本发明提供一种绝压平膜陶瓷压力传感器的制作工艺及其质量检验方法，涉及压力传感器技术领域，包括如下步骤：S1：陶瓷基板清洗、烘烤；S2：玻璃浆料印刷；S3：第一次烧结；S4：陶瓷应变片与陶瓷基板贴合；S5：第二次烧结，将S3工序形成的玻璃...

本发明属于敏感元件与传感器技术领域，具体涉及一种金属高压压力传感器及制备方法，包括贴装在不锈钢应变片上的高压MEMS芯片，高压MEMS芯片包括压敏电阻部、金属连接部、输入/输出引脚；输入/输出引脚通过引线与输入/输出端子连接；压敏电阻部...

本实用新型公开了一种陶瓷压力传感器批量转移装置，包括机台、取件台、转移装置主体、吸头、右托盘、左托盘和控制器，所述机台上设置有取件台，所述机台上固定连接有固定架，所述固定架上设置有第一滑轨和第二滑轨，所述第二滑轨上滑动连接有滑块，所述滑...

本实用新型公开了一种陶瓷压力传感器密封烧结辅助装置，包括一号L型支架和陶瓷片本体，所述一号L型支架通过转轴活动连接有底座，所述一号L型支架一端设置为圆柱体，所述一号L型支架另一端连接有陶瓷杆，所述一号L型支架和二号L型支架两者呈对称设置...

本实用新型公开了一种陶瓷压力传感器批量标定装置，包括底座、产品放置槽、圆形槽、压板、一号压板与顶盖固定孔、顶盖和二号压板与顶盖固定孔，所述底座其长边的一侧开设有一号治具引压孔，所述底座其短边的一侧开设有二号治具引压孔，所述产品放置槽开设...

本实用新型公开了一种硅MEMS高压压力传感器封装，包括陶瓷基板、玻璃层、高压MEMS芯片、一号金属垫、引线、二号金属垫、包封软胶和塑封外壳，所述陶瓷基板上设置有玻璃层，所述玻璃层上连接有高压MEMS芯片，所述高压MEMS芯片上设置有一号...

本实用新型公开了一种陶瓷压力传感器零位测试装置，包括零位测试装置、测试盒、测试工位槽、底板、过滤板、风扇套筒、冷却风扇和万用表，所述零位测试装置顶部设置有测试盒，所述测试盒顶部开设有测试工位槽，所述测试工位槽内部设置有探针，所述零位测试...

本实用新型公开了一种多工位回流焊辅助装置，包括模组底座板，所述模组底座板上设置有若干组第一散热组件，每组所述第一散热组件上设置有限位组件，所述限位组件上设置有陶瓷压力传感器，所述模组底座板上方设置有辅助盖板，所述模组底座板的两侧设置有若...

本实用新型公开了一种辅助焊接用多点接触式焊针，包括焊针本体、陶瓷元件、陶瓷基体和PCB元件，所述焊针本体由上柱体、中间接触体和下柱体组成，所述中间接触体固定连接于上柱体底部，所述下柱体固定连接于中间接触体底部，所述中间接触体外侧通过直纹...

本发明提供一种温度压力传感器及其感温组件的组装工艺，包括以下步骤：S1：玻璃烧结结构的制作，S2：注塑，S3：焊接NTC温敏电阻，S4：安装保护帽，在本发明中，用于固定两只NTC电阻焊接框架采用的是圆板状的不锈钢基体，且在不锈钢基体与N...

本发明公开了一种基于二次标定的差压压力传感器制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述方法采用双MEMS芯片，使得两个感压面均为不含电路的芯片背面，具备非常好的耐腐蚀性，可以在腐蚀性介质中正常使用，解决了常规差压压力传感器方案在腐蚀性介质...

本实用新型公开了一种具有较高输出跨度的陶瓷电阻应变片，包括陶瓷基体、金属连接线、电阻条、调零电阻和玻璃釉，所述陶瓷基体顶部设置有金属连接线，所述金属连接线的一端设置有电阻条，所述金属连接线的另一端设置有调零电阻，所述金属连接线顶部设置有...

本实用新型公开了一种半自动玻璃浆料印刷装置，包括螺杆、吸台、转动轴和放置台，所述吸台通过负压管路连接有机械泵，所述吸台上方设置有网板，所述网板一端的上方安装有刮刀，所述刮刀顶部连接有刮刀手臂，所述刮刀手臂侧面设置有支撑杆，所述支撑杆下方...

本发明公开了一种高压硅MEMS压力传感器及制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述高压硅MEMS压力传感器采用MEMS硅芯片作为敏感元件，具备的高精度、高线性度、低成本，以及适于实现大批量的生产的优点；采用不锈钢作为应变片，在高压范围内...

本发明公开了一种硅压阻式压力传感器芯片及其制备方法，属于敏感元件与传感器领域。本发明采用向硅片正面进行N型重掺杂离子注入，构成的N型区域载流子浓度比现有的N型硅片大幅降低，且受温度的影响小，从而可以有效地减小漏电流，提高传感器信号的精度...

本发明公开了一种复合式MEMS传感器及芯片级封装方法，属于敏感元件与传感器领域。所述复合型MEMS传感器包括由下而上依次键合的：硅基板层、互联层、芯片层。本发明的传感器和封装方法，通过互联层设计，将芯片间的电气连接线埋置在互联层内，不仅...

本发明公开了一种高可靠性绝压压力传感器及封装方法，属于敏感元件与传感器领域。所述传感器包括：塑料外壳、引线框架、ASIC芯片、MEMS芯片、金属线、软胶、塑料上盖。本发明将ASIC芯片通过倒装的方式装配在引线框架上，避免了对ASIC芯片...

本发明公开了一种温压一体式MEMS传感器芯片及其制备方法，属于敏感元件与传感器领域。本发明采用温压一体式的芯片结构，将温度传感器芯片和压力传感器芯片集成在同一芯片上，可以输出MEMS传感器芯片上的实际温度，并配合调理芯片对压力传感器芯片...

本发明公开了用于恶劣环境下的MEMS压力传感器芯片及制备方法，属于敏感元件与传感器技术领域。所述压力传感器芯片包括：从上到下依次键合的第一力敏芯片、互联层、第二力敏芯片；本发明通过双芯片集成，互联层连接的结构设计，将电路部分与环境完全隔...

本发明公开了一种微压MEMS压力传感器芯片及制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述芯片包括：SOI硅基体，在所述SOI硅基体的下表面刻蚀背腔形成方形压力隔膜，所述压力隔膜的上表面与下表面设有相同的凸起，上下表面的凸起结构形成所述压力隔...