一种SiGeHBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法技术

本发明专利技术提出的一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数，第二预设温度低于第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第三1/f噪声参数；在预设辐照条件和第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第四1/f噪声参数；根据第一1/f噪声参数、第二1/f噪声参数、第三1/f噪声参数及第四1/f噪声参数，确定低温条件下待测SiGe HBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。感生缺陷分布变化。感生缺陷分布变化。

【技术实现步骤摘要】
一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法


[0001]本专利技术涉及晶体管领域，尤其涉及一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法。

技术介绍

[0002]锗硅异质结双极晶体管(Germanium
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silicon heterojunction bipolar transistor)是最早实现能带工程的硅基器件，具有优异的低温特性，通过对基区Ge的组分梯度控制，能够实现从低温到高温的工作温度范围。同时，SiGe HBT利用能带工程，在增益、频率响应噪声和线性度等方面都表现出优异的性能；其还与Si CMOS工艺具有良好的兼容性，对不同电路应用具有很强的适用性，是空间环境应用中的有力竞争者之一。但是，工作于空间辐射环境的航天电子系统会遭受到电离辐射的影响，导致器件性能退化甚至失效，严重威胁了器件工作的稳定性和可靠性。此外，器件应用于航天器外部时，空间极端的温度环境也会对其产生巨大影响。如在月球
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180℃～+120℃的典型极端宽温度范围，应用SiGe HBT器件可以使相关空间探测设备不需庞大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，其特征在于，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数，所述第二预设温度低于所述第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和所述第一预设温度下，利用1/f噪声对所述待测SiGe HBT进行检测，获得第三1/f噪声参数；在预设辐照条件和所述第二预设温度下，利用1/f噪声对所述待测SiGe HBT进行检测，获得第四1/f噪声参数；根据所述第一1/f噪声参数、第二1/f噪声参数、第三1/f噪声参数及第四1/f噪声参数，确定低温条件下所述待测SiGe HBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述确定低温条件下所述待测SiGe HBT中总剂量效应感生缺陷分布变化，包括：根据所述第一1/f噪声参数、第二1/f噪声参数、第三1/f噪声参数及第四1/f噪声参数，分别确定对应的所述待测SiGe HBT中氧化物陷阱电荷的浓度和界面态的位置；基于所述氧化物陷阱电荷的浓度和所述界面态的位置，确定低温条件下所述待测SiGe HBT的总剂量效应感生缺陷分布变化。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，还包括：将在预设辐照条件和所述第一预设温度下的待测SiGe HB常温退火，利用1/f噪声对其进行检测，获得第五1/f噪声参数；将在预设辐照条件和所述第二预设温度下的待测SiGe HB常温退火，利用1/f噪声对其进行检测，获得第六1/f噪声参数；所述常温退火时间大于160分钟。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭红霞，胡嘉文，马武英，钟向丽，欧阳晓平，李波，白如雪，刘益维，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：