本发明专利技术涉及含基极电流补偿的热关断电源管理电路，包括：热关断判断模块，以及与热关断判断模块连接的正温系数电流模块；正温系数电流模块，用于向热关断判断模块提供补偿后的正温系数电流；补偿后的正温系数电流跟随正温系数线性变化，并且，补偿后的正温系数电流用于反映与热关断电源管理电路电连接的芯片的工作温度；热关断判断模块用于基于补偿后的正温系数电流，确定芯片的工作温度是否处于第一预设阈值和第二预设阈值构成的温度范围内，并在芯片的工作温度大于第二预设阈值时，关断芯片，以及在芯片的工作温度下降至温度范围内时，重新启动芯片。该电路可以准确判断当前芯片的实际工作温度，降低芯片损毁几率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电源管理芯片，具体涉及一种含基极电流补偿的热关断电源管理电路。
技术介绍
1、电源管理芯片是集成电路芯片中重要的组成部分，它对外部接入集成电路芯片的电源进行优化调整，从而为集成电路芯片的内部电路提供一个更加高效更加稳定的内部电源。因为电源管理芯片在电源短接、输出短路到地等异常工作情况下以及在高温、大电流等正常工作情况下，芯片内部的温度很高，可能超过最大结温，影响其可靠性。随着科技的发展，医疗领域使用的设备也在愈发小型化，这就要求其芯片的功率密度大大提升，可能会导致芯片的工作温度大幅上升；同时汽车电子设备行业需要面对更加复杂的芯片工作温度环境，其工作温度需保证在–40℃～125℃。为确保电源管理芯片工作在预设温度范围内，需要集成热关断电源管理电路，以在芯片温度升高时，及时关断电源芯片，以及在芯片温度降至预设温度范围内时，重新使得芯片工作。
2、然而，现有的热关断电源管理电路存在控制精度不高的问题，无法及时在芯片温度过高时关断芯片，致使芯片损毁几率增加。
技术实现思路
>1、为了解决现有技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，包括：热关断判断模块，以及与所述热关断判断模块连接的正温系数电流模块；
2.根据权利要求1所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，所述正温系数电流模块包括：NMOS管MN3、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP8、三极管Q1、三极管Q2，电阻R1；
3.根据权利要求2所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，所述热关断电源管理电路还包括：启动模块；所述启动模块与所述正温系数电流模块连接，用于启动所述热关断电源管理电路。
4.根据权利要求3所述的含基极电流补偿...
【技术特征摘要】
1.一种含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，包括：热关断判断模块，以及与所述热关断判断模块连接的正温系数电流模块；
2.根据权利要求1所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，所述正温系数电流模块包括：nmos管mn3、pmos管mp3、pmos管mp4、pmos管mp8、三极管q1、三极管q2，电阻r1；
3.根据权利要求2所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，所述热关断电源管理电路还包括：启动模块；所述启动模块与所述正温系数电流模块连接，用于启动所述热关断电源管理电路。
4.根据权利要求3所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，所述启动模块包括：nmos管mn1、nmos管mn2、pmos管mp1、pmos管mp2和pmos管mp7；其中，
5.根据权利要求2所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征在于，所述热关断判断模块包括：nmos管mn4、pmos管mp5、pmos管mp6、pmos管mp9、电阻r2、电阻r3、电阻r4、三极管q3、施密特触发器st1、反相器inv1；
6.根据权利要求2所述的含基极电流补偿的热关断电源管理电路，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：甘纯钊，尹郁杉，包军林，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：
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