本发明提供了一种真空反应腔体的传动机构保护结构，涉及半导体设备技术领域。其包括外腔体与内腔体嵌套设计，还包括：加热装置以及旋转机构，其中，所述外腔体套设在所述内腔体外部，且外腔体与所述内腔体之间形成有气体填充间隙；所述加热装置布设在所述...

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种大批量沉积氧化硅薄膜的方法，其通过对原子层沉积工艺中进源方式和工艺参数的优化，包括在进源前关闭腔室与真空泵之间的截止阀、进硅源后充气辅助扩散以及臭氧保压等技术措施。本申请能够显著提高氧化硅薄膜...

本技术提供了一种应用于peald设备的平板型等离子体系统的布气装置，涉及等离子体设备技术领域。包括真空腔体、介质平板、大气侧工艺管路、真空侧工艺管路，所述真空侧工艺管路包括有多个平行于所述介质平板的工艺气管分路以使离化气体在真空腔体内均...

本技术提供了一种应用于peald设备的等离子体装置，涉及等离子体设备技术领域。包括：一等离子体壁管，所述等离子体壁管采用氮化铝材质制成，以使得在等离子体壁管内建立等离子体后，等离子体对壁管的刻蚀效应不会产生氧元素；一RF线圈，所述RF线...

本技术提供了一种单腔体式原子层沉积设备匀流结构，涉及半导体设备技术领域。包括腔室以及设置在所述腔室上的腔盖，所述腔盖内设置有相互连通的匀流管道，所述匀流管道连接进气管道以用于导入反应气体；腔室靠近所述腔盖处设置匀流组件以使匀流管道流出的...

本技术提供了一种批量式peald设备的平板式等离子体发生装置，涉及离子体发生装置技术领域。包括：真空腔室、RF线圈、介质平板、进气管路以及栅网板；所述介质平板设置于所述真空腔室的外侧且正对基片位置；所述栅网板设置于所述真空腔室的与所述介...

本发明提供了一种PEALD腔体结构，涉及镀膜设备技术领域。该结构包括外腔体、内腔体、升降系统、加热载台、抽气系统及压力控制器。内腔体设置于外腔体内部，底部形成适配加热载台的开口，升降系统控制加热载台与内腔体的连接与分离。内腔体内设置分隔...

本技术提供了一种用于真空和大气之间的旋转动力传输机构，涉及旋转机构技术领域。其适于设置在设备的壳体上，包括：旋转轴、一级密封圈、若干并排设置的二级密封圈以及支撑件。通过本方案可以简化真空和大气之间的旋转动力传输机构，减少能量损失。

本发明提供了一种金属钨薄膜沉积在硅衬底膜基上的工艺及其硅片产品，涉及原子层沉积技术领域。先在硅衬底上添加了一层过渡层，减小了膜层与衬底的不匹配性，以此来提高膜基结合力；并通入过降低衬底温度，在硅衬底上得到了一层连续的钨膜；最后通入过钨膜...

本技术提供了一种SIC外延自动传片设备，涉及半导体加工设备技术领域。包括传片平台，所述传片平台上设置有上料装置、OCR识别装置、第一机械手、第二机械手、加载装置以及下料装置，其中，所述第二机械手适于在加载时将上料装置内的衬底抓取至所述O...

本技术提供了一种控制气流均匀性的尾气装置、等离子沉积设备，涉及化学气相沉积设备技术领域。其适于连接在反应腔室的出气口部，包括连接在反应腔室出气口部两侧的第一尾气通道和第二尾气通道，所述第一尾气通道与第二尾气通道连接有泵体以将反应腔室内的...

本发明提供了一种可实现CVD工艺与ALD工艺的沉积系统、沉积工艺，涉及半导体加工设备技术领域。包括适于存放粉体的耐高温锥形工艺罐，还包括连接在所述锥形工艺罐上方的真空系统，以及连接在所述锥形工艺罐下方的气源系统；所述气源系统包括连接至所...

本发明提供了一种用于提高n型掺杂碳化硅掺杂均匀性的外延生长工艺，涉及半导体技术领域。本发明以化学气相沉积生长技术为基础，以偏向<11‑20>方向的4°硅面碳化硅为衬底，采用三氯氢硅(TCS)和乙烯(C2H4)为生长源、氨气(...

本发明提供了一种滤芯吹扫装置、真空沉积设备及其吹扫工艺，涉及半导体设备技术领域。其适于设置在滤芯装置上，所述滤芯装置设置于安装桶体内，包括反吹气源、连接所述反吹气源的第一管路气管以及第二管路；所述第一管路延伸入所述滤芯装置内部与设置于所...

本发明提供了一种批次式等离子体预处理装置，涉及真空镀膜技术领域。包括：至少一组工艺腔室，所述工艺腔室上设置有抽气系统；至少一组等离子体发生系统，所述等离子体发生装置采用电感耦合等离子体、电容耦合等离子体、远程等离子体源中的至少其中一种方...

本发明提供了一种应用于peald设备的平板型等离子体系统的工艺布气结构，涉及等离子体设备技术领域。包括真空腔体、介质平板、大气侧工艺管路、真空侧工艺管路，所述真空侧工艺管路包括有多平行于所述介质平板的工艺气管分路以使离化气体在真空腔体内...

本技术提供了一种气源控制转动的晶片载台结构、晶片生产设备，涉及半导体设备技术领域。包括由底座和上壳所形成的反应腔室，所述反应腔室连接有进源通道以输入反应气体，还包括：设置于所述反应腔内的载台，所述载台的底面设置有若干呈绕圆周分布的气道，...

本发明提供了一种可调节式的流化进气装置、流化床‑化学气相沉积反应器，涉及技术领域。适于设置于流化床反应器上，包括：多孔烧结气化板、旋流进气系统、搅拌系统以及进气管路；所述多孔烧结气化板适于安装在所述流化床反应器底部以连接所述进气管路，所...

本发明提供了一种硅碳负极材料流化床反应系统，涉及流化床设备技术领域。包括：原料输送系统、流化床反应器、高温出料系统、工艺气体进气管路，以及保护系统。通过本方案可以提高流化反应的均匀性以及安全性，且有助于提高工作效率。

本技术提供了一种用于控制气流均匀性的进气喷嘴及其气相沉积设备，涉及气相、原子和等离子沉积设备技术领域。包括进气管道，所述进气管道包括主进气管，所述进气管道位于出气口的一端设置有外延管道；所述主进气管两侧形成有第一补气管道与第二补气管道，...