本发明公开了一种IGBT散热装置，涉及IGBT散热领域，解决了现有IGBT散热装置使用时内部液冷需要单独安装循环电机等元器件进行电路控制，增加自身产热量的同时增加了生产使用成本和损坏风险的问题，包括芯片、封装壳体、循环装置和降温装置，封...

本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板...

本发明涉及一种用于高压IGBT器件栅驱动所需要的超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、调制发送电路、4个高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路...

本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态...

本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所...

本发明公开了一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统，具体涉及直线抓取设备技术领域，包括主板、固定杆、壳体和吸筒，所述主板的底端设置有壳体，且壳体与主板之间固定连接有固定杆，所述壳体的内部设置有四组吸筒，且吸筒的顶端设置有螺纹筒，所述壳体...

本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气...

本发明公开了一种半导体贴片机晶片反向防呆装置，具体涉及半导体贴片设备技术领域，包括放置台和辅助清尘结构，所述放置台内部的顶端之间设置有辅助清尘结构，所述放置台的一端设置有辅助下料结构，所述放置台的另一端设置有辅助推拉结构，所述放置台的顶...

本发明公开了一种芯片共晶焊接设备，具体涉及芯片加工技术领域，包括底座和立柱，所述底座顶端的一侧固定连接有立柱，所述立柱的内部设置有调节机构，所述立柱的一侧固定连接有吸尘机构，所述立柱的另一侧设置有横杆。本发明通过设置有滑槽、调节块、吸盘...

本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路...