本申请公开了一种具有温度识别功能的功率器件、制作方法和功率器件集成，涉及半导体功率器件技术领域，所述具有温度识别功能的功率器件包括衬底层和外延层，外延层内部设置有感温单元和多个MOSFET元胞，感温单元设置于多个MOSFET元胞的中心处...