用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，通过形成测试部件的串联回路，引出回路信号输出端，再将回路信号输出端接入后续的

【技术实现步骤摘要】
用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置


[0001]本技术涉及功率模块的测试领域，特别是涉及用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置
。

技术介绍

[0002]随着功率模块应用的普及，对其在生产过程中最后的测试环节提出了更高要求，需要尽可能地降低测试不良率，提高测试的一次通过率
。
因此，在进行测试之前，往往会检测测试治具与功率模块中器件端子之间的接触情况，避免因接触不良导致器件损伤
、
测试不良或测试误判
。
现有技术中检测测试治具与功率模块中器件端子之间接触情况的方案往往是每个器件端子对应的测试部件单独检测，多采用双线测试法在测试部件上同时施加电压和电流两个检测信号，形成回路，通过判断电压大小从而确认器件端子与测试部件是否接触良好
。
这种方案需要精密的检测回路，只能实现对各个器件端子对应的测试部件的单独检测
。
可见，现有技术中缺乏一次性对多个器件端子对应的测试部件检测的方案
。
并且，现有技术中的方案对于布局密集的器件端子只能采用特殊的
Kelvin
探针作为测试部件进行接触，该探针能够实现在一个探针上进行电流输出和电压检测，从而适用于布局密集的器件端子的接触
。
但是，
Kelvin
探针价格昂贵，不适合批量使用
。

技术实现思路

[0003]技术目的：本技术的目的是提供一种能够一次性对多个器件端子对应的测试部件进行检测的方案
。
[0004]技术方案：本技术所述的功率模块包括至少一组短接的器件端子，各组短接的器件端子中每个需要检测的器件端子分别与测试治具的一个测试部件接触，一组短接的器件端子对应于一组测试部件，所述用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置包括将每组测试部件中所有测试部件串联的线路，一组短接的器件端子对应于一组串联的测试部件，所述装置还包括电源，电源的数量与串联测试部件的组数相同，一个电源与一组串联的测试部件形成一个串联回路，每个串联回路各引出一回路信号输出端，回路信号输出端连接一
NPN
型三极管的基极，
NPN
型三极管的发射极接地，
NPN
型三极管的集电极连接一光耦的发光二极管的阴极，发光二极管的阳极连接第一供电电压，光耦的光探测器的发射极接地，光探测器的集电极连接第二供电电压，光探测器输出最终检测信号；所述每个电源的电压均大于
NPN
型三极管的开启电压
。
[0005]进一步，所述发光二极管的阳极通过第一电阻连接第一供电电压，光探测器的集电极通过第二电阻连接第二供电电压，回路信号输出端通过第三电阻连接
NPN
型三极管的基极，
NPN
型三极管的基极连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接地，光探测器的集电极输出最终检测信号；
[0006]或者，
[0007]所述发光二极管的阳极通过第一电阻连接第一供电电压，光探测器的发射极通过
第二电阻接地，回路信号输出端通过第三电阻连接
NPN
型三极管的基极，
NPN
型三极管的基极连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接地，光探测器的发射极输出最终检测信号
。
[0008]本技术所述的功率模块包括至少一组短接的器件端子，各组短接的器件端子中每个需要检测的器件端子分别与测试治具的一个测试部件接触，一组短接的器件端子对应于一组测试部件，所述用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置包括将每组测试部件中所有测试部件串联的线路，一组短接的器件端子对应于一组串联的测试部件，所述装置还包括电源，电源的数量与串联测试部件的组数相同，一个电源与一组串联的测试部件形成一个串联回路，每个串联回路各引出一回路信号输出端，回路信号输出端连接一光耦的发光二极管的阳极，发光二极管的阴极接地，光耦的光探测器的发射极接地，光探测器的集电极连接第三供电电压，光探测器输出最终检测信号；所述每个电源的电压均大于光耦中发光二极管的工作电压
。
[0009]进一步，所述发光二极管的阴极连接第五电阻的一端，第五电阻的另一端接地，光探测器的集电极通过第六电阻连接第三供电电压，光探测器的集电极输出最终检测信号；
[0010]或者，
[0011]所述发光二极管的阴极连接第五电阻的一端，第五电阻的另一端接地，光探测器的发射极连接第六电阻的一端，第六电阻的另一端接地，光探测器的发射极输出最终检测信号
。
[0012]进一步，所述测试部件为开关探针
。
[0013]进一步，所述功率模块包括多个半桥单元，在进行
TRB
或
HTRB
或
H3TRB
测试时，每个半桥单元包括上桥
SiC MOSFET
和下桥
SiC MOSFET
，上桥
SiC MOSFET
的源极连接下桥
SiC MOSFET
的漏极；每个上桥
SiC MOSFET
自身的栅极和源极短接，每个下桥
SiC MOSFET
自身的栅极和源极也短接；所述功率模块包括三组短接的器件端子，其中，第一组短接的器件端子由各个上桥
SiC MOSFET
的漏极短接而成，第二组短接的器件端子由各个上桥
SiC MOSFET
的栅极
、
各个上桥
SiC MOSFET
的源极共同短接而成，第三组串联的器件端子由各个下桥
SiC MOSFET
的栅极
、
各个下桥
SiC MOSFET
的源极共同短接而成
。
[0014]进一步，所述功率模块包括多个半桥单元，在进行
TGB
或
HTGB
测试时，每个半桥单元包括上桥
SiC MOSFET
和下桥
SiC MOSFET
，上桥
SiC MOSFET
的源极连接下桥
SiC MOSFET
的漏极；所述功率模块包括四组短接的器件端子，其中，第一组短接的器件端子由各个上桥
SiC MOSFET
的栅极短接而成，第二组短接的器件端子由各个上桥
SiC MOSFET
的源极短接而成，第三组短接的器件端子由各个下桥
SiC MOSFET
的栅极短接而成，第四组短接的器件端子由各个下桥
SiC MOSFET
的源极短接而成
。
[0015]进一步，所述功率模块包括多个半桥单元，在进行绝缘耐压测试时，每个半桥单元包括上桥
SiC MOSFET
和下桥
SiC MOSFET
，上桥...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，所述功率模块包括至少一组短接的器件端子，各组短接的器件端子中每个需要检测的器件端子分别与测试治具的一个测试部件接触，一组短接的器件端子对应于一组测试部件，其特征在于：所述装置包括将每组测试部件中所有测试部件串联的线路，一组短接的器件端子对应于一组串联的测试部件，所述装置还包括电源，电源的数量与串联测试部件的组数相同，一个电源与一组串联的测试部件形成一个串联回路，每个串联回路各引出一回路信号输出端，回路信号输出端连接一
NPN
型三极管的基极，
NPN
型三极管的发射极接地，
NPN
型三极管的集电极连接一光耦的发光二极管的阴极，发光二极管的阳极连接第一供电电压，光耦的光探测器的发射极接地，光探测器的集电极连接第二供电电压，光探测器输出最终检测信号；所述每个电源的电压均大于
NPN
型三极管的开启电压
。2.
根据权利要求1所述的用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，其特征在于：所述发光二极管的阳极通过第一电阻连接第一供电电压，光探测器的集电极通过第二电阻连接第二供电电压，回路信号输出端通过第三电阻连接
NPN
型三极管的基极，
NPN
型三极管的基极连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接地，光探测器的集电极输出最终检测信号；或者，所述发光二极管的阳极通过第一电阻连接第一供电电压，光探测器的发射极通过第二电阻接地，回路信号输出端通过第三电阻连接
NPN
型三极管的基极，
NPN
型三极管的基极连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接地，光探测器的发射极输出最终检测信号
。3.
用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，所述功率模块包括至少一组短接的器件端子，各组短接的器件端子中每个需要检测的器件端子分别与测试治具的一个测试部件接触，一组短接的器件端子对应于一组测试部件，其特征在于：所述装置包括将每组测试部件中所有测试部件串联的线路，一组短接的器件端子对应于一组串联的测试部件，所述装置还包括电源，电源的数量与串联测试部件的组数相同，一个电源与一组串联的测试部件形成一个串联回路，每个串联回路各引出一回路信号输出端，回路信号输出端连接一光耦的发光二极管的阳极，发光二极管的阴极接地，光耦的光探测器的发射极接地，光探测器的集电极连接第三供电电压，光探测器输出最终检测信号；所述每个电源的电压均大于光耦中发光二极管的工作电压
。4.
根据权利要求3所述的用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，其特征在于：所述发光二极管的阴极连接第五电阻的一端，第五电阻的另一端接地，光探测器的集电极通过第六电阻连接第三供电电压，光探测器的集电极输出最终检测信号；或者，所述发光二极管的阴极连接第五电阻的一端，第五电阻的另一端接地，光探测器的发射极连接第六电阻的一端，第六电阻的另一端接地，光探测器的发射极输出最终检测信号
。5.
根据权利要求1或3所述的用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，其特征在于：所述测试部件为开关探针
。6.
根据权利要求1或3所述的用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，其特征在于：所述功率模块包括多个半桥单元，每个半桥单元包括上桥
SiC MOSFET
和下桥
SiCMOSFET
，上桥
SiCMOSFET
的源极连接下桥
SiCMOSFET
的漏极；每个上桥
SiCMOSFET
自身
的栅极和源极短接，每个下桥
SiCMOSFET
自身的栅极和源极也短接；所述功率模块包括三组短接的器件端子，其中，第一组短接的器件端子由各个上桥
SiCMOSFET
的漏极短接而成，第二组短接的器件端子由各个上桥
SiC MOSFET
的栅极
、
各个上桥
SiCMOSFET
的源极共同短接而成，第三组串联的器件端子由各个下桥
SiCMOSFET
的栅极
、
各个下桥
SiCMOSFET
的源极共同短接而成
。7.
根据权利要求1或3所述的用于检测功率模块中器件端子与测试治具接触情况的装置，其特征在于：所述功率模块包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵王威，宁士静，
申请(专利权)人：无锡芯动半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：