半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属部件(2)、金属薄膜层(3)、焊料部(51)以及合金部(41)。金属薄膜层(3)覆盖金属部件(2)。金属薄膜层(3)包括第1区域(R1)。焊料部(51)将半导体元件(1)与金属薄膜层(3)的第1区域(R1)接合。合金部(41)被配置在比第1区域(R1)靠外侧的位置。合金部(41)是金属部件(2)与金属薄膜层(3)的合金。金属薄膜层(3)具有比金属部件(2)更高的针对焊料部(51)的浸润性。合金部(41)具有比金属薄膜层(3)更低的针对焊料部(51)的浸润性。(51)的浸润性。(51)的浸润性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]由于地球温室化以及酸雨等环境问题的日益严峻，在电能的生成、回送及再生的所有场合中，作为电力用半导体装置的功率模块正在迅速普及。如何高效地将由于功率模块所处理的大电流和高电压而在功率模块中产生的较大发热排出到外部是功率模块的重要开发点。多使用铝作为功率模块的散热基座板及翅片。铝具有较高的热传导率，并且是轻量的。
[0003]然而，无法用普通焊料来接合铝。因此，为了提高相对于焊料的浸润性，多在铝的表面实施铜或镍等金属镀敷。在设置有铝制导体层的陶瓷基板中，为了限制焊料的浸润范围，通过金属镀层局部覆盖导体层。即，利用导体层的通过去除金属镀层而从金属镀层露出的部分来限制焊料的浸润范围。例如，在日本特开2011
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60969号公报(专利文献1)中，当在树脂基板整面设置金属镀层(金属薄膜层)之后，通过使用蚀刻液的蚀刻将金属镀层的不需要部分去除。
[0004]现有技术文献
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其中，所述半导体装置具备：半导体元件；金属部件；金属薄膜层，其覆盖所述金属部件，并且包括第1区域；焊料部，其将所述半导体元件与所述金属薄膜层的所述第1区域接合；以及合金部，其被配置在比所述第1区域靠外侧的位置，并且是所述金属部件与所述金属薄膜层的合金，所述金属薄膜层具有比所述金属部件更高的针对所述焊料部的浸润性，所述合金部具有比所述金属薄膜层更低的针对所述焊料部的浸润性。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备间隔体，所述间隔体是所述金属部件与所述金属薄膜层的合金，所述间隔体在所述第1区域中比所述金属薄膜层更朝向所述半导体元件突出，所述半导体元件隔着所述焊料部与所述间隔体重叠。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述合金部包括环状部，所述环状部包围所述焊料部。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述合金部还包括多个突出部，所述多个突出部从所述环状部朝向所述焊料部突出。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备：散热器；散热器侧金属薄膜层，其覆盖所述散热器，并且包括第2区域；背面侧焊料部，其将所述散热器与所述散热器侧金属薄膜层的所述第2区域接合；以及背面侧合金部，其被配置在比所述第2区域靠外侧的位置，并且是所述散热器与所述散热器侧金属薄膜层的合金，所述散热器侧金属薄膜层具有比所述散热器更高的针对所述背面侧焊料部的浸润性，所述背面侧合金部具有比所述散热器侧金属薄膜层更低的针对所述背面侧焊料部的浸润性。6.一种电力转换装置，其中，所述电力转换装置具备：主转换电路，其具有权...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野纯司，伊波康太，浅田晋助，巽裕章，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：