本发明涉及金属材料领域，本发明公开了一种运用于芯片制造前端设备用超高纯316L‑VV金属材料，包括以下按照质量百分比(wt％)计算的组分：17.4‑18wt％Cr、13.4‑13.8wt％N i、2.5‑2.8wt％Mo、0.005‑0...