本技术公开了一种功率模块抓取装置，通过巧妙设计推动机构与第一抓取部件之间的配合关系、推动机构与传动机构之间的配合关系以及传动机构与第二抓取部件之间的配合关系，在主体部运动过程中，会带动第一抓取部件超一个方向运动，由于传动部的一端与主体部...

本发明公开了一种复合型碳化硅MOSFET元胞结构及器件，通过将平面栅极与沟槽栅极集成到一个MOSFET里，产生了双沟道结构，优化电流路径、有效防止电流拥挤，有效提高电流密度，降低导通电阻。无论是第一种元胞结构中设置了三个接触区，还是第二...

本发明公开了一种低漏电流的碳化硅MOSFET元胞结构及器件，通过向JFET中引入平面栅极或者栅极母线及场氧层，改变了传统JFET的结构，通过平面栅极或栅极母线与其下方第一导电类型半导体的配合，当加电时，在电场作用下会使第一导电类型半导体...

本技术公开了一种功率芯片的封装结构，包括功率芯片，所述功率芯片的晶圆上设置有顶金属层，所述顶金属层上沉积UBM金属层，在UBM金属层上设置铜柱，铜柱顶面键合铜焊线或铜夹片。本技术通过在顶金属层上设置UBM金属层，在UBM层上设置铜柱，铜...

本技术公开了一种双面散热的功率模块，包括下散热板和上散热板，下散热板和上散热板之间设置芯片，上散热板包括连通芯片的栅极与G端子的第一上散热板、连通芯片源极和N端子的第二上散热板，下散热板连通芯片漏极与P端子；第一上散热板、第二上散热板与...

本发明公开了一种功率模块，包括至少一个PCB板、至少一个功率芯片、至少一个顶部金属基板和至少一个底部金属基板；所述功率芯片位于所述顶部金属基板和所述底部金属基板之间，且所述功率芯片放置在所述PCB板上开的孔内；所述顶部金属基板与其覆盖区...

本技术公开了一种用于功率模块系统焊接层焊接的压力装置，包括底板，所述底板用于承载功率模块系统焊接层的陶瓷基板和散热基板，所述底板上方设置固定板；所述固定板上设置有多个压力机构，压力机构用于向置于底板上的陶瓷基板施加压力；所述压力机构包括...

本实用新型公开了一种用于双面冷却功率模块的热阻测试装置，包括框架，所述框架上设置一组导向杆，所述导向杆上设置有压力机构，所述压力机构包括一压力传感器；所述框架上压力机构的下方自上而下设置有上水冷板

本实用新型公开了用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，通过形成测试部件的串联回路，引出回路信号输出端，再将回路信号输出端接入后续的

本实用新型公开了一种功率器件针状端子的位置度检测治具，包括矩形环状的护套，所述护套的上表面设置有凹槽，所述凹槽内设置校准板；所述校准板上设置有与功率器件针状端子位置对应的校准孔；所述护套与校准板之间通过固定机构相连接