本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种高电注入效率的氮化镓基激光器及制备方法和装置，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的n型氮化镓层、n型光限制层、n型自旋极化注入层、n型光波导层、多量子阱有源层、p型光波导层、p型自旋极化注入...

一种基于三角阈值法的激光器LIV测试阈值计算方法及系统，方法包括：步骤1，利用激光器LIV测试设备，获取激光器在不同电流下的输出功率数据；步骤2，将步骤1中收集的数据绘制成散点图，其中横坐标表示电流值，纵坐标表示输出功率值；步骤3，应用...

本技术提出了一种多芯片封装的半导体激光器，该激光器包括管壳及管壳内部的多个等间距放置平台、多个激光芯片、多个准直透镜及中继热沉，还包括所述管壳侧壁上的多个窗口片和管壳引脚，其中管壳底部的等间距放置平台用于承载固定激光芯片，激光芯片的出光...

本发明提出了一种多芯片封装的半导体激光器，该激光器包括管壳及管壳内部的多个等间距阶梯结构、多个激光芯片、多个准直透镜及中继热沉，还包括所述管壳侧壁上的多个窗口片和管壳引脚，其中管壳底部的等间距阶梯结构用于承载固定激光芯片，激光芯片的出光...

本技术涉及一种蓝光激光焊接组件，包括，激光焊接头，激光焊接头工作时，会产生烟气，启动离心风机外部空气会进入曲管内，而曲管底部位于激光焊接头一侧，将烟气吸入曲管内，而误入曲管的杂物会流通到外接管处，被外接管内部的拦截部所阻拦，可掉落在收集...

本技术提供了一种用于激光器端面镀膜的排bar结构，包括若干根并排布置的正条，所述正条的背面与相邻另一个所述正条的正面相贴合，各所述正条的背面沿腔长方向的两端具有倒角，使得相邻两根所述正条的贴合面处沿腔长方向两端之间形成空隙。该技术通过在...

一种监控EEL激光芯片腔面介质膜性能参数的方法，包括：获取被测芯片腔面介质膜的性能参数；构建芯片腔面介质膜的性能参数与芯片性能的关联模型；将被测芯片腔面介质膜性能参数与所述关联模型中的性能参数进行对比，判断并输出被测芯片的芯片性能。本发...

本技术公开了一种蓝光激光发生器，包括：本体，所述本体的四周开设有多个凹槽，所述本体的底端设置有两个连接线；开设在本体的上端的安装槽，所述安装槽的内部接触有上盖，所述上盖的外侧固定连接有弹性壳，所述弹性壳的内部固定连接有移动杆，本技术通过...

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种GaN基EEL激光芯片腔面钝化的方法，包括以下步骤：S1，腔面除水汽：加热bar条腔面去除水汽；S2，腔面清洁：继续升温，并通入气体轰击腔面；S3，腔面退火：继续升温，并通入气体轰击腔面，随后退火处理...

本公开提供了一种半导体量子阱结构的制备方法，包括：在衬底的一侧形成n型半导体层；在n型半导体层背向衬底的一侧形成多量子阱结构，多量子阱结构包括交替设置的量子垒层和量子阱层，量子阱层的材料包括：氮化铟镓，量子垒层包括：垒层基础层和位于垒层...

本技术公开了一种蓝光半导体激光器模块，包括激光器底板和安装底板，所述激光器底板上表面且位于安装底板内部固定设置有激光器模块，所述安装底板上表面栓接有安装板，所述激光器底板上表面卡接设置有激光器防尘壳，且所述激光器防尘壳两侧设置有两组方便...

本发明涉及光通信技术领域，提供了一种外延结构的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上叠层生长N‑GaN层以及第一限制层，S2，生长完毕后再在所述第一限制层上生长第一栅栏层，S3，再于所述第一栅栏层生长第一波导层，S4，接着再于所述第一波...

本技术公开了一种蓝光激光灯，包括壳体，通过设置安装壳、风机和防尘网的配合使用，起到了对壳体的内部进行散热的作用，同时可将外界空气中的灰尘等杂质进行过滤，防止其进入壳体内部影响装置性能，通过设置插槽和提拉块的配合使用，起到了便于将防尘网进...

本技术涉及激光大灯技术领域，公开了一种车用激光大灯，包括安装座，所述安装座的一侧开设有对接槽，所述对接槽内嵌有激光模组，所述安装座与对接槽相邻两侧开设有导向槽，且导向槽内滑动连接有连接组件；所述连接组件包括定位块，所述定位块的一侧固定连...

本技术涉及一种蓝光激光焊接机，包括箱体、工作台和窗口，所述箱体的内部固定安装有工作台，且所述箱体的正面开设有窗口，启动两个第一电机带动两个第一螺纹杆旋转，从而控制两个驱动块高度调节，进而实现对防护板高度调节，防护板下落对窗口处进行遮挡，...

本技术公开了一种车灯激光模组，所述推杆的端部固定连接有挡块，所述推杆上套设有推动弹簧，所述推动弹簧的一端与安装腔的内壁抵紧，所述推动弹簧的另一端与挡块的侧部抵紧；本技术通过推杆、推动弹簧、挡块与第二定位块等结构的设计，通过推动弹簧与挡块...

本发明提供了一种GaN基LD外延结构，包括衬底、复合缓冲层和复合过渡层，所述复合缓冲层包括依次层叠生长的第一缓冲子层、第二缓冲子层和第三缓冲子层，第一缓冲子层的材质为AlN，第二缓冲子层的材质为Al<subgt;x</sub...

本技术公开了一种激光电视用蓝光半导体激光组件，属于激光电视技术领域，包括安装座和蓝光半导体激光主机，所述安装座的顶部开设有安装槽，所述安装槽的内腔滑动连接有移动架，所述移动架与安装座之间设置有限位组件，所述安装座上还安装有用于带动移动架...

本发明涉及一种提高p型氮化镓掺杂效率的方法，包括：S1，在衬底层上依次生长n型氮化镓层、量子阱层、p型电子阻挡层以及低掺杂p型氮化镓层，S2，在低掺杂p型氮化镓层生长完毕后，采用图形化离子注入方法在低掺杂p型氮化镓层中制作多个高掺杂p型...

本实用新型公开了一种激光电视用蓝光半导体激光器，包括底座，所述底座的顶部安装有金属导热板；所述金属导热板顶部的一侧安装有蓝光激光器本体；本实用新型中蓝光激光器本体内部放出的热量和其外部释放的热量，均会被金属导热板吸收，随后再通过风扇