本申请公开了一种具有温度识别功能的功率器件、制作方法和功率器件集成，涉及半导体功率器件技术领域，所述具有温度识别功能的功率器件包括衬底层和外延层，外延层内部设置有感温单元和多个MOSFET元胞，感温单元设置于多个MOSFET元胞的中心处，用于识别MOSFET元胞的温度并转化为电信号输出。外延层还可包括第一隔离单元用于阻隔感温单元和多个MOSFET元胞进行电流交换。感温单元可以包括PN结，其P型区和N型区在温度变化时改变导通压降，通过导通压降识别温度值。本申请通过在功率器件内部集成感温单元，实现了对功率器件温度的实时监测，提高了功率器件的安全性和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体功率器件，尤其涉及具有温度识别功能的功率器件、制作方法和功率器件集成。
技术介绍
1、在电子设备的实际应用中，常规的分立器件尤其是功率mosfet，其工作稳定性至关重要。除了静电放电(esd)可能导致的损坏外，过热损坏是另一种常见的失效模式。为了避免过热损坏，设计师们通常采取了一系列保护措施，其中最常见的就是在电路中加入温度传感器。
2、现有技术中，设计人员倾向于在配套使用的ic端放置温度传感器，以监测整个电路或ic的工作温度。当监测到的温度达到预设的安全阈值时，电路会自动关闭mosfet，以防止进一步的过热和潜在的损坏。
3、然而，这种方法存在一个显著的缺陷：虽然温度传感器能够监测到ic端的温度，但mosfet的发热源往往位于不同的位置，并且由于散热路径、封装材料和物理布局的差异，mosfet的实际工作温度可能与ic端的温度存在显著差异。这种温度差异导致温度传感器无法准确反映mosfet的实际工作温度，从而可能在mosfet已经过热的情况下仍然未能触发保护机制，增加了器件损坏的风险。
r/>技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：衬底层和外延层；
2.如权利要求1所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述外延层还包括第一隔离单元；
3.如权利要求2所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述第一隔离单元贯穿所述外延层，所述第一隔离单元的底部与所述衬底层接触。
4.如权利要求1所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述感温单元包括：PN结；
5.如权利要求4所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述感温单元还包括：第二隔离单元；
6.如权利要求4所述的具有温度识...
【技术特征摘要】
1.一种具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：衬底层和外延层；
2.如权利要求1所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述外延层还包括第一隔离单元；
3.如权利要求2所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述第一隔离单元贯穿所述外延层，所述第一隔离单元的底部与所述衬底层接触。
4.如权利要求1所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述感温单元包括：pn结；
5.如权利要求4所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述感温单元还包括：第二隔离单元；
6.如权利要求4所述的具有温度识别功能的功率器件，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张艳旺，邓亦舟，张子敏，张姗姗，陈霞，
申请(专利权)人：厦门杰柏特半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。