本发明属于红外探测器芯片领域中的金属纳米粒子负载类蜂窝状多孔硅薄膜及其热电堆芯片。所述的金属纳米粒子负载类蜂窝状多孔硅薄膜为一种多功能薄膜，是以半导体硅薄膜为基质，构筑的负载纳米Ag或Au或Pt贵金属粒子的类蜂窝状多孔硅复合膜。借助蜂窝...

本发明涉及一种Zn

本发明属于气体敏感材料领域，具体涉及一种BP

本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有复合支撑层的MEMS红外光源及其制备方法。该MEMS红外光源包括衬底、支撑层、发热电极层、红外发射层；以及两条发热电极焊盘。其中，衬底中包含一个台体型的镂空结构；支撑层设于衬底上，并在衬底下方形成...

本发明属于光电技术领域，具体涉及一种MEMS红外光源的制造方法。该制造方法用于制造一种衬底和支撑层之间含有特殊空腔和反射层的MEMS红外光源。包括如下步骤：(1)衬底的掩膜处理；(2)腐蚀窗口制备；(3)各向异性腐蚀；(4)反射层制备；...

本发明属于红外传感器技术领域，具体涉及一种抗热冲击的MEMS热电堆芯片。芯片包括由下至上叠层设置的衬底、支撑层、热电堆层和光学吸收层。热电堆层包括由多个彼此串联的热电偶依次排列进而构成一个双层的热电偶阵列，以及包裹在热电偶阵列外的隔离层...

本发明涉及一种抗电磁干扰的红外测温用滤光片及其制备方法，该滤光片包括：基底层、滤光层以及电磁屏蔽层。滤光层分别沉积于基底层的上下两侧以形成两个干涉膜系。滤光层采用在5.5μm

本发明属于光电技术领域，具体涉及一种锰酸镧陶瓷基光吸收体，该光吸收体的应用，以及锰酸镧陶瓷基光吸收体的制备方法。该光吸收体包括陶瓷基体、抗激光损伤薄膜和纳米过渡层。陶瓷基体包括五个结构层；包括位于中间层的锂掺杂锰酸镧陶瓷层；位于锂掺杂锰...

本发明属于红外传感器技术领域，具体涉及一种抗热冲击型MEMS热电堆芯片的制备方法。制备方法包括如下步骤：(1)衬底的预处理，(2)衬底的表面氧化，(3)支撑层的制备，(4)下层热电偶的制备，(5)第一隔离层的制备，(6)上层热电偶的制备...

本发明属于光电技术领域，具体涉及一种光电转换效率提升的MEMS红外光源。该光源包括从下至上依次叠加的衬底、支撑层、发热电极层、红外发射层；以及与发热电极层电连接的两条发热电极焊盘。衬底的上表面设有向下凹陷的凹坑，凹坑包括一个水平的底面以...

本实用新型涉及红外光源领域，特别是涉及一种能效与寿命均衡型MEMS红外光源的衬底结构。该衬底结构为MEMS光源的底部支撑结构，衬底结构包括衬底和支撑层；衬底的中央包含一个上下贯穿型的通孔；支撑层位于衬底上方并与衬底形成四边固支结构，进而...

本实用新型涉及传感器领域，特别是涉及一种热电堆红外传感器及耐热冲击的非接触式测温枪。该传感器由敏感元件和信号放大电路封装而成。敏感元件为热电堆芯片，热电堆芯片包括由下至上叠层设置的衬底、支撑层、热电堆层和光学吸收层。热电堆层位于支撑层上...

本发明属于光电技术领域，具体涉及一种镧系钙钛矿陶瓷基光吸收体，该光吸收体的应用及其制备方法。该光吸收体采用了多层的“夹心”结构；包括：陶瓷基体、纳米过渡层、以及抗激光损伤薄膜。其中，陶瓷基体包括上下对称的七层，从内到外依次包括多孔的钙掺...

本实用新型涉及一种抗电磁干扰的红外测温用滤光片及其红外探测器。该滤光片包括：基底层、滤光层以及电磁屏蔽层。滤光层分别沉积于所述基底层的上下两侧以形成两个干涉膜系；所述滤光层采用在5.5μm

本实用新型涉及红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源的衬底结构。该衬底结构为MEMS光源的底部支撑结构，包括衬底、支撑层以及发射层。衬底结构上负载MEMS光源的发光结构。其中，衬底上表面的中央设有向下凹陷的凹坑，凹坑包括一个水平的...

本发明涉及一种能够在室温下检测低浓度NO2的气敏元器件及其制备方法。制备方法包括：(1)多层Ti3C2MXene的合成；(2)TiO2/Ti3C2的合成；(3)TiO2‑

本发明涉及一种封闭膜结构MEMS红外光源及其制备方法。所述红外光源包括支撑层、加热层、隔离层、金属电极以及辐射层。支撑层为沉积于承载衬底表面的封闭膜结构；加热层沉积于支撑层表面，并形成内疏外密插热结构，金属电极沉积于支撑层表面并且与加热...

本发明涉及一种超宽截止的六氟化硫红外滤光片及其制备方法。本发明采用一种超宽截止膜系，结合干涉截止膜系的宽截止特性和窄带膜系的高透过性，通过多层膜导纳匹配方法，利用匹配膜层叠加干涉截止膜系和窄带膜系，达到超宽截止的目的，制备超宽截止的六氟...