本发明提供一种带积分量权重的中子能谱解谱方法，将活化箔权重因素引入迭代过程并采用新的截断条件及病态数据剔除方法，能够在更符合物理实际的条件下准确完成中子能谱解谱。本方法通过统计理论推倒出判断截断条件比其他方法的误差截断和迭代次数截断相比...

本发明涉及一种延时可调双脉冲快前沿冲击电流产生装置和方法，延时可调双脉冲快前沿冲击电流产生装置包括自内而外依次设置的预脉冲电流源、内箱体、主脉冲电流源和外箱体；所述主脉冲电流源和预脉冲电流源之间的延时时间由双组多路输出快前沿触发器控制。...

本发明涉及一种用于X箍缩负载电流的同轴式分流器，包括金属屏蔽壳体、镍电阻及电缆接头，镍电阻位于金属屏蔽壳体内，并与金属屏蔽壳体同轴设置；镍电阻包括镍膜、圆柱形绝缘骨架、电极一及电极二，镍膜包覆在圆柱形绝缘骨架的外表面，电极一与电极二位于...

本实用新型涉及一种X射线能谱测量装置，包括多个呈阵列排布的准直器，每个准直器内部均安装有吸收片、隔离套筒和探测器；吸收片位于准直器一端，吸收片的接收端面朝向X射线入射方向，吸收片的出射端面朝向探测器；探测器位于准直器的另一端，与数据采集...

本实用新型涉及一种X射线能注量测量装置，包括准直器、闪烁体、减光片、光电管；闪烁体嵌套于准直器中心，闪烁体一端朝向射线源，闪烁体的另一端通过一个减光片与光电管的光阴极相连；减光片外围设置有绝缘衬垫；光电管的信号输出端与数据采集系统相连。...

本实用新型涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关...

本发明提供一种基于ZnO材料的超快脉冲辐射成像系统，包括暗箱、光学反射镜、光学变焦镜头、高速成像设备和计算机，还包括ZnO成像屏和低温制冷系统；低温制冷系统包括接触式低温传导模块、低温制冷循环模块、温度监测及控制模块、真空室以及真空泵；...

本发明涉及复合材料介电常数的模拟，特别涉及一种陶瓷‑有机聚合物复合薄膜介电常数的模拟方法。本发明提供的陶瓷‑有机聚合物复合薄膜介电常数的模拟方法，是在Logarithmic模型中引入陶瓷颗粒的形状因子n，得到改进Logarithmic模...

本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P-N-P-N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工...

本发明属于脉冲功率领域，具体涉及一种电子束箍缩过程诊断系统及其诊断方法。该诊断系统包括沿电子束入射方向依次设置的复合阳极和图像采集系统；复合阳极包括相互贴合的导电膜和闪烁体，导电膜朝向电子束入射端；图像采集系统设置于闪烁体一侧。导电膜和...

本实用新型涉及核技术应用领域，尤其涉及一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法。本实用新型提出一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法，利用单丝气体闪烁正比结构中的强电场将单粒子在气体闪烁体中产生的荧光倍增，再通过高灵敏高量子效率的...

本实用新型提供了一种对低能伽马射线具有高透过率的耐压容器。其包括射线透射板、支撑壁和进样口；射线透射板设置于支撑壁的端面，支撑壁为圆筒形结构，射线透射板的端面设有凹槽。本实用新型便于一体化制作，制作更为简单，不需要其它的辅助支撑部件。多...

本发明涉及一种小焦斑大剂量辐射输出的自磁聚焦X射线二极管，具体涉及一种阳极箔产生等离子体加强箍缩聚焦的小焦斑X射线二极管，包括阴极和阳极，阴极的发射端和阳极的接收端真空密封于阳极外筒中，该小焦斑X射线二极管还包括与阳极等电位的阳极箔，阳...

本发明公开了一种不可见激光器的外加可见光指示装置，包括可见光激光器、转镜和荧光屏，所述的转镜由对不可见激光高透射的材料制成，且可绕镜片中心轴线旋转，转镜以镜片中心为扇形顶点分成三个扇形区域，分别为荧光区、反射区和透射区，所述的荧光区设置...

本发明涉及一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。包括组合逻辑电路；所述组合逻辑电路包括目标电路模块、选通电路模块、单粒子瞬态脉冲宽度测量模块和延时单元延迟时间标定模块。本发明提供了一种自触发信号产生电路结构简单，不需要特殊的延...

本发明公开了一种用于百千伏脉冲电压的绝缘油试验油杯，阴极盖板、筒状绝缘外罩和阳极盖板组成一个密封腔体，阴极与阴极盖板为螺纹连接，阳极与阳极盖板为螺纹连接，阳极右端连接有电接触铜极；该油杯作为整体通过阴极盖板上的螺纹固定在开关阴极上，将形...

本发明涉及一种基于触发器链的逻辑电路单粒子效应测试方法。包括一下步骤：1】基于某个工艺节点设计多级数触发器链；2】对触发器链进行版图设计，再进行版图寄生参数提取；3】利用某个重离子LET值的辐射源进行单粒子效应实验；4】通过时钟信号得到...

本发明属于脉冲功率技术领域，涉及一种同轴结构的螺旋重入多倍压形成线，其目的是解决脉冲变压器充电能力制约脉冲功率装置产生更高电压的问题。本发明包括形成线的外线、螺旋重入内线和主开关共3个部分组成，其中螺旋重入线包含螺距不同的多个螺旋线区段...

本实用新型涉及一种气溶胶采样器流量在线校准装置，包括标准孔板流量计、软管及变径管，包括标准孔板流量计、软管及变径管；所述标准孔板流量计前端为进气口，后端与软管前端连接，所述软管后端与变径管的小端连接，所述变径管的大端与超大流量气溶胶采样...

本实用新型属于脉冲辐射探测领域，具体涉及一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置。该探测装置包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；辐射探测器包括半导体激光器和为...