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先之科半导体科技东莞有限公司专利技术
先之科半导体科技东莞有限公司共有162项专利
高栅极击穿电压的场效应晶体管制造技术
本发明公开了高栅极击穿电压的场效应晶体管,包括场效应管本体,所述场效应管本体的底端固定连接有三组引脚,所述场效应管本体内部的两侧分别设置有一组滑槽,所述场效应管本体的底端固定连接有防滑垫,所述防滑垫与引脚活动连接
MOS制造技术
本发明公开了
一种高电接触性能的贴片式三极管制造技术
本发明公开了一种高电接触性能的贴片式三极管,包括三极管本体
场效应晶体管加工用的上料装置制造方法及图纸
本发明公开了场效应晶体管加工用的上料装置,包括第一输送带,所述第一输送带底端的两侧固定连接有支撑腿,所述第一输送带的一侧安装有第二输送带,所述第二输送带底端的一侧固定连接有伸缩腿,所述第一输送带两端的两侧固定连接有固定板,所述固定板的一...
薄膜型绝缘栅场效应晶体管制造技术
本发明公开了薄膜型绝缘栅场效应晶体管,包括绝缘栅场效应晶体管本体和外散热护套,绝缘栅场效应晶体管本体的两端皆连接有安装高度调节机构,安装高度调节机构包括机座、电磁线圈、吸附机壳、预留滑槽、吸附滑块和固定支脚。本发明通过安装有吸附滑块和预...
一种改良型拉直组件制造技术
本发明提供一种改良型拉直组件,包括第一L形拉杆结构、第二L形拉杆结构、横向安装板A,还包括直线电机和推送结构;横向安装板A与第一L形拉杆结构连接;横向安装板A安装有直线电机,直线电机与第二L形拉杆结构连接;推送结构包括竖向安装板、横向安...
直插整流大功率二极管制造技术
本发明公开了直插整流大功率二极管,包括P型半导体和极管脚,所述P型半导体的一侧固定连接有N型半导体,所述P型半导体和N型半导体的外部套接有固定套,所述固定套的两侧设置有第一固定块,所述第一固定块的一侧固定连接有极管脚,所述P型半导体的外...
一种防尘二极管结构制造技术
本实用新型涉及二极管技术领域,具体涉及到一种防尘二极管结构,包括:上封装体、下封装体、芯片安装槽、接触电连结构和散热翅片,所述上封装体和下封装体相配合,所述下封装体顶面固定安装有所述芯片安装槽,所述上封装体通过所述芯片安装槽与所述下封装...
MOS晶体管的新型自动化加工设备制造技术
本发明公开了MOS晶体管的新型自动化加工设备,包括底板、支撑板、伸缩组件和自动输送台,自动输送台底部的中心处设置有槽口,且自动输送台下端面靠近槽口的底部设置有清理装置壳体,清理装置壳体顶端的内部横向活动设置有清理滚动毛刷,清理滚动毛刷的...
一种二极管自动上料结构制造技术
本发明提供一种二极管自动上料结构,包括上料轨道本体、检测装置、拨料结构,拨料结构的下方并且位于上料轨道本体的相对两侧分别设置有第一翻转结构和第二翻转结构;第一翻转结构和第二翻转结构均包括旋转驱动电机和临时储料腔,旋转驱动电机的动力输出端...
高稳定性的通用型贴片式三极管制造技术
本发明公开了高稳定性的通用型贴片式三极管,包括下壳体、引脚、集电极导电板和上壳体,下壳体内部的中央位置处设置有集电极导电板,下壳体内部的两侧分别设置有基极导电板和发射极导电板,集电极导电板、基极导电板和发射极导电板上均设置有引脚,下壳体...
快装型MOS晶体管制造技术
本发明涉及MOS晶体管技术领域,提供快装型MOS晶体管,包括MOS晶体管主体、连接槽和第一连接块,所述MOS晶体管主体的底部设置有连接槽,所述连接槽的内部设置有第一连接块。本发明通过设置有卡接结构,将密封圈移至固定座的顶端,使卡结块的一...
耐高温的高安全性大功率二极管制造技术
本发明公开了耐高温的高安全性大功率二极管,包括二极管外密封壳体、冷却空腔套壳体、水泵和冷却进水管,二极管外密封壳体的外部固定有冷却空腔套壳体,冷却空腔套壳体顶部的一端对称固定有限位块,且两个限位块中间设有安装座,安装座的顶部固定有水泵,...
一种高效率的MOS晶体管加工设备制造技术
本发明公开了一种高效率的MOS晶体管加工设备,包括主机体、传送器、第一旋转驱动件和固定架,主机体顶部的左侧固定有传送器,传送器内部的两侧活动设置有轴,传送器中的轴上盘绕有第一丝杠,传送器的外部通过螺栓固定有第一旋转驱动件,第一旋转驱动件...
一种高效改良型防堵塞二极管编带机用上料组件制造技术
本发明提供一种高效改良型防堵塞二极管编带机用上料组件,包括截面呈漏斗状的储料腔,储料腔包括储料上部以及出料下部,储料上部通过中空隔条划分形成多条储料通道;各中空隔条的底部均与出料下部连通,储料腔与各中空隔条对应的位置均设置有挡料结构;挡...
一种二极管料带压直组件制造技术
本发明提供一种二极管料带压直组件,其特征在于:包括工作台和多个压直结构,所述工作台上表面的中部设置有至少一导向环,所述导向环将所述工作台划分成左右两作业空间;所述压直结构包括U形收纳框、推拉电机、旋转电机、压块;所述推拉电机居中安装在所...
一种大功率二极管小型化封装结构制造技术
本实用新型涉及二极管封装技术领域,且公开了一种大功率二极管小型化封装结构,包括基座、封装体、阳极引脚、阴极引脚和二极管芯片。采用可拆卸连接机构与二极管芯片进行电性连接,上下相邻的封装体利用可拆卸连接机构进行连接,以及上下相邻的二极管芯片...
一种可拆卸的二极管结构制造技术
本实用新型涉及贴片二极管技术领域,具体涉及到一种可拆卸的二极管结构,包括:二极管封装体、引脚圈、引脚柱、二极管芯片和电路基板,所述二极管封装体内固定安装有所述二极管芯片,所述二极管芯片的两侧固定安装有引脚圈,所述引脚柱的外径面与所述引脚...
一种便于维护且使用寿命长的MOS晶体管制造技术
本发明公开了一种便于维护且使用寿命长的MOS晶体管,包括外壳,外壳侧面以及底端的内部设置有多组安装孔,外壳的内侧设置有接触装置,接触装置和外壳之间的四面以及底部分别设置有散热组件,散热组件的一侧设置有导热杆,导热杆的一端设置有散热片,且...
一种带有插接端子结构的场效应晶体管制造技术
本发明公开了一种带有插接端子结构的场效应晶体管,包括导热硅脂封装外壳体、芯片主体、插接件和内置弹性件,导热硅脂封装外壳体的内部安装有芯片主体,芯片主体的底部且与导热硅脂封装外壳体内底部固定连接有插脚座,插脚座的两侧内连接有活动槽,活动槽...
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