包括控制计算机、源表、矩阵开关、测试板和辐照板；所述控制计算机分别与源表和矩...

本发明提供一种并联组合薄壁环形脉冲电容器，包括两个金属电极及夹在两个金属电极之间的单体薄壁电容，所述单体薄壁电容两端具有喷金层；所述两个金属电极为两个半径相同的同心金属电极环；两个金属电极环上具有开口；开口处设有正负电极引出端；所述单体...

本发明公开了一种应用于高压绝缘材料技术领域，具有孔穴微槽织构化表面的绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术耐表面击穿电压较低、可靠性不高、重复性差，难以满足高压装置对真空绝缘要求等技术问题。该绝缘子包括绝缘子本体，所述绝缘子本体为聚合物材...

本发明提供了一种基于交错轴斜齿轮螺母旋紧机构的圆法兰连接装置，用于连接第一圆法兰和第二圆法兰；所述连接装置包括压环螺母、蜗杆、蜗杆固定架以及设置在第一圆法兰外侧面上的外螺纹；所述压环螺母的内侧面设置有内螺纹、外侧面设置有斜齿、一个端部设...

本发明提供一种测量高密度等离子体运动速度的方法，基于光在高密度梯度的等离子体边界发生折射的原理，设计光学系统产生两束呈小角度入射的光束；这两束光束方向垂直于等离子体边界的运动方向，采用4f系统成像，在第一个透镜的焦点实现两束光束即第一光...

本发明提供一种基于特征吸收谱线测量F‑P腔自由光谱范围的方法，采用可调谐窄线宽二极管激光器波长扫描的方法同时测量F‑P腔透过率曲线和两条特征吸收谱线的吸收光谱，然后通过计数两条特征吸收谱线的谱线间隔内F‑P腔透过率曲线的干涉峰数量来实现...

本发明公开一种波长调制吸收法同步测量流场压强、温度、浓度的方法，采用波长调制吸收信号的宽度来反演流场压强，然后利用压强对调制吸收信号强度的影响曲线修正压强对调制吸收信号的强度的影响，最后利用常规的TDLAS双线法测量原理反演流场的温度和...

本发明涉及一种SRAM存储器抗瞬时电离辐射效应加固方法。本发明采用的加固方法是在不改变电路设计和工艺步骤的前提下利用反应堆中子辐照提高商用SRAM存储器瞬时电离辐射闩锁效应阈值以及提高抗瞬时电离辐射翻转效应阈值，该方法是对商用SRAM存...

本发明属于激光效应测试技术领域，涉及一种金属试件表面反射率测量装置及方法。本发明提供的装置包括测量积分球和背景积分球，测量积分球和背景积分球的连接处设置有贯通的试件安装孔；测量积分球上安装有测量光电探测器，背景积分球上安装有背景光电探测...

本发明涉及Z箍缩金属丝阵负载结构及金属丝早期融蚀现象分析方法，其中负载结构包括阳极、阴极及金属丝阵，所述阳极与阴极相对设置，所述金属丝阵位于阳极与阴极之间；所述金属丝阵包括至少两根金属丝，金属丝之间平行设置；Z箍缩金属丝阵负载结构还包括...