一种具有超低介电损耗的液晶化合物、组合物和高频组件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有超低介电损耗的液晶化合物、组合物和高频组件，化合物的结构式如式Ⅰ所示：其中R选自碳原子数为1～10的烷基或烷氧基、碳原子数为2～10的烯基或烯氧基、氟化烷基、氟化烯基和环烷基或含环烷基取代的烷基；X1～X8为甲基或氢，且X1～X8中至少有两个取代基是甲基；Z1和Z2分别选自单键、

【技术实现步骤摘要】
一种具有超低介电损耗的液晶化合物、组合物和高频组件


[0001]本专利技术属于液晶材料
，具体涉及一种具有超低介电损耗的液晶化合物、组合物和高频组件，主要适用于滤波器、可调频率选择表面、微波移相器、微波相控阵天线等领域。

技术介绍

[0002]液晶材料在光电显示器件中得到了广泛应用，例如在各种液晶电视、桌面液晶显示器、移动显示终端等。利用液晶材料的有效介电常数随外加电场或磁场作用下发生变化的性质，开发出了基于液晶材料的新型高频(1GHz～100GHz)元器件，如基于液晶材料的微波移相器等。
[0003]在这些基于液晶的高频元器件中，液晶材料的介电调谐率决定微波器件的调谐能力。对液晶材料而言，其介电调谐率(τ)如下式(1)所示，由液晶材料在高频下的介电各向异性(Δε)及分子平行方向的介电常数(ε
∥
)所决定：
[0004]τ＝Δε/ε
∥
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式(1)；
[0005]液晶材料的介电损耗是影响其微波器件插入损耗的一个重要因素。为了获得高性能的液晶微波器件，必须降低液晶材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有超低介电损耗的液晶化合物，其特征在于，所述的化合物的结构式如式Ⅰ所示：其中R选自碳原子数为1～10的烷基或烷氧基、碳原子数为2～10的烯基或烯氧基、氟化烷基、氟化烯基和环烷基或含环烷基取代的烷基；X1～X8为甲基或氢，且X1～X8中至少有两个取代基是甲基；Z1和Z2分别选自单键、
‑
C≡C
‑
、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CF＝CF
‑
和
‑
CH2CH2‑
；A环为苯环、环己烷或环己烯，其中苯环上的氢原子还可以被甲基或卤素取代；n＝0、1或2。2.根据权利要求1所述的具有超低介电损耗的液晶化合物，其特征在于，具体化合物如下表所示：
3.一种具有超低介电损耗的液晶化合物，其特征在于，所述的化合物的结构式如下表所示：
4.一种具有超低介电损耗的液晶组合物，其特征在于，包含一种或两种以上选自权利要求1
‑
3任一所述的具有超低介电损耗的液晶化合物。5.根据权利要求4所述的具有超低介电损耗的液晶组合物，其特征在于，按质量百分比计，所述的具有超低介电损耗的液晶化合物的含量为1％～100％。
6.根据权利要求4或5所述的具有超低介电损耗的液晶组合物，其特征在于，包含一种或两种以上选自结构通式Ⅱ的化合物作为第二组分：其中R2和R3分别为碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为2～10的烯基、氟化烷基、氟化烯基、环烷基、卤素或NCS；环A和环B分别为苯环、环己烷或环己烯，其中苯环上氢原子可以被氟原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建，胡明刚，李娟利，莫玲超，车昭毅，万丹阳，安忠维，张璐，杨诚，史凤娇，
申请(专利权)人：西安近代化学研究所，
类型：发明
国别省市：