通用电气公司专利技术

通用电气公司共有18501项专利

  • 一种制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中,使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理,以所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度.所用的时间足以能对其中...
  • 提供平均外凸周长为约0.12微米至0.6微米范围内的煅制二氧化硅骨料的制备方法。该方法是以燃烧硅化合物(例如有机硅烷)、含氧气体(例如空气)和燃料(例如氢气)的混合物为基础的。已发现煅制二氧化硅在热固性填充硅氧烷组合物中有增强性质。
  • 一种密度及应力梯度降低的化学气相沉积的金刚石坯体,其中包含着被压缩的空穴,该金刚石坯体是由低压化学气相沉积的金刚石坯体在金刚石是碳的热力学稳定相的充分高的温度与压力下进行处理而制得的,从而减小了空穴的尺寸和金刚石坯体内的应力。
  • 一种不透明硅石(20),它包括硅石(12)以及至少一种第二相的固体物质(25),该至少一种第二相的固体物质(25)基本上是均匀地分散在硅石(12)中,穿过该硅石(20)所形成的切割面,是无表面缺陷,因为该至少一种第二相的固体物质(25)...
  • 一种官能化的金刚石含有有机官能化部分。该有机官能化部分选自:乙烯基,酰胺基,醇基,酸基,酚基,羟基,羧基,醛基和脂族基,以及它们的组合。
  • 这里公开了一种储氢组合物,其包含分布在储存组合物上的催化剂组合物;其中该催化剂组合物包括钙、钡、铂、钯、镍、钛、铬、锰、铁、钴、铜、硅、锗、铑、铑、钌、钼、铌、锆、钇、钡、镧、铪、钨、铼、锇、铱的合金,或包含至少一种前述金属的组合。
  • 一种用于共同产生氢和电能的系统,包括:重整器(4),所述重整器被构造以接收重整器燃料和蒸汽并产生富氢的重整产物(44)。该系统进一步包括与所述重整器(4)流体连通的分离单元(12),其中所述分离单元(12)被构造以接收所述重整产物(44...
  • 本发明公开了一种方法,包括燃烧原料物流以形成燃烧产物;和重整该燃烧产物以制备含氢气的气态组合物。本发明还公开了一种用于制备氢的方法,包括:将含有天然气和空气或氧的原料物流引入到循环压缩室;在该循环压缩室中压缩该原料物流;在该循环压缩室中...
  • 一种生产高纯度和高导热系数氮化硼的方法,其中在掺杂剂的存在下,在至少1000℃使含氧硼化合物和含氮源反应至少一小时,并且其中掺杂剂形成蒸发温度低于该方法中最高加工温度的金属硼酸盐杂质。
  • 一种制备基本不含碳污染物的合成石英玻璃粉的方法,使熔结成型过程中由该合成石英玻璃制成的制品的气泡密度下降,稳定性得到改进,该方法通过在低于1400℃的温度下将合成石英粉保持在氧化环境,例如包含至少3体积%臭氧的气氛中,使含碳化合物减少到...
  • 一种用于生产光气的方法,包括:将一氧化碳气流引入浸渍金属氧化物的活性炭中,降低一氧化碳气流中的硫化氢浓度得到清洁的气流,其中清洁的气流中硫化氢浓度小于或等于约20ppm,使清洁的气流中一氧化碳和氯气(28)反应得到光气。
  • 描述了具有提高的气体存储密度/溶解性和改善的气体迁移率的场辅助气体储存材料。在一些实施方案中,该气体储存材料包括含有气体储存空间和在施加外加场期间足以维持电偶极的离子特征的材料,其中外加场不会使材料变得导电,并且其中气体存储在材料的气体...
  • 本发明公开的是制备组合文库的方法,其包括在含有硅、石墨、硼、碳化硼、氮化硼、铝、锗、氮化硅、碳化硅或硼化硅的基质上布置至少一种反应物,其中所述的反应物为锂、镁、钠、钾、钙、铝或包含至少一种上述反应物的组合;将所述基质热处理以产生具有至少...
  • 一种二氧化碳分离系统(10),包括用于经其引导含有二氧化碳的流体(14)的第一流径(12)、用于经其引导扫流(18)的第二流径(16)、和含有二氧化碳选择渗透性的材料的分离器(20),其用于分离第一和第二流径(12,16)并促进其间二氧...
  • 从流体物流中除去二氧化碳的方法和设备,一种制备氢气的设备,其中该设备包括反应器。在一个实施方式中,反应器包括至少两个转化-除去部分。每个转化-除去部分包含被设置来把物流中的CO转化成CO↓[2]的催化剂部件(24)和位于催化剂部件(24...
  • 本发明披露一种系统,该系统包括接收第一燃料蒸汽混合物和氧化剂的混合重整区,以提供包含氢气的第一重整产物流。该系统还包括接收第一重整产物流、第一部分蒸汽和第二燃料的至少一个蒸汽重整区,以产生包含氢气的第二重整产物流。第一重整产物流在进入蒸...
  • 提供一种制备太阳能级硅的装置和方法。该方法包括提供包含颗粒和置于至少一些颗粒之上的涂层的起始材料,其中所述颗粒包含二氧化硅,所述涂层包含碳。该方法进一步包括加热起始材料形成中间产物,并进一步使中间产物反应以生成太阳能级硅。
  • 提供了一种用于从多个化学物类的混合物中分离出至少一个成分的设备(10)。设备(10)包括膜结构(12),该膜结构包括设置在基质(16)材料中的多个气孔(14)以允许物质从膜结构(12)的第一表面(18)传递到膜结构(12)的第二表面(1...
  • 本发明提供一种用于从气体混合物中分离二氧化碳的复合膜及方法,其中所述膜包括膨体聚四氟乙烯及聚硅氧烷。所述膜具有高的稳定性,并可在严酷环境及高温条件下(例如电厂的废气)以高的通量分离二氧化碳。
  • 本发明涉及用于熔化硅粉的方法,具体而言,涉及一种用于使半导体材料粉末,例如硅粉熔化,以生产高纯度固体产品的方法。这种方法通常需要将粉末引入到倾斜于水平方向的管道的抬高端,在管道中保持惰性气氛的同时,旋转管道以搅动并导致其中的粉末流向相对...