本发明公开了一种可折叠布艺收纳盒骨架安装装置，涉及包装机械领域，本装置主要由U形骨架的安装机构、收纳盒上边框内矩形骨架的固定机构和机架三部分组成；U形骨架的安装机构包括固定U形骨架的四个托块，控制U形骨架左右运动的手指气缸Ⅰ和横向滑块，...

本发明设计一种高强钢和不锈钢异种金属熔化极气体保护焊焊接工艺，属于异种金属焊接工艺技术领域。该工艺通过对焊接位置，焊接参数，焊枪设计等的控制和调整，使焊接完成后焊缝无裂纹，无气孔等缺陷。以达到良好成形，获得目标相近的异种金属焊接坯件。为...

本发明公开一种具有梯度孔径的Ni

本发明涉及一种基于可编程点阵磁场的智能磁控电弧系统。针对电弧焊接过程中电弧形态、运动轨迹不能精确控制的难题，本发明公开了一种基于可编程点阵磁场的智能磁控电弧系统。该系统利用基于电弧信号和实时励磁电流信号融合反馈的励磁电流波形控制方法控制...

本发明公开了一种基于主成分分析与随机森林的认知车联网频谱感知方法，所述认知车联网频谱感知方法，先构建城市环境下的车联网信道模型，在对应信道下获取接收信号矩阵；对所述接收信号矩阵利用主成分分析法进行降维，获得信号的主成分矩阵，然后结合随机...

本发明涉及了一种靶向性过氧化亚硝基荧光探针的制备和应用。该荧光探针的结构式为：本发明提供了以Cy

本申请公开了室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷及有序度可控的制备方法，其中，室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法包括：根据预设计量比称取氧化铅、氧化钽及氧化钪并混合，得到混合原料；将混合原料进行煅烧处理及预烧处理，...

本发明涉及一种新型的全自动沙漠作物种植机，属于林业技术领域。本发明包括移动机构、送料机构、种植机构、动力板块共四个部分；送料机构固定于移动机构框架上端，所述种植机构位于送料机构下方，与移动机构框架中部的龙门架相连。动力板块位于整体装置前...

本发明公开了一种双配体金属有机骨架材料NO2‑

本发明公开了一种便携式风致涡激振动发电装置，包括捕能装置、风向装置、扰流装置、底座；扰流装置处于在捕能装置前端，通过扰乱流场形成卡门涡街，从而增大捕能装置的振幅；捕能装置下端的捕能柱杆弯曲，压电片受压产生电能；风向系统由于风向片受风力，...

本发明提出一种减小脉冲涡流检测探头覆盖面积的多绕组分时激励方法，主要优势为：一、在不减小激励线圈的外径的前提下，缩小试件中感应涡流在径向的扩散范围；二、增加探头检测信号的幅值，有助于提高信噪比。其技术方案为：探头激励线圈由多个同轴绕组共...

本发明公开了一种基于Fluent对轴承箱冷却结构优化的方法，包括以下步骤：1）确定轴承箱冷却结构参数；2）建立冷却结构模型，将冷却结构模型导入ANSYA；3）划分流体域、固体域，同时设置进水口与出水口，将它们分别单独命名；4）进行网格划...

本发明公开了一种氮磷协效TiO2@镍钴水滑石基阻燃剂及其制备方法，通过以TiO2为核，以金属有机框架材料ZIF

本实用新型公开了一种带发电功能的多功能树木支撑装置，包括钢丝绳、棘轮装置、传动装置、轧带、支撑杆、脚撑。支撑杆在上、中、下三个位置开有安装孔，上端连接棘轮装置，中端连接传动装置，下端连接脚撑。所述钢丝绳串联起树干、棘轮装置以及传动装置，...

本发明公开了一种两旋转自由度同步控制精密转台装置及误差补偿方法，属于精密测量技术及仪器技术领域。装置由X轴旋转控制单元Ⅰ、Y轴旋转控制单元Ⅱ、位姿测控单元Ⅲ三部分组成，X轴和Y轴旋转控制单元相互独立，可实现两自由度旋转量同步的精确控制，...

带有柔性水冷板的电池结构，包括多个电池模组，电池模组呈多排直线排列，还包括设于电池模组之间的柔性水冷板，柔性水冷板排布于相邻直线排列的电池模组的缝隙之间；柔性水冷板由长条形的柔性膜封闭贴合连接而成，形成中空的水冷腔，柔性水冷板在长度方向...

本发明公开一种废锂离子电池极粉与电解液协同处置的方法。用空气分质得到的贫氧空气作为保护气体，将废电池进行破碎分选，分离收集极粉、铜箔、铝箔、外壳和隔膜，电解液挥发成有机废气；再将极粉与有机废气进行协同处理，以空气分质得到的富氧空气调节氧...

本发明公开了融合地、腔、贴片模的极化与波束复用天线设计方法，该方法从通信角度提出天线电参量复用概念，依据地、腔、贴片模式理论，使谐振模式极化正交，融合贴片谐振模式、腔边缘垂直极化谐振模式、地谐振模式来使平面天线在保持相同电参量条件下实现...

本发明提出了一种云环境下面向服务混部场景的容器调度方法。首先根据云环境下在线服务和离线负载的各项参数，并将其封装为容器，获得数据中心所有节点的性能参数，然后为待调度的容器计算容器间亲和性、节点亲和性和节点反亲和性，构建了面向服务混部的性...

本发明提出的一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/...