本发明属于脉冲功率技术领域，涉及一种轴向引出双极板卷绕脉冲形成线，所述脉冲形成线主体由两层极板和两层介质同时以阿基米德螺旋线的方式卷绕而成，从内到外依次为高压极板、内侧绝缘介质、低压极板、外侧绝缘介质，其中高压极板和低压极板的位置可以互...

本发明提供了一种激光‑X射线联袂通信系统，包括沿信号传输方向依次设置的数字信号发射源、信号调制器、第一半导体激光器、转换装置、光电探测器和信号解调器；本发明采用激光→X射线→激光相互转换的技术思路，结合X射线通信和激光通信方式的各自优势...

本发明属于脉冲功率技术领域，特别涉及一种测电流用的高信噪比同轴电缆连接器，所述同轴电缆连接器的构成包括镀金外导体、引出外导体、带螺纹外导体、引出内导体、镀金内导体、分压大电阻和n个并联采样电阻，其中n≥3。本发明测电流用高信噪比同轴电缆...

本发明属于脉冲功率技术领域，特别涉及一种带二级分压的高密封同轴电缆连接器，高密封同轴电缆连接器构成包括引出外导体、带螺纹外导体、镀金外导体、引出内导体、高阻值电阻、镀金内导体、上四氟衬套、玻璃水浇筑体和下四氟衬套。本发明带二级分压的高密...

本发明属于光电成像监测技术领域，具体涉及一种用于光电成像监测的辐射防护系统及辐射防护方法。该辐射防护系统包括成像反射模块和辐射屏蔽模块；成像反射模块位于辐射源和光电成像监测系统之间，用于将辐射源的图像信息经光路反射后进入光电成像监测系统...

鉴于对HPM源中的强电磁场真空击穿问题研究的必要性和击穿机理研究的困难，本发明提供了一种测试腔、HPM传输波导击穿实验装置以及利用该装置研究击穿问题的方法。其中测试腔包括两个相同的反射腔；反射腔的内腔为圆筒状，反射腔的半径ra和宽度la...

一种介入式在体实时肿瘤成像方法及系统，成像方法包括：调整太赫兹及红外源出射光波的极化方向，经阵列光纤束传导至待检测组织，并将组织反射的信号转换成竖直极化偏振波，再入射至探测器成像。成像系统包括太赫兹及红外源与太赫兹探测器、整形单元、极化...

本发明公开了一种利用蒙特卡罗模拟评估光电成像器件辐射损伤的方法，该方法的步骤是：1、根据光电成像器件几何结构、区域材料和掺杂浓度，构建三维模拟模型；2、确定辐射粒子或射线的种类及能量范围；3、确定光电成像器件的辐射损伤敏感区域；4、利用...

本发明涉及一种电容器，尤其涉及一种具有极板偏移结构电容芯子的电容器，适用于各种交直流高电压的环境中所使用的电容器。包括高压电极、接地电极及位于高压电极与接地电极之间的电容芯子，电容芯子包括依次平行排列的尺寸相同的第一极板、第N极板及位于...

本发明公开了一种基于静电除尘原理的带有自清洁光窗的闭环放电激励脉冲重频气体激光器及其运行方法，激光器包括激光器主体、脉冲放电泵浦源、谐振腔、自清洁光窗、气体循环装置、气体供给单元和真空单元；自清洁光窗由光窗清洁器和窗口构成；光窗清洁器包...

本发明提供了一种基于图像传感器多帧曝光的瞬态成像动态范围扩展方法，包括步骤：选取图像传感器和像增强器的类型，确定图像传感器的最大曝光次数n；将图像传感器与像增强器进行耦合；在瞬态现象发生过程中、像增强器的余辉衰减时间内，使图像传感器进行...

本发明涉及一种辐射探测装置，具体涉及一种基于短波光注入的快时间响应半导体辐射探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括探测器前盖及半导体晶体，还包括短波光源，所述短波光源设置于探测器前盖内侧壁上，短波光源指向半导体晶体中心，...

本发明提供了一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法，包括步骤：建立被研究半导体存储器件的器件模型；获取器件模型的蝴蝶特性曲线；对器件模型的蝴蝶特性曲线进行校准；在半导体器件数值计算模型中添加重离子单粒子效应物理模型；设定重离子...

本实用新型提供一种测试材料射频响应性能的装置，包括孪生角锥喇叭和一般角锥喇叭，孪生角锥喇叭和一般角锥喇叭连接构成密闭腔体；测试样品置于孪生角锥喇叭与一般角锥喇叭的连接处；孪生角锥喇叭的一个端口接微波源，另一个端口位于反射波路上并接反射波...

本实用新型属于脉冲功率技术领域，涉及一种螺旋脉冲形成线。该螺旋脉冲形成线包括绝缘基筒和呈螺旋状缠绕在绝缘基筒上的多根螺旋线；其特征在于：还包括螺旋线束约束环；螺旋线束约束环为两个分别安装在绝缘基筒两端的薄壁金属环；螺旋线束约束环上沿轴向...

本实用新型涉及一种适用于辐射效应研究中长距离对半导体器件伏安特性曲线进行测量的测量系统，具体涉及一种基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统。该测量系统包括控制计算机、源表、矩阵开关、测试板和辐照板；所述控制计算机分别与源表...

本实用新型提供一种集成微波测量装置，包括示波器、视屏电缆、屏蔽筒、依次位于屏蔽筒内的波同转换、同轴衰减器、检波器、转接头；上述波同转换的接口端与屏蔽筒的一端固连，上述波同转换的输出端与同轴衰减器的输入端直接连接，上述同轴衰减器的输出端与...

本发明属于肿瘤成像领域，具体涉及一种反射式实时肿瘤成像方法及系统。成像方法包括：调整太赫兹波的极化方向，经四分之一波片转换为圆偏振波后扫描待检组织，将组织反射的信号转换成竖直极化偏振波，再入射至探测器成像。成像系统包括太赫兹源、太赫兹探...

本发明公开了一种外腔主动调Q的双波长脉冲交替输出激光装置及方法，其结构包括主谐振腔和外腔，外腔包括依次设置的调Q器件、光束整形元件和色散单元；主谐振腔接收泵浦光，调Q器件控制外腔反馈特定波长至主谐振腔。能实现了两个波长激光脉冲的交替输出...

本发明属于高性能太赫兹辐射源领域，提供一种扩展互作用速调管及其制作方法，包括输入谐振腔、输出谐振腔与N个中间谐振腔，输入谐振腔与输入波导连通，输出谐振腔与输出波导连通，输入谐振腔、输出谐振腔与N个中间谐振腔的中心处设置有互相连通的电子束...