本发明公开了一种采用多位SAR量化的高精度Sigma Delta ADC，包括：环路滤波器用于利用若干积分器将模拟输入信号进行离散积分处理；4Bit SAR量化器用于对经放大系数处理后的所有离散积分结果进行量化处理得到4Bit数字码；改...

本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种用于高速模数转换器的栅压自举开关电路，包括：开关管、P型栅压自举电路，以及N型栅压自举电路；其中开关管包括相互并联的NMOS管和PMOS管，其中开关管的一端连接至输入端V<subgt;in&...

本发明涉及一种可控型二极管雪崩整型器及其制备方法，雪崩整型器包括：衬底层、N‑外延层、P+外延层、N+区、阴极、第一阳极、第二阳极和氧化层，其中，N+区由P+外延层的部分上表面延伸至P+外延层的内部；第一阳极位于P+外延层上；第二阳极位...

本发明涉及一种沟槽二极管雪崩整形器件及其制备方法，N+型衬底层具有斜角侧壁,N‑型外延层的侧壁位于斜角侧壁的延长线上；沟槽区设置于N‑型外延层的上表面下方，沟槽区内间隔设置有若干个沟槽；P+型离子注入区从N‑型外延层的上表面延伸至内部，...

本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍...

本发明涉及一种JFET区具有阻挡层的MOSFET及其制备方法，MOSFET包括：衬底层、漂移层、P型基区、P+体区、N+源区、沟道区、侧翼阻挡层和中间阻挡层，其中，侧翼阻挡层位于中间阻挡层的两侧，由漂移层的上表面延伸至漂移层的内部，且侧...

本发明公开了一种基于第一性原理的薄膜临界厚度确定方法，包括：构建待生长的外延层多元化合物材料模型并进行结构优化，获得外延层多元化合物材料的晶格常数；根据外延层多元化合物材料的晶格常数获得外延层多元化合物材料与衬底材料的晶格失配度；利用结...

本发明公开了一种有源噪声整形逐次逼近型模数转换器及其控制方法，其中的器件包括：开关电容阵列，用于采样输入电压，并逐次分配其中各个电容的顶极板的电压以逼近输入电压；还用于在逐次逼近结束后，将各电容的顶极板的电压切换为全分别率的余差电压；整...

本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖...

本发明公开了一种电容阵列版图结构及逐次逼近模数转换器版图结构，其中的电容阵列版图结构包括：第一版图区，包括若干呈矩阵排列的单位电容；第一版图区为电容阵列中的主电容阵列所在的版图区，主电容阵列中容值为一个或者两个单位电容的逼近电容均设置于...

本发明公开了一种噪声整形的SAR ADC的时序逻辑控制电路，包括：采样信号产生模块用于产生采样信号和输出标志信号；异步时序控制信号产生模块用于在采样信号变为低电平时将比较器控制信号变为高电平以获得比较器的比较结果，并将比较器控制信号变为...

本发明公开了一种片上存储纠错系统，包括：处理器核，其内包括ITCM存储器和DTCM存储器，ITCM存储器内包括第一SRAM存储器和第一ECC模块，DTCM存储器内包括第二SRAM存储器和第二ECC模块；FLASH存储器，通过系统总线与处...

本发明公开了一种CFET的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：刻蚀GaN外延片，形成阻断GaN外延层中载流子流动的隔离槽；刻蚀去除NFET生长区域中的第一源极区域和第一漏极区域的P‑GaN层，并对应生长第一源极和第一漏极；对NFET...

本发明公开了一种适用于CAN的振铃抑制电路，包括减法器电路、振铃采样电路、振铃采样电路的复位电路以及动态比较器电路及其复位电路；所述减法器电路用于对总线信号做减法，得到纯净的振铃信号；所述振铃采样电路用于将得到的振铃信号进行峰值采样并保...

本发明公开了一种摆率可调的低电磁辐射CAN总线发送器，包括N个高侧电流开关、N个高侧电流源、N个低侧电流开关和N个低侧电流源；电流源用于提供输出电流，高侧电流开关和低侧电流开关用于控制电流源的导通与关断，电流源的电流由功率管提供；高侧电...

本发明公开了一种基于参考通道的时间交织ADC采样时间失配校正方法及系统，涉及模拟电路技术领域，解决了采样时间失配校正过程中收敛速度慢的问题；该方法包括：获取输入信号经过子通道后输出的子通道采样信号、以及经过参考通道后输出的参考通道采样信...

本发明公开了一种基于Cortex‑M3的毫米波雷达测距信号处理系统，包括：ADC采样模块、FFT硬件加速模块、DMA+DDR数据调度模块、数字滤波模块、频率算法模块、距离计算模块、GUI显示界面模块和Cortex‑M3内核；本发明通过引...

本发明公开了一种适用于CAN总线的摆率控制电路，包括译码器U0、n个NMOS管、n个阻值为R的电阻和输出端的峰值保持电路U1共同构成了新型电阻阵列；所述峰值保持电路U1的输出端V<subgt;O</subgt;与电压跟随器U...

本发明公开了一种基因测序芯片、系统及方法，所述芯片包括：通信接口模块、链式DMA模块及台阶算法硬件化模块，台阶算法硬件化模块用于根据至少一条基因检测信号，确定待测基因片段的第一基因特征信号。台阶算法硬件化模块在同时接收N条所述基因检测信...

本发明涉及一种扩展计数型模数转换器的版图及芯片，输入输出接口版图区环绕包围功能电路版图区，功能电路版图区中，电源管理电路版图区将混合信号版图区半包围，以使将电源信号经过电源管理电路版图区隔离后再进入数字信号电路版图区和混合信号电路版图区...