本发明提供了一种以锂基复合薄膜为保护层的锂离子电池硅负极材料及方法，在纳米硅颗粒外部修饰有锂基复合薄膜作为保护层。锂基复合薄膜为双层lithicone/Li2O、双层Li2O/lithicone或叠层([(Li2O)

本发明提供了一种蓬松状硝化棉基含能复合物的制备方法。该方法具体包括制备硝化棉溶液、制备静电纺丝前驱体溶液、纺丝前准备、进行静电纺丝和进行干燥五个步骤。该方法不仅保持了含能材料微观结构上的微纳米结构，在宏观上也改变了传统的薄膜状形态，制备...

本发明公开了一种三官能度芳香族腈氧化物化合物及其合成方法，具有(I)所示的化学结构式，合成步骤包括磺酰酯化、醚化、肟化和脱氢氧化四步反应。本发明三官能度芳香族腈氧化物化合物可在室温(20～30℃)下稳定存在，易于保存和长期储存。分子结构...

本发明公开了一种柱[5]芳烃交联材料的制备方法及其应用。本发明利用溴乙基柱[5]芳烃与二咪唑化合物间N

本发明公开了四(甲氧基)含蒽基团甘脲分子夹晶体材料回收TNT的应用，属于晶体材料应用领域。本发明通过结晶方法制备四(甲氧基)含蒽基团甘脲分子夹晶体材料，将粉状晶体细粉分散于废弃物，搅拌实现四(甲氧基)含蒽基团甘脲分子夹晶体对TNT的吸附...

本发明公开了一种具有超低介电损耗的液晶化合物、组合物和高频组件，化合物的结构式如式Ⅰ所示：其中R选自碳原子数为1～10的烷基或烷氧基、碳原子数为2～10的烯基或烯氧基、氟化烷基、氟化烯基和环烷基或含环烷基取代的烷基；X1～X8为甲基或氢...

本发明公开了一种4

本发明公开了一种具有高清亮点和低介电损耗的液晶化合物及组合物，以及包含此组合物的高频组件，液晶化合物的结构如通式(Ⅰ)所示：其中，环A和环B分别为环己基、环己烯基或苯环；X1～X4其中之一为甲基，其余为氢原子；R是碳原子数为1～9的直链...

本发明公开了一种端六叠氮基硝酸酯聚醚粘合剂及其合成方法，该方法首先以三叠氮新戊醇和缩水甘油醚硝酸酯为原料，三氟化硼

一种用于火炸药声共振混合的防爆型自动开盖装置，包括平台和位于平台上方的旋转单元，旋转单包括至少一个冲击杆；还包括位于旋转单元下方的固定块和紧压开盖单元，紧压开盖单元包括紧压旋转轴，固定块上设有垂直于水平面的通孔，紧压旋转轴穿过通孔且与通...

本发明公开了一种端丙烯酸酯基聚缩水甘油醚硝酸酯、制备方法及应用。所公开化合物的结构式如(I)所示；本发明的端丙烯酸酯基聚缩水甘油醚硝酸酯(APGN)具有端基双键，可以在紫外光下快速固化；本发明的端丙烯酸酯基聚缩水甘油醚硝酸酯(APGN)...

本发明属于火炸药技术领域，具体涉及一种复合含能材料及其制备工艺。所涉及的复合含能材料由核芯颗粒、金属粉和钝感剂制备而成；所述核芯颗粒的制备方法包括：将硝铵类含能材料和硼粉的混合溶液经喷雾干燥后制得炸药颗粒，接着将炸药颗粒与硝铵类含能材料...

本发明公开一种三(3,5

本发明属于含能材料计算化学领域，具体涉及一种基于含能化合物分子晶体中分解始发键评价物质稳定性的方法，以解决“键能法”不适用于分子晶体模型，“键级法”不能横向比较化合物物质稳定性的技术问题。本发明方法通过计算含能化合物分子晶体内化学键的能...

本发明公开联苯吡菌胺的合成方法，包括步骤1：将镁粉和溶剂A混合，加入3,4

本发明公开了一种酸催化缩酮法合成N

本发明公开了一种α

本发明提供了一种选择性加氢脱氯合成1,1,2

本发明公开了一种端四烯基聚醚粘合剂及其合成方法，该方法以2，7

本发明公开了一种TiB2改性Mo2FeB2基复合材料的制备方法。所公开的方法包括：将Mo、FeB、Fe和TiB2粉的混合粉体依次进行球磨、模压成型制成坯体，之后将所述坯体在真空碳管炉中进行烧结，制备TiB2改性Mo2FeB2基复合材料；...