一种利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备工艺，它是由下述工艺过程制备成：溶胶制备、衬底预处理、制备碳纳米管薄膜阴极、检验、包装。本发明的碳纳米管生长密度可通过溶胶浓度加以调节，由于催化剂通过涂敷方法引入衬底表面，可实现大面积生长，...

宽温窄阻带厚膜空／燃比传感器的制备方法，根据Ｎ型过渡金属氧化物半导体在氧化气氛下晶界势垒高度的提高，还原气氛下晶界势垒高度的降低，采用金红石型ＴｉＯ↓［２］结构对体内进行Ｎ型掺杂，晶界进行Ｐ型复合扩散。使样品在氧化气氛下，电导急剧降低，...

一种涉及微机械和微电子领域的用于标定单晶硅晶圆晶向的方法。通过一套精心设计的比对图案和随之而进行的预刻蚀加工，将晶圆的晶向清晰地暴露出来，通过观察不同的比对图案所形成的刻蚀结果，可以将晶圆的晶向标定误差控制在±０．１°之内，采用数字图象...

本发明公开了一种基于分立元件的电力电子集成模块的制备，首次提出基于分立元件的电力电子集成模块的概念。将功率器件及驱动、控制和保护电路集成为一个独立功能模块，通过外接引脚连接少量外部元件就可以构成具有完成功能的电力电子装置。集成模块对原设...

本发明公开了一种内在并行的二维离散小波变换的ＶＬＳＩ结构的设计方法，通过移位加技术将滤波器中的乘法操作变为移位寄存器和加法器的操作；通过公用子表达式技术尽量减少滤波器实现中的移位寄存器和加法器的个数；通过滤波器合并技术将低通滤波器和高通...

本发明公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）设计和制造工艺，全套工艺除了Ｐ↑［＋］版和槽栅版两张光刻版以外，其余所有光刻都被省去，即只用两次光刻完成ＩＧＢＴ的器件制造，而且两次光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工...

本发明公开了一种四象限光电探测器光敏面四个区的光电转换平衡校正方法。该方法通过对四象限光电探测器的输出信号的合成进行分析，找出光电转换系数与探测器输出信号的关系，列出了关于探测器光敏面四个区的光电转换系数与探测器输出信号的方程组，通过求...

本发明公开了一种新颖、简洁、实用的四象限光电探测器检测与应用的模型法。该方法通过建立四象限光电探测器光路数学模型，即探测器输出电信号的特征参数与探测器光路参数之间的确定函数关系反推出探测器光路的参数，从而实现无须通过标定实验获得样本数据...

本发明公开了一种压力传感器，特别是一种在油井井下使用的耐高温微动压力或微流量传感器，由弹性元件［２］、主保护盖板［３］、次保护盖板［７］和ＳＯＩ硅微固态压阻芯片［５］及连接螺钉［８］组成，弹性元件和主保护盖板、次保护盖板通过螺钉连接在一...

本发明提供了耐高温固态压阻式平膜力敏芯片及其制作方法，经过ＳＩＭＯＸ工艺在硅片下注入二氧化硅绝缘层，在硅面上光刻出四个电阻Ｒ＃－［１］、Ｒ＃－［２］、Ｒ＃－［３］和Ｒ＃－［４］，得到凸出于二氧化硅表面的硅面的“浮雕式”电阻测量电路，通过...

本发明提供了一种固态压阻式耐高温压力传感器及其制作方法，该传感器包括基座１，玻璃环２，ＳＩＭＯＸ硅杯结构压阻芯片３，电路转接板４，压焊引线５，上盖６及连接电缆７；基座１与被测压力容器或管道相连接。玻璃环２与基座１和ＳＩＭＯＸ硅杯结构压阻...

一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法，其特征在于：在硅基底上生长腐蚀掩膜，通过一次掩膜工序作好选择性掩膜图形；将附有图形的待腐硅片图形向上水平浸入化学腐蚀液中，化学腐蚀液是ＨＦ、ＨＮＯ↓［３］和ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ的混合液；对...

一种纳米双相复合结构Ｚｒ－Ｓｉ－Ｎ扩散阻挡层材料，其特征在于该材料是由Ｚｒ片及其上放置若干Ｓｉ片组成的复合靶，在Ｓｉ基体表面上沉积Ｚｒ－Ｓｉ－Ｎ薄膜；所沉积的Ｚｒ－Ｓｉ－Ｎ薄膜为ＺｒＮ和Ｓｉ↓［４］Ｎ↓［３］组成的双相复合物。

本发明公开了一种太阳电热联产装置，由设置为一体的采光发电板和产热箱构成；采光发电板由透光板和太阳电池片构成，太阳电池片下面依次设置有吸热层、导热层和输热工质；产热箱体内还固定有用于把进入限流阀的输热工质均衡的分为几个流道的均衡导流分配器...

本发明公开了一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺，利用直流辉光放电法，在半导体器件的终端台面上淀积一层掺氧半绝缘多晶硅膜，再在掺氧半绝缘多晶硅膜上涂敷聚酰亚胺，达到钝化半导体台面器件的目的。采用本发明所提供的复合钝化工艺得到的硅半导体台面...

本发明公开了一种在腐蚀过程中保护微电子机械系统器件金属连线的密封方法，其步骤如下：１．将重量比为：１∶０．４－０．６∶０．０５－０．０８的环氧树脂Ｅ－５１↑［＃］、邻苯二甲酸二丁酯、偶联剂ＫＨ－５５０混合搅拌；在以上混合物中加入质量为环...

基于ＳＯＩ技术集成多传感器芯片，包括硅膜，硅膜与玻璃底座在真空环境下通过静电键合结合，中间形成相对独立的真空环境，硅膜的岛结构下端固定有重锤，硅膜的岛结构上集成有湿度传感器和温度传感器，硅膜上岛结构的四周集成有压力传感器和加速度传感器，...

本发明公开了一种基于压接互连工艺和混合封装技术的电力电子集成模块的制备方法，首次提出铍青铜弹簧压接互连工艺的原理以及采用该工艺设计制造电力电子集成模块的封装步骤。铍青铜压接互连工艺主要原理是通过铍青铜制作的特定形状和弹性的弹簧与绝缘栅双...

本发明公开了一种用于微纳器件或功能结构制造的深亚微米三维滚压模具及其制作方法。滚压模具包括一个滚筒，滚筒内部有电阻式加热器，其特征在于，该滚筒表面依次有模具金属层和纳米级厚度的类金刚石过渡层，构成深亚微米三维结构，其截面尺寸组合为：侧壁...

本发明公开了一种聚合物太阳能电池（ＰＳＣ）的深亚微米三维异质结界面的结构及其制作工艺步骤。该太阳能电池的特征为：其中ｐ型施主聚合物半导体薄膜和ｎ型受主聚合物半导体薄膜接触面的截面互为梯形镶嵌，构成深亚微米三维形状的异质结界面。本发明公开...