本发明涉及一种三级流水线型逐次逼近模数转换器，SAR ADC电路包括依次连接的第一级子SAR ADC模块、第二级子SAR ADC模块和第三级子SAR ADC模块，共享残差运算放大器包括两级相互独立的第一差分输入级和第二差分输入级；第一级...

本发明公开了一种自减反结构SiC基紫外光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的阴极、欧姆接触层、衬底、外延层和钝化层；隔离层，包括多个阵列排布在钝化层上表面的隔离单元，隔离单元呈现鼓包状；肖特基接触层，位于钝化层...

本发明提供了一种三维结构SiC超级结二极管及其制备方法，该二极管制的p+型SiC外延层呈间隔设置的多个半球形，n+型SiC外延层沉积在p+型SiC外延层之上，n+型电子传输层设置在左侧部分的两个半球形之间，且位于n+型SiC外延层内部；...

本发明公开了一种三维结构Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质超级结二极管及其制备方法，包括：提供一衬底，在其表面依次生长p+型NiO外延层和碱土掺杂氧化硅层；对碱土掺杂氧化硅...

本发明公开了一种SiC/Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质结单光子紫外探测器及其制备方法，该方法包括：制备器件功能层，并刻蚀形成具有倾角的台面结构；在台面结构的上表面淀积第...

本发明公开了一种同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管及其制备方法，紫外光电二极管包括衬底、叠加于衬底之上的外延层、叠加于外延层之上的蛾眼阵列钝化层、叠加于外延层上表面除子钝化层外的区域的肖特基接触层、叠加于肖特基接触层之上的阳极、叠加于...

本发明涉及一种基于底电极控制的GaN基紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测器领域，器件包括：衬底层；底电极，位于衬底层的上表面；介质层，覆盖于底电极一侧的上表面，底电极另一侧的上表面部分显露；GaN层，位于介质层的上表面；漏电极和源...

本发明公开了一种降低硅基氮化镓材料射频损耗的外延结构及其制备方法，外延结构包括图形化衬底、叠加于图形化衬底设有的多个间隔排列的沟槽内的扩散阻挡层、叠加于图形化衬底上的AlN层、叠加于AlN层之上的成核层、叠加于成核层之上的缓冲层和叠加于...

本发明涉及含基极电流补偿的热关断电源管理电路，包括：热关断判断模块，以及与热关断判断模块连接的正温系数电流模块；正温系数电流模块，用于向热关断判断模块提供补偿后的正温系数电流；补偿后的正温系数电流跟随正温系数线性变化，并且，补偿后的正温...

本发明公开了一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法，其自终止刻蚀方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、高Al组分层和p‑GaN层；刻蚀掉除栅电极区域外的p‑GaN层，以露出高Al组分层；对高Al组分层进行F等离...

本发明公开了一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层背离衬底的一侧设置有多个沟槽，外延层内设置有多个浮动结，至少设置一列浮动结和一行浮动结；相邻沟槽之间对应至少1列浮动结，相邻沟槽之间...

本发明涉及计算机技术领域，具体涉及一种张量运算加速器、方法及存储介质，通过数据流处理模块在接收到数据直接管理单元发送的待处理数据流时，对待处理数据流进行数据映射操作后发送至张量运算模块，调度模块在周期性接收待执行指令后，确定针对张量运算...

本发明公开了一种应用于BMS的抽取速率可配置数字滤波器，包括：抽取滤波器、补偿滤波器、半带滤波器和SPI配置接口电路；抽取滤波器、补偿滤波器和半带滤波器依次串联，SPI配置接口电路分别与抽取滤波器、补偿滤波器、半带滤波器的时钟控制端连接...

本发明公开了一种基于YOLOv6和FPGA的道路坑道检测系统，包括：训练模块，用于获取道路坑道图像的训练集，并对YOLOv6模型进行训练，得到目标YOLOv6模型；量化模块，用于将目标YOLOv6模型的权重进行量化，得到量化数据；模型加...

本发明提供了一种平面型碳化硅JFET器件及其制备方法。平面型碳化硅JFET器件为左右对称结构，从下到上依次设置有：漏极、N型衬底和N型外延层；N型外延层的内部设置有N+源区和两个P型栅区；P型栅区沿N型外延层的上表面对称地设置于两侧，P...

本发明公开了一种处理动态图卷积神经网络的硬件加速装置，包括：FPGA并行加速系统，包含多种用于处理不同类型的计算任务的加速模块；动态数据流控制系统，用于根据动态图卷积神经网络的数据处理任务，调用加速模块进行数据计算，并对调用的加速模块之...

本发明提供一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法及探测器，涉及半导体光电器件技术领域。包括：利用碱土掺杂氧化硅的退火回流特性，在预设n+型SiC外延层表面制备间隔排布的半球形刻蚀掩膜；利用半球形刻蚀掩膜对预设n+型SiC外延层进行刻...

本发明公开了一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN及其制备方法，该碳化硅PiN包括衬底、位于衬底之上的漂移层、对漂移层进行掺杂形成的正极掺杂区和负极掺杂区、对正极掺杂区和负极掺杂区之间的漂移层进行刻蚀形成的鳍式JTE结构、三面环绕鳍式J...

本发明公开了一种蛾眼减反SiC/Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：P+型SiC衬底、P+型SiC外延层、n‑型Ga<sub...

本发明公开了一种碳化硅微区电荷调制终端结构，该碳化硅微区电荷调制终端结构包括：碳化硅衬底层、N‑外延层、P+区域、阳极、阴极、SiO<subgt;2</subgt;钝化层和P‑JTE区，P‑JTE区与P+区域相邻设置，P‑J...