一种带有插接端子结构的场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种带有插接端子结构的场效应晶体管，包括导热硅脂封装外壳体、芯片主体、插接件和内置弹性件，导热硅脂封装外壳体的内部安装有芯片主体，芯片主体的底部且与导热硅脂封装外壳体内底部固定连接有插脚座，插脚座的两侧内连接有活动槽，活动槽内部的两侧连接有限位滑槽，活动槽的内侧通过内置弹性件连接有插接件，插接件的两侧固定有限位滑块。本发明专利技术通过在利用限位滑块沿限位滑槽内滑动且配合内置弹性件的回弹性实现插接件可自动与电路板上预设的插槽进行插接，可对导热硅脂封装外壳体起到预先卡固作用，为后期引脚与电路板固定连接以及整体与电路板装配的工作提供便捷性以及安装速度得以提升。供便捷性以及安装速度得以提升。供便捷性以及安装速度得以提升。

【技术实现步骤摘要】
一种带有插接端子结构的场效应晶体管


[0001]本专利技术涉及场效应晶体管
，具体为一种带有插接端子结构的场效应晶体管。

技术介绍

[0002]场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属
‑
氧化物半导体场效应管(metal
‑
oxide semiconductor FET，简称MOS
‑
FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者，场效应晶体管简称场效应管，主要有两种类型：结型场效应管和金属
‑
氧化物半导体场效应管。场效应晶体由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有插接端子结构的场效应晶体管，其特征在于，包括导热硅脂封装外壳体(1)、芯片主体(2)、插接件(6)和内置弹性件(14)，所述导热硅脂封装外壳体(1)的内部安装有芯片主体(2)，所述芯片主体(2)的底部且与导热硅脂封装外壳体(1)内底部固定连接有插脚座(5)，所述插脚座(5)的两侧内连接有活动槽(13)，所述活动槽(13)内部的两侧连接有限位滑槽(1301)，所述活动槽(13)的内侧通过内置弹性件(14)连接有插接件(6)，所述插接件(6)的两侧固定有限位滑块(601)。2.根据权利要求1所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管，其特征在于：所述导热硅脂封装外壳体(1)的两侧内连接有散热孔(101)。3.根据权利要求2所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管，其特征在于：所述导热硅脂封装外壳体(1)外部的顶部通过连接轴(9)活动连接有防护挡片(10)。4.根据权利要求3所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋发坤，
申请(专利权)人：先之科半导体科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：