一种开管锌扩散方法，涉及一种化合物半导体外延片扩散方法，尤其是涉及一种以掺在有机硅胶中的锌一类金属作为扩散源，在开管通氮气氛围将锌一类杂质扩散到砷化镓化合物半导体外延片中的方法。提供一种新的开管锌扩散工艺。步骤为将锌粉掺入有机硅胶中得含...

氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、Ｎ－ＧａＮ层、有源层、Ｐ－ＧａＮ层和电流扩展层，在电流扩展层的上表...

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的Ｐ、Ｎ电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的Ｐ、Ｎ电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率...

减少ＩＣＰ刻蚀ＳｉＣ表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ＩＣＰ刻蚀ＳｉＣ表面损伤的新方法。提供一种新的减少ＩＣＰ刻蚀ＳｉＣ表面损伤的方法。其步骤为在ＳｉＣ表面上涂...

４Ｈ－ＳｉＣ雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的４Ｈ－ＳｉＣ雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有ｎ↑［＋］...

δ掺杂４Ｈ－ＳｉＣ　　ＰＩＮ结构紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂ＳｉＣ　　ＰＩＮ结构紫外光电探测器及制法。在ｎ↑［＋］型ＳｉＣ衬底上外延生长ｎ↑［＋］型缓冲层、ｎ－型层ｌ、δ掺杂ｎ型层、ｎ↑［－］型层...

低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ｇｅ组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ｇｅ组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ｇｅ组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ｇｅ组分可控、成本低、厚度薄...

一种δ掺杂４Ｈ－ＳｉＣ雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂４Ｈ－ＳｉＣ雪崩紫外光电探测器与制备方...

一种白光ＬＥＤ用发射峰可调的荧光粉及其制备方法，涉及一种荧光粉。提供一种化学性质稳定，发光性能好，可被紫外、紫光或蓝光ＬＥＤ有效激发而发红光，且在紫外激发时另一发射峰从红光到绿光可调的白光ＬＥＤ用发射峰可调荧光粉。其结构式为：Ａ↓［１－...

大功率白光发光二极管的荧光粉涂布方法，涉及一种荧光粉的涂布方法。提供一种荧光粉在芯片上分布均匀，消除光圈的效果较好，ＬＥＤ空间发光色温差明显减小，适合低成本批量生产大功率白光发光二极管的荧光粉新型涂布方法。在二块不锈钢片上分别刻方孔Ａ与...

利用金属过渡层转移ＧａＮ衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的ＧａＮ转移到Ｓｉ衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移ＧａＮ衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ｔｉ和Ａｕ，得溅射有Ｔ...

一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种ｐ型氮化镓（ｐ－ＧａＮ）。提供一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法。将（０００１）取向的蓝宝石衬底装入反应室，在Ｈ↓［２］气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长ＧａＮ缓冲层，升温使...

无应变ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ　　ＰＩＮ光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮／氮化镓（ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ）ＰＩＮ光电探测器。提供一种无应变ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ　　ＰＩＮ光电探测器。设有蓝宝石（...

２－２型铁电体－铁氧体多层复合磁电材料及其制备方法，涉及一种铁电体－铁氧体多层复合材料。由铁电体和铁氧体组成，铁电体与铁氧体材料通过层状交替排列方式进行复合，其中铁电体材料选择锆钛酸铅ＰｂＺｒ↓［０．５２］Ｔｉ↓［０．４８］Ｏ↓［３］陶...

基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区ＳｉＧｅ层的锗组分和ＳｉＧｅ层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ｇｅ组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅...

一种光敏感金属纳米材料的制备方法，涉及一种金属纳米材料。提供一种操作简单，可以避免现有的方法中存在的光敏感配体合成复杂等缺点，所得的纳米颗粒光敏感性能好，具有可逆性等优点的光敏感金属纳米材料的制备方法。将氯金酸水溶液加热至沸腾后加入柠檬...

一种Ｓｉ基微纳发光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　１）在硅衬底上外延生长Ｓｉ／Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］或Ｓｉ↓［ｍ］／Ｇｅ↓［ｎ］多层薄膜材料，其中０＜ｘ＜１；ｍ，ｎ表示对应材料的原子层数，ｍ≤３０，ｎ≤１５；　　　...

镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为１０３０～１０５０℃；在纯...

多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　１）多晶硅硅片的预处理；　　　　２）在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构；　　　　３）以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到...

Ｎ型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在ｎ型硅表面直接生长金属微结构的Ｎ型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。...